在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天,半導(dǎo)體技術(shù)作為其核心驅(qū)動力,正迎來前所未有的發(fā)展機遇。近日,全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布,將斥資2億美元(約合1.84億歐元)用于下一代寬禁帶半導(dǎo)體(WBG)的研發(fā)和生產(chǎn),包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等高性能材料,進一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
此項重大投資正值Nexperia位于德國漢堡的晶圓廠成立100周年之際,具有里程碑意義。該晶圓廠自1924年Valvo Radior?hrenfabrik創(chuàng)立以來,經(jīng)過不斷的技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)升級,如今已成為全球小信號二極管和晶體管的重要生產(chǎn)基地,為全球約四分之一的需求提供支持。
隨著能源效率日益成為全球關(guān)注的焦點,寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用顯得尤為重要。SiC和GaN作為其中的佼佼者,以其優(yōu)異的性能在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力。Nexperia此次投資,正是為了抓住這一歷史機遇,通過研發(fā)和生產(chǎn)高性能的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品,為全球客戶提供更高效、更環(huán)保的解決方案。
Nexperia德國首席運營官兼常務(wù)董事Achim Kempe表示:“這項投資不僅將鞏固我們在節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,還將使我們能夠更負責任地利用電能。未來,我們的漢堡晶圓廠將全面覆蓋寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品線,繼續(xù)為全球客戶提供高質(zhì)量、具有成本效益的半導(dǎo)體產(chǎn)品。”
為了實現(xiàn)這一目標,Nexperia計劃從2024年6月開始,在德國漢堡工廠正式開展SiC、GaN和Si三種技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)工作。首條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線已于今年6月投入使用,標志著Nexperia在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了堅實的一步。
除了生產(chǎn)線的建設(shè)外,Nexperia還將加大對漢堡工廠基礎(chǔ)設(shè)施的自動化投入,并通過逐步轉(zhuǎn)向使用200毫米晶圓來擴大硅的產(chǎn)能。同時,新的研發(fā)實驗室也在建設(shè)中,以確保從研究到生產(chǎn)的無縫過渡。
值得一提的是,Nexperia此次投資還將對當?shù)亟?jīng)濟產(chǎn)生積極影響。通過保障和創(chuàng)造就業(yè)機會、增強歐盟半導(dǎo)體自給自足的能力等方式,為當?shù)亟?jīng)濟發(fā)展注入新的活力。同時,Nexperia還與大學和研究機構(gòu)保持密切合作,共同推動高素質(zhì)的員工培訓和技術(shù)創(chuàng)新。
Nexperia德國首席財務(wù)官兼常務(wù)董事Stefan Tilger表示:“作為全球少數(shù)幾家能夠提供全線半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品系列的供應(yīng)商之一,Nexperia致力于為客戶提供一站式服務(wù),滿足他們所有的半導(dǎo)體需求。此次投資將使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設(shè)計和生產(chǎn)工作,進一步鞏固我們在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。”
展望未來,Nexperia將繼續(xù)秉承創(chuàng)新、高效、環(huán)保的理念,為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體產(chǎn)品和服務(wù),助力實現(xiàn)能源高效利用和減排目標。
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