本文將主要介紹Air700ECQ模塊的應(yīng)用接口,
包括其管腳描述、功能分配、電氣特性以及使用注意事項(xiàng)。
詳細(xì)說明了模塊的LGA封裝、50個(gè)SMT焊盤管腳的具體功能和用法,
同時(shí),還討論了電源供電、模塊開關(guān)機(jī)控制、串口電壓轉(zhuǎn)換、省電功能及模式切換等關(guān)鍵應(yīng)用特性.
下面將詳細(xì)闡述Air700ECQ各接口的功能。
應(yīng)用接口介紹將分為十二個(gè)小節(jié),本文將介紹前三個(gè)小節(jié):
一、管腳描述
二、工作模式介紹
三、電源供電
后續(xù)會(huì)持續(xù)更新,敬請(qǐng)關(guān)注!
Air700ECQ是一款高度集成的LTE Cat1無線通信模組,基于移芯EC716E平臺(tái)設(shè)計(jì),有著極小的封裝和極高的性價(jià)比。
它支持移動(dòng)雙模FDD-LTE/TDD-LTE 4G遠(yuǎn)距離無線傳輸技術(shù),能夠廣泛應(yīng)用于共享設(shè)備、定位器、DTU數(shù)傳等多種場(chǎng)景。
此外,Air700ECQ還提供了USB、串口、I2C等多種接口,以及靈活的電源供電方案,包括LDO和DCDC供電方式,確保了模塊在各種復(fù)雜應(yīng)用環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
一、管腳描述
模數(shù)轉(zhuǎn)換ADC接口
天線接口
LED指示燈接口
*注:
1.二次開發(fā) GPIO復(fù)用功能詳見對(duì)應(yīng)《_GPIO_table》
2.LDOAON為芯片內(nèi)部部分 GPIO供電電源,由此電源供電的 IO口休眠狀態(tài)下能夠保持。
3.所有 GPIO和 wakeuppad都支持雙邊沿中斷;
可以復(fù)用為 wakeup 的 io,休眠以及喚醒狀態(tài)下都能使用;其余 io 喚醒狀態(tài)下可用,休眠狀態(tài)下不能使用;
wakeupio可以喚醒休眠,其余 GPIO都不可以。
4.EC716使用 3.3VIO方案,必要說明:
芯片設(shè)計(jì)限制,原則上不可以用 3.3VIO,如果使用 3.3VIO或者外部接了 3.3V 的外設(shè)(包括但不限于 MCU,傳感器等等),可能會(huì)導(dǎo)致關(guān)機(jī)狀態(tài)下,VBAT上電壓在
1.8V~3V 的不穩(wěn)定狀態(tài),在需要開機(jī)的時(shí)候無法開機(jī)。所以使用 3.3V IO 的前提是必須保證芯片在關(guān)機(jī)狀態(tài)下,VBAT 電壓小于 1.8V,或者大于 3V。使用 3.3V IO 情況下,原理圖必須提供我司審核?。。。。?!
詳細(xì)說明參考鏈接:https://e3zt58hesn.feishu.cn/docx/Gs5Udj9H6ohtfoxqp0uceCunnfp
IO參數(shù)定義
二、工作模式
下表簡(jiǎn)要的敘述了接下來幾章提到的各種工作模式。
模式 | 描述 | |
正常工作 | ACTIVE | 連接正常工作。有數(shù)據(jù)或者語(yǔ)音或者短信交互。此模式下,模塊功耗取決于環(huán)境信號(hào)的強(qiáng)弱,動(dòng)態(tài)DTX控制以及射頻工作頻率。 |
IDLE SLEEP1 SLEEP2 HIBERNATE OFF |
MCU內(nèi)核時(shí)鐘關(guān)閉,系統(tǒng)中斷隨時(shí)可以喚醒模塊。模塊注冊(cè)上網(wǎng)絡(luò),沒有數(shù)據(jù),語(yǔ)音和短信交互。進(jìn)入和退出IDLE模式均由系統(tǒng)自動(dòng)管理 休眠模式下。外設(shè)均會(huì)被關(guān)閉,大部分IO處于掉電狀態(tài),僅有AGPIO能夠保持電平,功耗極大降低。通過AT+CSCLK=1或者AT+CSCLK=2進(jìn)入此模式 在休眠模式基礎(chǔ)上,關(guān)閉SRAM,僅保持64KBSRAM(ASMB)區(qū)域存儲(chǔ)必要信息。功耗進(jìn)一步降低, 在此模式下DeepSleepTimer仍然然可以運(yùn)行。通過WAKUP管腳可以喚醒,但是軟件需要重新初始化。AT版本不支持此休眠模式在休眠模式基礎(chǔ)上,進(jìn)一步關(guān)閉64KB SRAM(ASMB)區(qū)域,功耗最低。在此模式下DeepSleep Timer仍然然可以運(yùn)行。通過WAKUP管腳可以喚醒,但是軟件需要重新初始化。AT版本不支持此休眠模式 此模式下PMU停止給基帶和射頻供電,軟件停止工作,串口不通,但VBAT管腳 依然通電 |
|
休眠模式 | ||
深度休眠模式 | ||
超深度休眠模式 | ||
關(guān)機(jī)模式 |
注意:
當(dāng)模塊進(jìn)入休眠模式或深度休眠模式后,部分GPIO會(huì)處于掉電關(guān)閉狀態(tài),掉電 IO口均無法響應(yīng)中斷,無法喚醒模塊退出休眠模式。
休眠掉電GPIO 口請(qǐng)參考
模塊進(jìn)入休眠狀態(tài)后只能通過以下管腳中斷喚醒退出休眠模式。
管腳名 | 序號(hào) | 功能 | 描述 |
PWRKEY | 1 | 開機(jī)關(guān)機(jī) | 通拉低開機(jī)管腳觸發(fā)中斷 |
MAIN_TXD/RXD | 14,15 | 主串口 | 通過給串口發(fā)數(shù)據(jù)喚醒模塊 |
MAIN_DTR | 50 | 模塊喚醒管腳 | 拉低觸發(fā)中斷喚醒 |
VBUS | 6 | USB插入喚醒 | USB插入,或拉高觸發(fā) |
三、電源供電
3.1.1.模塊電源工作特性
在模塊應(yīng)用設(shè)計(jì)中,電源設(shè)計(jì)是很重要的一部分。由于LTE射頻工作時(shí)最大峰值電流高達(dá)1.5A,在最大發(fā)射功率時(shí)會(huì)有約700mA的持續(xù)工作電流,電源必須能夠提供足夠的電流,不然有可能會(huì)引起供電電壓的跌落甚至模塊直接掉電重啟。
3.1.2.減小電壓跌落
模塊電源VBAT電壓輸入范圍為3.3V~4.3V,但是模塊在射頻發(fā)射時(shí)通常會(huì)在VBAT電源上產(chǎn)生電源電壓跌落現(xiàn)象,這是由于電源或者走線路徑上的阻抗導(dǎo)致,一般難以避免。因此在設(shè)計(jì)上要特別注意模塊的電源設(shè)計(jì),在VBAT輸入端,建議并聯(lián)一個(gè)低ESR(ESR=0.7Ω)的100uF的鉭電容,以及100nF、33pF、10pF濾波電容,VBAT輸入端參考電路如圖4所示。并且建議VBAT的PCB走線盡量短且足夠?qū)?,減小VBAT走線的等效阻抗,確保在最大發(fā)射功率時(shí)大電流下不會(huì)產(chǎn)生太大的電壓跌落。建議VBAT走線寬度不少于1mm,并且走線越長(zhǎng),線寬越寬。
3.3.3 供電參考電路
電源設(shè)計(jì)對(duì)模塊的供電至關(guān)重要,必須選擇能夠提供至少1A電流能力的電源。若輸入電壓跟模塊的供電電壓的壓差小于2V,建議選擇LDO作為供電電源。若輸入輸出之間存在的壓差大于2V,則推薦使用開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器以提高電源轉(zhuǎn)換效率。LDO供電: 下圖是5V供電的參考設(shè)計(jì),采用了Micrel公司的LDO,型號(hào)為MIC29302WU。它的輸出電壓是4.16V,負(fù)載
電流峰值到3A。為確保輸出電源的穩(wěn)定,建議在輸出端預(yù)留一個(gè)穩(wěn)壓管,并且靠近模塊VBAT管腳擺放。建議選擇反向擊穿電壓為5.1V,耗散功率為1W以上的穩(wěn)壓管。
DC-DC供電:
下圖是 DC-DC開關(guān)電源的參考設(shè)計(jì),采用的是杰華特公司的 JW5359M開關(guān)電源芯片,它的最大輸出電流是 2A,輸入電壓范圍 3.7V~18V。注意 C25的選型要根據(jù)輸入電壓來選擇合適的耐壓值。
DCDC供電輸入?yún)⒖荚O(shè)計(jì)
未完待續(xù)。。。。。。。
詳細(xì)資料獲取請(qǐng)點(diǎn)擊: www.openluat.com
審核編輯 黃宇
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