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2024英飛凌寬禁帶論壇倒計(jì)時(shí)丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-07-04 08:14 ? 次閱讀

英飛凌致力于通過(guò)其創(chuàng)新的寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品,偕同英飛凌智能家居方案,以及電動(dòng)交通和出行方案在Electronica China 2024(慕尼黑上海電子展)4號(hào)展館共同亮相,小編先帶你一睹為快!

7月9日

英飛凌將攜寬禁帶整體解決方案相約論壇

展臺(tái)設(shè)立三大核心區(qū)域

綠色能源和工業(yè)區(qū)域

2000V CoolSiC MOSFET

二極管首次公開亮相

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英飛凌于今年推出了市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000V的CoolSiC MOSFET分立器件,其開關(guān)損耗低,采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14mm,電氣間隙為5.4mm。適用于1500VDC的光伏組串逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電等應(yīng)用。此外,最新推出的2000V 40A CoolSiC二極管也將在展臺(tái)同步亮相。歡迎到現(xiàn)場(chǎng)一探究竟!

新一代CoolSiC MOSFET G2產(chǎn)品

正式揭開神秘面紗

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英飛凌于今年重磅推出新一代CoolSiC MOSFET Gen2技術(shù)。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲(chǔ)量)提高了20%。值得一提的是,該產(chǎn)品具有業(yè)界最低的Rds(on)導(dǎo)通電阻,單個(gè)單管封裝可低至7 mΩ。該技術(shù)在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),承諾2μs的短路能力,在業(yè)界遙遙領(lǐng)先。此外,新一代CoolSiC MOSFET Gen2技術(shù)的最大工作結(jié)溫直接提升到200攝氏度,相較于第一代產(chǎn)品有了顯著的提升。

全面展示Easy SiC模塊產(chǎn)品系列

呈現(xiàn)完整產(chǎn)品線陣容

英飛凌Easy模塊具有可擴(kuò)展性和靈活性,Easy 1B和2B模塊已上市多年,應(yīng)用十分廣泛。為了確保以同樣模塊高度設(shè)計(jì)更高功率的系統(tǒng),英飛凌進(jìn)一步開發(fā)了Easy 3B和4B模塊。這兩款封裝可以帶來(lái)更高的功率、更大的電流,采用1200V CoolSiC MOSFET芯片,以更好地滿足新興應(yīng)用的要求。目前,1200V CoolSiC MOSFET M1H Easy模塊擁有豐富的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括半橋、全橋、三相橋、三電平以及boost。其中半橋的Easy3B模塊,最小Rds(on)為2mΩ。本次展臺(tái)將首次展示最完整的Easy碳化硅產(chǎn)品線全陣容。

智能家居區(qū)域

GaN產(chǎn)品組合

240W單端口HFB + GaN參考設(shè)計(jì)

3kW 高效無(wú)橋圖騰柱PFC評(píng)估板

3KW 高效率LLC諧振變換器評(píng)估板

雷蛇 280W 氮化鎵充電器

英飛凌中壓氮化鎵馬達(dá)驅(qū)動(dòng)方案

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智能電磁爐

英飛凌的產(chǎn)品組合,涵蓋了設(shè)計(jì)高端電磁爐所需的一切解決方案。先進(jìn)的組件包括微控制器IGBT、柵極驅(qū)動(dòng)器、電流傳感器、HMI、麥克風(fēng)和連接,讓您更快地完成開發(fā)。這款全功能入門套件的先進(jìn)功能可確保您的電磁爐解決方案在未來(lái)幾年內(nèi)保持領(lǐng)先地位。

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維也納PFC方案

英飛凌使用低成本高性能的XMC MCU與Easy PIM模塊相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了高效低成本的維也納PFC方案。

關(guān)鍵器件:

FS3L35R07W2H5_C56: Infineon EasyPIM module, 35A/1200V/650V

1EDI20I12MF: 3x Infineon isolate gate driver

XMC1402-T038X0064: Infineon 32bit XMCMCU

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Magic Leap 2

Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司和湃安德(pmd)共同研發(fā)的3D間接飛行時(shí)間(iToF)深度傳感技術(shù)

英飛凌和湃安德共同開發(fā)的飛行時(shí)間技術(shù),可實(shí)時(shí)創(chuàng)建精確的環(huán)境3D圖以及人臉、手部細(xì)節(jié)或物體的3D圖像。

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LED矩陣上的雷達(dá)手勢(shì)感應(yīng)演示

用于智能建筑和智能家居的手勢(shì)感應(yīng) (1m, Jorjin, SOM)

主要優(yōu)勢(shì):

方向、接近和速度探測(cè)

隱藏安裝能力

在惡劣天氣條件下(溫度、光線、雨水)保持正常工作

運(yùn)動(dòng)跟蹤

幻像目標(biāo)抑制

目標(biāo)定位:適應(yīng)不同的應(yīng)用需求,在三維空間中精確定位多個(gè)目標(biāo)

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PSOC Edge“火箭飛船著陸器”

PSOC Edge“火箭飛船著陸器”演示展示了使用PSOC Edge MCU構(gòu)建的有趣互動(dòng)游戲。該演示提供了一種街機(jī)游戲體驗(yàn),游戲圖形顯示在一個(gè)10英寸的顯示屏上,玩家可以用手勢(shì)來(lái)控制下降的火箭,使其遠(yuǎn)離障礙物并安全著陸。

電動(dòng)交通和出行區(qū)域

使用英飛凌第二代HybridPACK Drive

碳化硅功率模塊電機(jī)控制

電機(jī)控制器英飛凌系統(tǒng)解決方案

英飛凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊

英飛凌功能安全電源芯片,AURIX單片機(jī), EiceDRIVER Gen3, Swoboda無(wú)磁芯相電流傳感器,CAN通信接口

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可回流焊分立器件并聯(lián)三相全橋解決方案

車規(guī)級(jí)可回流焊版本TO247 PLUS 4PIN 封裝IGBT ;

型號(hào)AIKYX120/160/200N75CP2 ;

750V EDT2汽車級(jí)芯片,易并聯(lián) ;

優(yōu)化熱阻低至Rth=0.35K/W;

多管并聯(lián)三相全橋結(jié)構(gòu),靈活配置;

輸出功率可兼容30kW~180kW

HybridPACK Drive 產(chǎn)品系列

英飛凌HybridPACK功率模塊家族產(chǎn)品;

相同封裝滿足不同耐壓及不同功率等級(jí)需求;

降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本

車載充電器應(yīng)用-英飛凌分立器件產(chǎn)品系列

英飛凌 功率家族分立器件產(chǎn)品;

相同封裝滿足不同耐壓及不同功率等級(jí)需求;

降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本

10kW氮化鎵充電機(jī)

系統(tǒng)性能:

超高功率密度:10kW/L;

超高效率:96%;

超寬電池電壓范圍:250V…1000Vdc

電路拓?fù)洌?/strong>

PFC級(jí):3-Φ維也納整流器;500kHz工作頻率;

DC/DC級(jí):4個(gè)DAB級(jí)聯(lián);工作頻率高達(dá)270kHz;

功率器件:

CoolGaN HEMT: IGOT60R070D1

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