韓國創(chuàng)新型相變存儲器結合DRAM和NAND優(yōu)點
近期，韓國科技先進研究院成功研發(fā)出一種新型相變存儲器（PCM），該技術可根據(jù)需求靈活執(zhí)行結晶（低電阻）或非晶體（高電阻）的切換，使其既具備DRAM高速且易丟失數(shù)據(jù)的特點，又具NAND閃存的掉電保護功能，堪稱兩者優(yōu)點集大成者。
然而，盡管PCM技術兼具速度與非易失性兩個優(yōu)點，但由于制造工藝復雜且成本較高，同時還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài)，導致生產過程耗電量巨大。
針對此問題，Shinhyun Choi教授領導的科研團隊創(chuàng)新地提出了另一種解決方案——即僅對直接參與相變過程的組件進行壓縮，以此創(chuàng)造一種名為相變納米絲的全新相變材料。
這種新方法顯著提升了制造成本與降低了能耗，相對于傳統(tǒng)采用高價光刻工具制造的相變存儲器，新式PCM的耗電量僅為原來的1/15。此外，新型相變存儲器仍保留了傳統(tǒng)存儲器的諸多優(yōu)良特性，如速度快、ON/OFF比大、變化小以及多級存儲特性等。
Choi教授表示，他們預期這項研究成果將成為未來電子工程領域的重要基石，有望廣泛應用于高密度3D垂直存儲器、神經形態(tài)計算系統(tǒng)、邊緣處理器及內存計算系統(tǒng)等領域。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
PCM
+關注
關注
1文章
195瀏覽量
53227 -
DRAM
+關注
關注
40文章
2315瀏覽量
183489 -
存儲器
+關注
關注
38文章
7492瀏覽量
163834
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
鎧俠將開發(fā)新型CXL接口存儲器
近日，鎧俠公司宣布其“創(chuàng)新型存儲制造技術開發(fā)”提案已被日本新能源?產業(yè)技術綜合開發(fā)機構（NEDO）的“加強后5G信息和通信系統(tǒng)基礎設施研究開發(fā)項目/先進半導體制造技術開發(fā)”計劃采納。這一消息標志著鎧俠在新型
一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲器的區(qū)別
模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。 NAND Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如閃存盤、固態(tài)
DRAM存儲器的特性有哪些
DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動態(tài)隨機存儲器，是一種半導體存儲器，用于計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲。它由許多存
DRAM存儲器的基本單元
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的內存組件。其基本單元的設計簡潔而高效，主要由一個晶體管（MOSFET）和一個電容組成，這一組合使得DRAM能
NAND Flash與其他類型存儲器的區(qū)別
NAND Flash作為一種基于NAND技術的非易失性存儲器，具有多個顯著優(yōu)點，這些優(yōu)點使其在數(shù)據(jù)存儲
ram存儲器和rom存儲器的區(qū)別是什么
非易失性存儲器，主要用于存儲固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲方式： RAM存儲器使用動態(tài)存儲器（DR
飛凌嵌入式-ELFBOARD 硬件分享之-存儲器及其分類
存儲器整理
關于存儲器有很多種類，我們平時可以經?？吹?
這些儲存器可以分為兩類：RAM和ROM
先說ROM，我們一般把電腦或者手機的硬盤當做ROM，ROM的全稱是Read Only Memory
發(fā)表于 07-30 10:06
三星和鎧俠持續(xù)加大對NAND Flash技術的投入與創(chuàng)新
AI技術的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動著存儲器產業(yè)的飛躍，其中，海量數(shù)據(jù)的激增對存儲容量與性能提出了更高要求，使得NAND Flash技術的重要性日益凸顯。在此背景下，全球存儲巨頭如
什么是相變存儲器？如何表征相變材料及器件電學性能？
相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(
發(fā)表于 04-27 06:35
?1045次閱讀
韓國研究團隊開發(fā)新型超低功耗存儲設備
DRAM是最常用的存儲器之一，速度非常快，但具有易失性特性，當電源關閉時，數(shù)據(jù)會消失。NAND閃存是一種存儲設備，讀/寫速度相對較慢，但它具有非易失性特性，即使在電源被切斷時也能保存數(shù)
發(fā)表于 04-08 11:07
?340次閱讀
羅徹斯特攜手Intelligent Memory提供傳統(tǒng)DRAM和NAND存儲解決方案
羅徹斯特電子與Intelligent Memory攜手合作，確保為工業(yè)應用和嵌入式應用提供傳統(tǒng)和成熟的DRAM和NAND存儲解決方案。
NAND存儲種類和優(yōu)勢
非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為
發(fā)表于 03-22 10:54
?881次閱讀
DRAM存儲器為什么要刷新
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
發(fā)表于 02-19 10:56
?3107次閱讀
三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲器
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內存技術的發(fā)展。
工商網監(jiān)
評論