SD NAND參考設(shè)計提示

一、電路設(shè)計

1、參考電路：

R1~R5 (10K-100 kΩ)是上拉電阻，當(dāng)SD NAND處于高阻抗模式時，保護CMD和DAT線免受總線浮動。

即使主機使用SD NAND SD模式下的1位模式，主機也應(yīng)通過上拉電阻上拉所有的DATO-3線。

R6（RCLK）參考0-120 Ω。

其他詳細(xì)電路應(yīng)用說明，請參考“SDA協(xié)會規(guī)范”第6章“SD Memory Card Hardware Interface”。

2、電源VDD（VCC_3V3）建議單獨供電，且需要注意提供SD NAND電流供電能力不小于200mA。

3、下圖是SD協(xié)議規(guī)定的上電規(guī)范，SD NAND的工作電壓范圍是2.7V-3.6V：

為了確保芯片能正常上電初始化，電壓要在0.5V以下至少1ms；電源上升的時候需要保持電源是穩(wěn)定的、持續(xù)上升的，上升到正常工作電壓的時間是0.1ms-35ms；主機關(guān)閉電源時，將卡的VDD降至0.5伏以下的最小周期為1ms。在斷電期間，DAT, CMD和CLK應(yīng)斷開連接或由主機驅(qū)動到邏輯0，以避免工作電流通過信號線引出的情況。

二、Layout 設(shè)計說明

1、數(shù)據(jù)線應(yīng)盡量保持等長，以減少時序偏差和提高信號的同步性。

2、對于CLK時鐘線，盡可能進行包地處理。對于走線阻抗，控制阻抗50歐姆。

3、SD NAND芯片最好靠近主控芯片放置，以減少走線長度和干擾。

4、LGA 9*12.5 封裝焊盤分兩側(cè) 2*8分布,其中同名網(wǎng)絡(luò) layout時可以連接在一起，方便后續(xù)更換物料時兼容 LGA6.0×8mm，LGA6.6×8.0mm封裝(如下圖)。

5、 layout時GND腳建議采用類似的“十字”或“梅花”型的連接 有利于過爐焊接。防止 GND 腳整體鋪銅散熱很快導(dǎo)致虛焊假焊現(xiàn)象存在(如下圖)。

三、貼片注意事項

1、保存要求：若購買散包裝，請務(wù)必上線前120℃烘烤8小時。若物料沒有全部使用，剩余部分請務(wù)必存放于氮氣柜或抽真空保存，再次上線前請務(wù)必120℃烘烤8小時。

2、貼裝順序：若 PCB 有 A、B 雙面要貼片，建議存儲器件最后貼裝。

3、焊接：LGA/BGA的封裝基板是PCB材質(zhì)，Pad位于底部，相比TSOP、WSON等金屬框架封裝，在焊接上更有難度，有條件的盡可能選擇液體錫膏和加熱臺，沒有加熱臺的可以用風(fēng)槍，風(fēng)槍溫度不要超過 350℃。

解焊:盡可能選擇加熱臺，若必須使用風(fēng)槍，建議風(fēng)槍溫度控制在 350℃，30秒以內(nèi)。

4、回流焊

SD NAND 回流焊的最高溫度若使用無鉛焊錫不能超過 260℃(無鉛焊錫),若使用無鉛焊錫不能超過 235℃，在此峰值溫度下，時間不能超過10s.爐溫曲線設(shè)置可參考 IPC-JEDEC J-STD-020 規(guī)定要求:

注：此設(shè)計提示適用于以下MK系列SD NAND