0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

芯聞速遞 | 英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列;Ekkono簡化AURIX?系列嵌入式AI過程

江師大電信小希 ? 來源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2024-04-19 14:45 ? 次閱讀

英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC? MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用(包括電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等)和汽車領(lǐng)域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉(zhuǎn)換器等)。

CoolSiC? MOSFET 750V QDPAK

CoolSiC? MOSFET 750 V G1技術(shù)的特點是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss優(yōu)值(FOM),在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中均具有超高的效率。其獨特的高閾值電壓(VGS(th),典型值為4.3 V)與低QGD/QGS比率組合具有對寄生導通的高度穩(wěn)健性并且實現(xiàn)了單極柵極驅(qū)動,不僅提高了功率密度,還降低了系統(tǒng)成本。所有半導體器件均采用英飛凌的自主芯片連接技術(shù),在同等裸片尺寸的情況下賦予芯片出色的熱阻。高度可靠的柵極氧化層設(shè)計加上英飛凌的認證標準保證了長期穩(wěn)定的性能。

全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列在25°C時的RDS(on)為8至140 mΩ,可滿足廣泛的需求。其在設(shè)計上具有較低的傳導和開關(guān)損耗,大幅提升了整體系統(tǒng)效率。創(chuàng)新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱并優(yōu)化電路內(nèi)功率環(huán)路電感,在實現(xiàn)高功率密度的同時降低了系統(tǒng)成本。值得一提的是,該產(chǎn)品系列采用了先進的QDPAK頂部冷卻封裝。

供貨情況

適用于汽車應用的CoolSiC? MOSFET 750 V G1采用 QDPAK TSC、D2PAK-7L 和 TO-247-4 封裝;適用于工業(yè)應用的CoolSiC? MOSFET 750 V G1采用QDPAK TSC和TO-247-4封裝。

Ekkono邊緣機器學習簡化了在英飛凌AURIX? TC3x和TC4x上為汽車應用部署AI的過程

不同汽車的獨特性給汽車零部件供應商和OEM廠商等帶來了挑戰(zhàn),因為每輛車的駕駛方式、駕駛地點、駕駛者、設(shè)計、用途以及道路和交通狀況都是獨一無二的。為保證每輛汽車都能正常運行并達到出色運行狀態(tài),需要掌握并管理汽車及其狀況。英飛凌科技AURIX? 微控制器MCU)系列所提供的先進實時計算硬件適用于安全關(guān)鍵型汽車應用中的嵌入式AI等用例。為了充分利用這些強大的功能,英飛凌生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴Ekkono Solutions推出了一款簡單易用且快速有效的軟件開發(fā)套件(SDK)為基于AURIX? TC3x和TC4x的嵌入式系統(tǒng)創(chuàng)建AI算法。

英飛凌AURIX? TC4x

Ekkono首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Rikard K?nig 表示:“我們從2019 年開始成為英飛凌生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴?,F(xiàn)在,我們擁有了一個能夠滿足汽車行業(yè)需求的成熟解決方案。英飛凌是汽車高性能MCU領(lǐng)域的領(lǐng)導者之一,我們非常榮幸能與英飛凌在這個市場攜手并進?!?/p>

英飛凌科技汽車微控制器高級副總裁Thomas Boehm表示:人工智能正在興起。這項技術(shù)無疑將在未來的交通解決方案中發(fā)揮重要作用。英飛凌最新的AURIX?微控制器為客戶項目提供各種AI功能。因此,我們十分高興能和Ekkono攜手進一步簡化基于AI的汽車應用的開發(fā)工作。我們相信這些應用不僅能帶來便利,還能加強道路安全保障。”

Ekkono Solutions AB可在邊緣(即車輛啟動時和運行期間)執(zhí)行單獨的增量學習。這使虛擬傳感器能夠增強或取代用于氣候控制、電池管理和排放的物理傳感器;使健康指示器能夠檢測變速器、齒輪箱和制動系統(tǒng)的偏差,實現(xiàn)視情維護;以及通過模擬確定每輛汽車最佳傳動系統(tǒng)的設(shè)置。這讓每個部件和每輛汽車都變得更佳、更可靠、更節(jié)能。

為滿足汽車市場的需求,Ekkono 已根據(jù)英飛凌的 AURIX?內(nèi)核和加速器調(diào)整其 SDK。開發(fā)者無需在硬件層面做出任何進一步調(diào)整,即可使用 AURIX? TC3x 和 TC4x 的先進功能訓練和生成AI算法,尤其適用于安全關(guān)鍵型汽車應用。這種嵌入式人工智能使汽車能夠感知情境,“理解”其所處環(huán)境以及駕駛員的需求,這是實現(xiàn)自動駕駛等未來應用的關(guān)鍵條件。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    2188

    瀏覽量

    138716
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    455

    文章

    50812

    瀏覽量

    423576
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    126

    文章

    7901

    瀏覽量

    142951
  • AI
    AI
    +關(guān)注

    關(guān)注

    87

    文章

    30887

    瀏覽量

    269065
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2,提高系統(tǒng)功率密度

    程度地利用PCB主板和子卡,同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前, 英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個全新產(chǎn)品系列,擴展其 CoolSiC MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 09-07 10:02 ?1189次閱讀

    英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

    英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:50 ?534次閱讀

    貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

    2024 年 7 月 24 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G
    發(fā)表于 07-25 16:14 ?652次閱讀

    英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列, 適用于高成本效益的先進電源應用

    產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、
    發(fā)表于 06-26 18:12 ?499次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出<b class='flag-5'>全新</b>600 <b class='flag-5'>V</b> CoolMOS? 8 SJ <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>系列</b>, 適用于高成本效益的先進電源應用

    英飛凌Ekkono簡化AURIX?系列嵌入式AI過程

    英飛凌科技近日推出750V G1分立CoolSiC? MOSFET,以滿足工業(yè)和汽車功率應用對
    的頭像 發(fā)表于 05-31 15:29 ?230次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>Ekkono</b><b class='flag-5'>簡化</b><b class='flag-5'>AURIX</b>?<b class='flag-5'>系列</b><b class='flag-5'>嵌入式</b><b class='flag-5'>AI</b><b class='flag-5'>過程</b>

    英飛凌推出全新CoolSiC? 400V MOSFET系列,滿足AI服務(wù)器需求

    擴展至400V領(lǐng)域,并推出了全新CoolSiC?400VMOSFET系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅滿足了AI
    的頭像 發(fā)表于 05-29 11:36 ?792次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出<b class='flag-5'>全新</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 400<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>系列</b>,滿足<b class='flag-5'>AI</b>服務(wù)器需求

    英飛凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000
    的頭像 發(fā)表于 05-24 10:13 ?994次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的<b class='flag-5'>全新</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 2000<b class='flag-5'>V</b>

    英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)

    靠性。在碳化硅材料中,垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)
    發(fā)表于 05-16 09:54 ?629次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>G</b>2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)

    西安紫光國推出全新SSD產(chǎn)品系列

    西安紫光國UniIC近日推出了全新的SSD產(chǎn)品系列,這一系列共包含四款SSD產(chǎn)品,分別是面向行業(yè)的高端型號「CTD700」、「BTD300
    的頭像 發(fā)表于 05-06 16:17 ?664次閱讀

    英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品

    隨著英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品,電機驅(qū)動應用領(lǐng)域得到了顯著的推進。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 11:08 ?630次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>技術(shù)公司推出<b class='flag-5'>全新</b>的OptiMOS? 6 200 <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>系列產(chǎn)品</b>

    英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列產(chǎn)品特點

    CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),Co
    的頭像 發(fā)表于 03-22 14:08 ?600次閱讀

    英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

    英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導體公司,近日推出了全新CoolSiC? 2000V SiC MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 03-20 10:27 ?826次閱讀

    全面提升!英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù),據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 03-19 18:13 ?3008次閱讀
    全面提升!<b class='flag-5'>英飛凌</b>推出新一代碳化硅技術(shù)<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>G</b>2

    英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

    英飛凌最近發(fā)布了全新750VG1分立CoolSiC?MOSFET,滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣?/div>
    的頭像 發(fā)表于 03-15 16:31 ?622次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>全新</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>750</b> <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G1</b><b class='flag-5'>產(chǎn)品系列</b>推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

    英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

    英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款
    的頭像 發(fā)表于 02-01 10:51 ?869次閱讀