SD NAND 簡介

SD NAND是一種創(chuàng)新的存儲芯片，可直接貼片，又名貼片式TF卡、貼片式T卡、貼片式SD卡、貼片式內(nèi)存卡、SD Flash、NAND Flash等。它將傳統(tǒng)的TF卡技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢灾苯淤N片使用的芯片形式，為電子設備設計帶來了更多的靈活性和便利性。

Flash存儲類型

SD NAND的Flash存儲單元由各種類型的NAND晶圓組成，包括SLC（單級單元）、MLC（多級單元）、TLC（三層單元）、QLC（四層單元）和pSLC（偽單級單元）。其中，pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間，性能接近于SLC。

SD NAND產(chǎn)品優(yōu)勢

小尺寸設計：SD NAND的物理尺寸有6x8mmm、6.6x8mm和9x12.5mmm三種選擇，極大地縮小了存儲芯片的體積，適用于空間受限的應用場景，如智能穿戴設備、便攜式醫(yī)療設備和小型工業(yè)控制系統(tǒng)。

寬廣的容量選擇：提供從1Gbit到512Gbit的多種容量選擇，包括1Gbit、2Gbit、4Gbit、8Gbit、32Gbit、64Gbit、128Gbit、256Gbit和512Gbit，滿足各種存儲需求。

高可靠性：SD NAND基于SLC、pSLC、MLC、TLC和QLC技術(shù)，尤其是SLC和pSLC技術(shù)在耐用性和數(shù)據(jù)完整性方面表現(xiàn)突出。SD NAND還支持工業(yè)寬溫級，能夠在-40°C到85°C的極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，適用于工業(yè)、車載和醫(yī)療應用。

高效糾錯和磨損均衡算法：SD NAND采用先進的BCH和LDPC糾錯算法，有效檢測和糾正數(shù)據(jù)傳輸中的錯誤，確保數(shù)據(jù)完整性。同時，磨損均衡算法均衡存儲單元的使用頻率，延長芯片壽命。標準SD2.0/3.0接口簡化了系統(tǒng)設計和使用流程。

ECC（錯誤校正碼）：內(nèi)置ECC功能，自動檢測和糾正數(shù)據(jù)傳輸中的錯誤，提高數(shù)據(jù)的可靠性。

高速數(shù)據(jù)傳輸：SD NAND提供比傳統(tǒng)SPI接口更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，例如，512Gbit的SD NAND讀速可達168MB/s，寫速可達139MB/s。這種高速數(shù)據(jù)傳輸能力顯著提升了系統(tǒng)響應速度和性能。

Smart功能：米客方德SD NAND集成了Smart Function功能，動態(tài)監(jiān)測和反饋存儲芯片狀態(tài)信息，包括總寫入數(shù)據(jù)量、壞塊數(shù)、使用壽命、正常/異常掉電次數(shù)等，幫助用戶及時發(fā)現(xiàn)和修正系統(tǒng)問題，進行OTA升級和產(chǎn)品迭代。

SD NAND與其他存儲產(chǎn)品的對比

SD NAND比TF卡更適合嵌入式系統(tǒng)，體積小，焊接穩(wěn)定，不易脫落，內(nèi)置壞塊管理和ECC算法，減少CPU負荷，而TF卡更適用于消費電子設備。與eMMC類似，內(nèi)部完成ECC校驗、壞塊管理、磨損平均、掉電保護、垃圾回收等，能極大的提升開發(fā)效率，加速產(chǎn)品上市時間。

MK米客方德SD NAND已經(jīng)廣泛應用于多個行業(yè)和平臺，包括ST、TI、NXP、MTK、RK、芯唐和全志等，覆蓋工業(yè)、車載、醫(yī)療、電力、通信和消費類電子等領域。其小尺寸、多容量選擇、高可靠性、高速接口和智能功能，使其成為各種電子設備中的理想存儲選擇。 MK米客方德SD NAND的優(yōu)勢使其在存儲技術(shù)領域占據(jù)了重要地位，為用戶提供了更多選擇和更高效的存儲解決方案。