0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2025-01-02 17:41 ? 次閱讀

新品

3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊

b24aa1c8-c8ed-11ef-9434-92fbcf53809c.png

知名的IHV B 3.3kV單開關IGBT模塊經(jīng)過了重大改進,以滿足牽引和工業(yè)應用(如中壓傳動或HVDC)當前和未來的要求。

最新推出的產(chǎn)品組合類型是經(jīng)過優(yōu)化的IGBT和二極管比率,F(xiàn)Z1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A 3.3kV單開關。

它采用TRENCHSTOP IGBT4和發(fā)射極可控EC4二極管,具有更強的功率循環(huán)能力,標準封裝為IHV B 190x140mm2。

與前幾代產(chǎn)品相比,客戶可以輕松切換,同時節(jié)省成本。

產(chǎn)品型號:

■FZ1200R33HE4D_B9

產(chǎn)品特點

高短路能力

開關損耗低

低VCEsat

Tvj op max=150°C

無與倫比的動態(tài)魯棒性

火災和煙霧EN45545 R22、R23:HL3

CTI>600

與最先進型號比有2倍功率循環(huán)

用于發(fā)電工況的擴大二極管

矩形RBSOA

應用價值

2xPC,可實現(xiàn)200%的使用壽命或在相同壽命下,實現(xiàn)110%的輸出功率或8K溫度余量

故障電流RBSOA高達3000A

性能與任何1500A 3.3kV相同

與190x140毫米模塊1:1尺寸互換

在惡劣環(huán)境條件下的使用壽命為30年

競爭優(yōu)勢

與IGBT3 3.3kV競爭類型相比200%功率循環(huán),可在大多數(shù)應用中實現(xiàn)200%的使用壽命,或在相同使用壽命內(nèi)實現(xiàn)110%的輸出功率,或在相同使用壽命內(nèi)增加8K溫度余量

足以替代任何1500A 3.3kV型產(chǎn)品

比IGBT3便宜10%

應用領域

機車牽引

工業(yè)驅(qū)動器

輸配電

CAV

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關注

    關注

    147

    文章

    9657

    瀏覽量

    166730
  • IGBT
    +關注

    關注

    1267

    文章

    3799

    瀏覽量

    249239
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模塊,助力實現(xiàn)尺寸更小,效率更高的工業(yè)設備

    。作為東芝首批具有上述額定電壓的產(chǎn)品,它們與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V3300V器件產(chǎn)品線。 這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅(Si
    的頭像 發(fā)表于 12-17 15:43 ?133次閱讀
    MG400<b class='flag-5'>V2YMS31700V</b>碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>,助力實現(xiàn)尺寸更小,效率更高的工業(yè)設備

    新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊

    新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關IGBT模塊經(jīng)
    的頭像 發(fā)表于 12-12 17:03 ?184次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>3300V</b>,1600<b class='flag-5'>A</b>二極管<b class='flag-5'>IHV</b> <b class='flag-5'>B</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產(chǎn)品

    新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產(chǎn)品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B
    的頭像 發(fā)表于 12-04 01:04 ?177次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | Easy2<b class='flag-5'>B</b> Easy3<b class='flag-5'>B</b> <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>7 H7高速芯片的T型三電平<b class='flag-5'>模塊</b>的先導產(chǎn)品

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

    本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代I
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?589次閱讀
    深度了解第8代1800<b class='flag-5'>A</b>/<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7

    新品1200A4500VIGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV單開關
    的頭像 發(fā)表于 10-13 08:04 ?365次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>1200A</b> 4500<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>FZ<b class='flag-5'>1200R45HL4</b>和FZ<b class='flag-5'>1200R45HL4</b>_S7

    新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM

    新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二
    的頭像 發(fā)表于 10-09 08:04 ?338次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用<b class='flag-5'>IGBT</b>7的CIPOS? Maxi 10-20<b class='flag-5'>A</b> <b class='flag-5'>1200V</b> IPM

    國產(chǎn)車規(guī)級3300V耐壓隔離開關概述

    隨著快充時代的到來,純電動汽車正逐步向800V電池架構轉(zhuǎn)變,對絕緣檢測、高壓測量等功能要求也越來越高。其中高壓隔離開關,可通過控制開關的通斷來采樣電壓,對BMS系統(tǒng)和工業(yè)儲能來說至關重要。今天給大家推薦一款國產(chǎn)車規(guī)級3300V耐壓隔離開關。
    的頭像 發(fā)表于 09-14 14:59 ?416次閱讀
    國產(chǎn)車規(guī)級<b class='flag-5'>3300V</b>耐壓隔離開關概述

    新品 | 6500V、1000A 單開關 IGBT 模塊 FZ1000R65KE4

    新品6500V、1000A單開關IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A,190
    的頭像 發(fā)表于 09-10 08:03 ?419次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 6500<b class='flag-5'>V</b>、1000<b class='flag-5'>A</b> 單開關 <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>模塊</b> FZ1000R65KE<b class='flag-5'>4</b>

    新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊

    新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波
    的頭像 發(fā)表于 08-13 08:14 ?345次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 900<b class='flag-5'>A</b> 1700<b class='flag-5'>V</b> Wave基板的EconoDUAL? 3 <b class='flag-5'>IGBT</b>7 <b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 光伏混合逆變器用Easy模塊

    :FS3L40R07W2H5F_B70EasyPACK2B650V、40A三電平NPC1全橋IGBT模塊,配有CoolSiC肖特基二極管650V
    的頭像 發(fā)表于 07-16 08:14 ?772次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 光伏混合逆變器用Easy<b class='flag-5'>模塊</b>

    先導中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

    在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導中心再度展現(xiàn)了其技術實力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-09 14:25 ?626次閱讀

    1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 04-10 18:02 ?0次下載

    1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 04-10 17:16 ?0次下載

    1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 04-10 17:14 ?0次下載

    1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 04-10 15:23 ?0次下載