0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

廣州萬智光學(xué)技術(shù)有限公司 ? 2024-12-25 10:31 ? 次閱讀

一、碳化硅襯底的加工流程

碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋(CMP)等幾個關(guān)鍵工序。每一步都對最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。

切割:將SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多線砂漿切割是目前常用的切割方式,關(guān)鍵在于確保切割后的晶片厚度均勻、翹曲度小。

粗磨:去除切割過程中產(chǎn)生的表面損傷和刀紋,修復(fù)變形。此過程需使用高硬度磨料,如碳化硼或金剛石粉,以達到穩(wěn)定的去除速率。

精磨:進一步降低表面粗糙度,為后續(xù)拋光做準(zhǔn)備。精磨工藝包括聚氨酯發(fā)泡Pad+多晶金剛石研磨液雙面研磨,但劃傷問題一直存在。近年來,團聚金剛石研磨工藝因其高良率、低成本和低損傷層而受到青睞。

粗拋:采用高錳酸鉀氧化鋁粗拋液搭配無紡布粗拋墊,通過化學(xué)腐蝕和機械磨削作用,將晶片表面粗糙度降低到0.2nm以內(nèi)。

精拋:使用100nm以內(nèi)的氧化硅拋光液搭配黑色阻尼布精拋墊,通過化學(xué)機械拋光(CMP)將晶片表面粗糙度進一步降低到0.1nm以內(nèi)。

二、降低TTV的具體方法

優(yōu)化切割工藝:采用高精度的多線切割設(shè)備,嚴(yán)格控制切割參數(shù),如切割速度、進給量、冷卻液流量等,確保切割后的晶片厚度均勻,減少TTV的產(chǎn)生。

改進研磨工藝:在粗磨和精磨階段,選擇適當(dāng)?shù)哪チ虾脱心ヒ?,?yōu)化研磨墊的材質(zhì)和硬度,以提高去除效率和表面質(zhì)量。同時,嚴(yán)格控制研磨過程中的壓力和轉(zhuǎn)速,避免過度研磨導(dǎo)致的TTV增加。

加強拋光控制:在粗拋和精拋階段,精確控制拋光液的濃度、pH值和溫度,以及拋光墊的材質(zhì)和磨損情況。通過調(diào)整拋光參數(shù),如拋光時間、拋光壓力和拋光液的流量,實現(xiàn)對TTV的精確控制。

引入先進檢測技術(shù):在加工過程中,使用高精度的測量儀器,如激光干涉儀、原子力顯微鏡等,對晶片的TTV進行實時監(jiān)測和反饋。根據(jù)測量結(jié)果,及時調(diào)整加工參數(shù),確保產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性和一致性。

實施質(zhì)量控制體系:建立嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系,對加工過程中的每個環(huán)節(jié)進行質(zhì)量監(jiān)控和記錄。通過數(shù)據(jù)分析,及時發(fā)現(xiàn)并解決問題,不斷提高加工水平和產(chǎn)品質(zhì)量。

三、結(jié)論

降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法涉及多個環(huán)節(jié)和參數(shù)的控制。通過優(yōu)化切割、研磨和拋光工藝,加強檢測和控制,可以顯著提高碳化硅襯底的質(zhì)量穩(wěn)定性和一致性。未來,隨著技術(shù)的不斷進步和設(shè)備的更新?lián)Q代,碳化硅襯底的加工水平將進一步提升,為碳化硅器件的廣泛應(yīng)用提供有力保障。

四、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理,可解決晶圓/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)、BOW(彎曲度)、WARP(翹曲度),TIR(Total Indicated Reading 總指示讀數(shù),STIR(Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等這類技術(shù)指標(biāo);

wKgZO2dOp6CAW_NpAAtmqaosFYk083.pngwKgZPGdOp6OALB0JAAe_IGC_Ayc011.pngwKgZPGdOp6aAHRUIAAZVp9vm39M666.png

高通量晶圓測厚系統(tǒng),全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片,一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

wKgZPGdOp6mAKTtWAAMZ0sugoBA420.png

1,靈活適用更復(fù)雜的材料,從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++),碳化硅,藍寶石,玻璃,鈮酸鋰等晶圓材料。

wKgZPGdOp62AN0fqAACccVZKWVA474.png

重?fù)叫凸瑁◤娢站A的前后表面探測)

wKgZPGdOp7CAZV02AAE1uE--_rA542.png

粗糙的晶圓表面,(點掃描的第三代掃頻激光,相比靠光譜探測方案,不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響,因而對測量粗糙表面晶圓)

wKgZPGdOp7OAKtQyAABk8Zx6e5s662.png

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3);(通過對偏振效應(yīng)的補償,加強對低反射晶圓表面測量的信噪比)

wKgZO2dOp7eAZ0ZqAADZ4qUt_w0436.png

絕緣體上硅(SOI)和MEMS,可同時測量多 層 結(jié) 構(gòu),厚 度 可 從μm級到數(shù)百μm 級不等。

wKgZO2dOp7qAdvf9AABqVmhXSYo839.png

可用于測量各類薄膜厚度,厚度最薄可低至 4 μm ,精度可達1nm。

1,可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力,體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強,一改過去傳統(tǒng)晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴,成本顯著降低。

wKgZO2dOp76AXh0TAARjf1A7l_0076.png

2,靈活的運動控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27362

    瀏覽量

    218640
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4912

    瀏覽量

    127980
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2762

    瀏覽量

    49052
  • 硅襯底
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    19

    瀏覽量

    9412
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅襯底,進化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,進入試產(chǎn)階段。 ? 讓
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?2407次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>,進化到12英寸!

    碳化硅深層的特性

    碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,憑借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能,在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
    發(fā)表于 01-12 11:48

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應(yīng)用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

    MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動?! 〗酉聛斫榻B基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動產(chǎn)品  基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點,可
    發(fā)表于 02-27 16:03

    碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究

    作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工
    的頭像 發(fā)表于 10-11 16:01 ?4938次閱讀

    碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

    摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底
    的頭像 發(fā)表于 01-11 11:05 ?1853次閱讀

    碳化硅襯底市場群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

    全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭之地。
    發(fā)表于 03-23 10:30 ?1792次閱讀

    簡述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

    碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工
    發(fā)表于 05-09 09:36 ?4972次閱讀
    簡述<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>類型及應(yīng)用

    國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。
    發(fā)表于 10-27 09:35 ?2100次閱讀

    碳化硅襯底修邊處理后,碳化硅襯底TTV變化管控

    一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn) 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個關(guān)鍵步驟,主要用于去除襯底
    的頭像 發(fā)表于 12-23 16:56 ?186次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>修邊處理后,<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b><b class='flag-5'>TTV</b>變化管控

    激光退火后,碳化硅襯底TTV變化管控

    一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進的熱處理技術(shù),通過局部高溫作用,能夠修復(fù)碳化硅襯底中的晶格缺陷,提高晶體質(zhì)量,
    的頭像 發(fā)表于 12-24 09:50 ?144次閱讀
    激光退火后,<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b><b class='flag-5'>TTV</b>變化管控

    用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機構(gòu)

    加工過程中,TTV控制是至關(guān)重要的一環(huán)。 二、硅棒安裝機構(gòu)的設(shè)計原理 為了有效控制碳化硅襯底TTV,我們設(shè)計了一種新型的硅棒安裝機構(gòu)。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 09:51 ?122次閱讀
    用于切割<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b><b class='flag-5'>TTV</b>控制的硅棒安裝機構(gòu)

    優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

    一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步,主要用于去
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:54 ?93次閱讀
    優(yōu)化濕法腐蝕后<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b><b class='flag-5'>TTV</b>管控