0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

基本半導體碳化硅MOSFET通過車規(guī)級認證,為汽車電子注入新動力

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-06-26 17:58 ? 次閱讀

近日,中國半導體行業(yè)的佼佼者——基本半導體公司,再次在科技領域邁出堅實步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過了AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證,這一重要認證不僅標志著該產(chǎn)品在性能與可靠性上達到了汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴苛要求,也進一步擴大了基本半導體在車規(guī)級碳化硅功率器件領域的市場影響力。

AEC-Q101認證是汽車電子行業(yè)公認的權威認證標準,要求被認證產(chǎn)品必須能在高溫、高濕、振動等極端條件下保持穩(wěn)定可靠的性能。AB2M080120H碳化硅MOSFET能夠成功通過這一認證,充分展現(xiàn)了其在復雜環(huán)境下的出色表現(xiàn)。

據(jù)悉,AB2M080120H是基于基本半導體第二代碳化硅MOSFET技術平臺研發(fā)的。該產(chǎn)品擁有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗等顯著特點,使得它能夠在車載OBC(車載充電器)、車載DCDC(直流轉換器)及汽車空調壓縮機等關鍵領域發(fā)揮重要作用。

在汽車電子領域,高功率密度、高能效、高可靠性是產(chǎn)品設計的核心追求。AB2M080120H碳化硅MOSFET正是基于這些需求而研發(fā)的。它憑借卓越的性能和可靠性,為汽車行業(yè)帶來了更加高效、可靠的電力控制解決方案。

隨著新能源汽車市場的迅猛發(fā)展,對汽車電子元器件的要求也日益提高。碳化硅MOSFET作為一種高性能的電力控制器件,正逐漸成為新能源汽車中的關鍵組成部分。基本半導體此次推出的AB2M080120H碳化硅MOSFET,不僅滿足了行業(yè)對高功率密度、高能效、高可靠性的需求,也進一步提升了公司在碳化硅功率器件領域的市場競爭力。

基本半導體作為一家專注于半導體技術研發(fā)的公司,一直致力于推動中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。此次AB2M080120H碳化硅MOSFET通過AEC-Q101認證,不僅是對公司技術實力的認可,也是對中國半導體產(chǎn)業(yè)的一次重要推動。

展望未來,基本半導體將繼續(xù)加大研發(fā)投入,不斷推出更加先進、可靠的半導體產(chǎn)品,為新能源汽車、智能電網(wǎng)等領域的發(fā)展提供更加堅實的支持。同時,公司也將積極與國際同行合作,共同推動全球半導體產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    147

    文章

    7164

    瀏覽量

    213287
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2762

    瀏覽量

    49054
  • 基本半導體
    +關注

    關注

    2

    文章

    73

    瀏覽量

    10159
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    ,化學式SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。它具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導率、高抗輻射能力等特點,這些
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?359次閱讀

    納微半導體第三代快速碳化硅獲AEC Q101規(guī)認證

    納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合規(guī)認證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:08 ?414次閱讀

    基本半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101規(guī)認證

    近日,基本半導體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:20 ?593次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>通過</b>AEC-Q101<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>認證</b>

    基本半導體汽車碳化硅功率模塊產(chǎn)品亮相TMC 2024

    7月4-5日,由中國汽車工程學會主辦的第十六屆汽車動力系統(tǒng)技術年會(TMC 2024)在青島盛大舉行?;?b class='flag-5'>半導體攜旗下全系汽車
    的頭像 發(fā)表于 07-08 15:40 ?542次閱讀

    瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過規(guī)可靠性測試認證

    認證;同時,瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn),后續(xù)將依托浙江義烏的規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 06-24 09:13 ?813次閱讀
    瞻芯<b class='flag-5'>電子</b>第三代1200V 13.5mΩ SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>通過</b><b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b>可靠性測試<b class='flag-5'>認證</b>

    基本半導體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

    產(chǎn)品,吸引逾50萬專業(yè)觀眾參與。 基本半導體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 06-15 09:20 ?811次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>攜多款<b class='flag-5'>碳化硅</b>新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

    意法半導體與吉利汽車深化碳化硅器件合作

    近日,汽車電子領域的佼佼者意法半導體(簡稱ST)與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團宣布
    的頭像 發(fā)表于 06-04 14:30 ?697次閱讀

    Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?940次閱讀

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲?b class='flag-5'>為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料??芍貜偷姆蔷€性特性。耐高壓?;旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
    發(fā)表于 03-08 08:37

    瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲規(guī)認證

    在科技不斷進步和新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅速崛起的當下,高效、穩(wěn)定且符合規(guī)標準的電子元器件成為市場的迫切需求。上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“瞻芯
    的頭像 發(fā)表于 03-07 09:37 ?1186次閱讀

    一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優(yōu)勢

    共讀好書 碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 18:24 ?1418次閱讀
    一文了解SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的應用及性能優(yōu)勢

    SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:18 ?1092次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的應用及性能優(yōu)勢

    推動SiCMOSFET國產(chǎn)化,華秋-電子發(fā)燒友獲“芯塔電子”優(yōu)秀媒體合作伙伴獎

    SiCMOSFET大規(guī)模被應用在新能源汽車上。 芯塔電子,一直以科技創(chuàng)新動力,推動碳化硅(SiC)功率器件的研發(fā)與應用,是國內少數(shù)幾家獲得
    發(fā)表于 01-19 14:55

    推動SiCMOSFET國產(chǎn)化,華秋獲“芯塔電子”優(yōu)秀媒體合作伙伴獎

    SiCMOSFET大規(guī)模被應用在新能源汽車上。 芯塔電子,一直以科技創(chuàng)新動力,推動碳化硅(SiC)功率器件的研發(fā)與應用,是國內少數(shù)幾家獲得
    發(fā)表于 01-19 14:53

    碳化硅特色工藝模塊簡介

    碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?867次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝模塊簡介