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功率器件IGBT及國內(nèi)外IGBT企業(yè)

向欣電子 ? 2024-05-16 08:09 ? 次閱讀

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

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GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;(因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)))MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。(因?yàn)镸OS管有Rds,如果Ids比較大,就會導(dǎo)致Vds很大)IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT最主要的作用就是把高壓直流變?yōu)榻涣?,以及變頻。(所以用在電動車上比較多)

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IGBT的應(yīng)用

IGBT最主要的作用就是高壓直流轉(zhuǎn)交流,以及變頻,在新能源汽車,智能電網(wǎng)和軌道交通等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。

1、新能源汽車
IGBT是電動汽車及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件,在電動汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,主要作用于電動車汽車的充電樁、電動控制系統(tǒng)以及車載空調(diào)控制系統(tǒng)。
(1)電動控制系統(tǒng)
作用于大功率直流/交流(DC/AC)逆變后汽車電機(jī)的驅(qū)動;
(2)車載空調(diào)控制系統(tǒng)
作用于小功率直流/交流(DC/AC)的逆變;
(3)充電樁
智能充電樁中被作為開關(guān)元件使用;

2、智能電網(wǎng)
智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端均需使用IGBT。
(1)發(fā)電端
風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需使用IGBT。
(2)輸電端
特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需大量使用IGBT。
(3)變電端
IGBT是電力電子變壓器的關(guān)鍵器件。
(4)用電端
家用白電、 微波爐、LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求。

3、軌道交通

眾所周知,交流傳動技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的核心技術(shù)之一,在交流傳動系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件,而IGBT又是牽引變流器最核心的器件之一,可以說該器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。

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國內(nèi)外IGBT企業(yè)

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公司名稱所在地城市產(chǎn)品類型
Infineon Technologies AG德國紐必堡IGBT分立器件和模塊、MOSFET、MCU
博世德國斯圖加特SIC、sensor
賽米控-丹弗斯(合并)德國IGBT、MOSFET模塊、碳化硅、二極管
威科電子Vincotech德國電子功率模塊;IGBT、PIM模塊、六管模塊、半橋模塊
株式會社KEC韓國IGBT芯片、MOSFET
onsemi安森美美國IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器、高性能光電耦合器、光晶體管管光電耦合器、紅外線、TRIAC驅(qū)動光電耦合器;高能效連接、傳感、電源管理、分立及定制器件
Littelfuse美國IGBT模塊
富士電機(jī)日本IGBT模塊、分立IGBT、IGBT(EV HEV)
三菱電機(jī)日本IGBT模塊;S系列(第6代IGBT)、T/T1系列(第7代IGBT)
京瓷日本IGBT模塊,通用逆變器、變頻空調(diào)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)及混合動力車功率模塊產(chǎn)品
電裝日本IGBT模塊
日立功率半導(dǎo)體公司日本高壓IGBT / SiC、SiC MOSFET、高級溝槽HiGT - sLiPT
瑞薩電子日本LCD驅(qū)動器集成電路、智能卡微控制器、射頻集成電路(RF-IC)、大功率放大器、混合信號集成電路、系統(tǒng)級芯片(SoC)、系統(tǒng)級封裝(SiP)等產(chǎn)品
安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司安徽蕪湖市碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體,芯片到封裝
合肥中恒微半導(dǎo)體有限公司安徽合肥國產(chǎn)功率半導(dǎo)體(IGBT,SiC)模塊
安徽瑞迪微電子有限公司安徽蕪湖IGBT/FRD以及碳化硅MOS/SBD芯片
阿基米德半導(dǎo)體(合肥)有限公司安徽合肥營新能源汽車及光伏儲能充電用分立器件及模塊
泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司北京北京碳化硅功率器件
北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司北京北京氮化鎵功率器件及集成產(chǎn)品、碳化硅晶圓片及模塊
西人馬聯(lián)合測控有限公司(芯片)福建廈門MEMS芯片、數(shù)字芯片、DMD及功率器件
廈門中能微電子有限公司福建廈門VDMOS、超結(jié)MOS、SGT、Trench-FS IGBT單管及模組、FRED、碳化硅以及氮化鎵三代半系列產(chǎn)品等
比亞迪半導(dǎo)體有限公司廣東惠州產(chǎn)品涵蓋MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等
深圳愛仕特科技有限公司廣東深圳車規(guī)級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動器
深圳尚陽通科技有限公司(Fabless)廣東深圳功率器件半導(dǎo)體產(chǎn)品;IGBT、SnowMOS、TTMOS、SiC系列產(chǎn)品
深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司廣東深圳產(chǎn)品線包括分立器件(Discrete)、智能功率模塊(IPM)以及標(biāo)準(zhǔn)功率模塊(PIM)
深圳市芯威能半導(dǎo)體有限公司廣東深圳IGBT芯片、IGBT模塊
廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司廣東廣州IGBT/SiC功率模塊及離散式組件Discrete;車規(guī)級功率模塊、工業(yè)級功率模塊和分立器件等
深圳方正微電子有限公司(SIC)廣東深圳6寸SiC器件;功率分立器件(如DMOS、IGBT、SBD和FRD)和功率集成電路(如BiCMOS、BCD和HV CMOS)等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)
深圳市依思普林科技有限公司廣東深圳IGBT模塊(車規(guī)級)、獨(dú)立電機(jī)控制器、動力總成系統(tǒng)
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中微半導(dǎo)體(深圳)股份有限公司(芯片設(shè)計)廣東深圳IGBT、MOSFET、電機(jī)驅(qū)動、柵極驅(qū)動
廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司廣東佛山主要產(chǎn)品包括高壓集成電路(HVIC)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、功率場效應(yīng)晶體管(PowerMOS)、微控制單元(MCU)、傳感器(Sensor)及其集成化
基本半導(dǎo)體廣東深圳SIC模塊
深華穎半導(dǎo)體(深圳)有限公司廣東深圳功率器件,
北一半導(dǎo)體科技(廣東)有限公司廣東深圳主要經(jīng)營功率半導(dǎo)體元器件,包括IGBT、PIM / IPM等產(chǎn)品
廣汽零部件(廣州)產(chǎn)業(yè)園有限公司廣東廣州IGBT封測
安建科技(深圳)有限公司(JSAB Technologies Limited)廣東深圳低電壓的SGT-MOSFET(分裂柵金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)、高電壓的SJ-MOSFET(超結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)、Field Stop Trench IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
東莞森邁蘭電子科技有限公司(SIC)廣東東莞功率半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體模塊、新能源汽車逆變器、太陽能發(fā)電逆變器、風(fēng)力發(fā)電逆變器、軌道交通逆變器變換器的核心組件
深圳市海思邁科技有限公司廣東深圳IGBT/MOSFET隔離驅(qū)動模塊
智新半導(dǎo)體有限公司(IGBT+SIC)湖北武漢IGBT模塊
湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司湖北襄陽大功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導(dǎo)體模塊、固態(tài)脈沖功率開關(guān)等功率半導(dǎo)體器件
武漢騏鴻科技有限公司湖北武漢SIC模塊
株洲中車時代電氣股份有限公司湖南株洲IGBT及FRD模塊,SiC芯片及器件
長沙瑤華半導(dǎo)體科技有限公司湖南長沙IGBT模組
吉林華微電子股份有限公司吉林吉林功率半導(dǎo)體器件及IC,包括IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等系列產(chǎn)品
江蘇長電科技股份有限公司江蘇江陰市碳化硅(SiC)功率模塊
南京銀茂微電子制造有限公司江蘇南京功率IGBT和MOSFET模塊產(chǎn)品
蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司江蘇蘇州IGBT芯片
江蘇宏微科技股份有限公司江蘇常州IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊
蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司江蘇蘇州IGBT、MOSFET、SiC
無錫利普思半導(dǎo)體有限公司江蘇無錫主要產(chǎn)品包括新能源汽車和工業(yè)用的高可靠性SiC和IGBT模塊
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江蘇索力德普半導(dǎo)體科技有限公司江蘇無錫Super Junction、IGBT、FRD、SGTMOS、SiC功率器件等芯片產(chǎn)品及技術(shù)開發(fā)、IGBT模塊設(shè)計、封測和應(yīng)用方案
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江蘇麗雋功率半導(dǎo)體有限公司(無錫)江蘇無錫產(chǎn)品系列VDMOS、TRENCH/SGT MOS、COOLMOS、IGBT、FRD、Gate Driver IC、PWM IC、高頻器件等
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德興市意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司(代工)江西德興多款I(lǐng)GBT及配套的FRD產(chǎn)品
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青島佳恩半導(dǎo)體有限公司(芯片)山東青島IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件
煙臺臺芯電子科技有限公司山東煙臺34 mm、62 mm、Easy、Econo系列IGBT模塊
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威海新佳電子有限公司山東威海IGBT、MOSFET、FRD、可控硅、整流模塊、固態(tài)繼電器和智能模塊等產(chǎn)品
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芯派科技股份有限公司陜西西安產(chǎn)品包含:中大功率場效應(yīng)管(MOSFET,低壓至高壓全系列產(chǎn)品)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、二極管(含快速恢復(fù)二極管及肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC等
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    IGBT模塊關(guān)斷截止時,I(t)≈0,損耗的功率可忽略。為了便于分析,將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
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    <b class='flag-5'>IGBT</b>模塊的<b class='flag-5'>功率</b>損耗詳解

    IGBT器件失效模式的影響分析

    功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中,IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化,失效模式可能存在 多個影響因素,如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。
    發(fā)表于 04-18 11:21 ?988次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>器件</b>失效模式的影響分析

    STM32國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀

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    IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

    IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:41 ?1812次閱讀
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    什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

    什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象? IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和
    的頭像 發(fā)表于 02-19 14:33 ?4585次閱讀

    igbt屬于什么器件 igbt模塊的作用和功能

     IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性。
    的頭像 發(fā)表于 02-06 10:47 ?6984次閱讀

    igbt模塊型號及參數(shù) igbt怎么看型號和牌子

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件,它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
    的頭像 發(fā)表于 01-18 17:31 ?6340次閱讀