SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4，引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

據(jù)報道，韓國SK海力士公司今天宣布，已與全球知名芯片制造商臺灣積體電路股份有限公司達(dá)成共識，未來將緊密合作研發(fā)面向下一代人工智能應(yīng)用的高密度內(nèi)存HBM4，預(yù)計將于2026年正式投放市場。

SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源，SK海力士將進(jìn)一步提升存儲器產(chǎn)品性能，實現(xiàn)新的突破。

此次合作的重點在于優(yōu)化HBM封裝內(nèi)最底層的基礎(chǔ)裸片性能。HBM由多個DRAM裸片堆疊在基礎(chǔ)裸片之上，再通過TSV技術(shù)進(jìn)行垂直連接?；A(chǔ)裸片同時連接到GPU，負(fù)責(zé)對HBM進(jìn)行控制。

SK海力士過去的HBM產(chǎn)品如HBM3E均采用自家制程工藝制造基礎(chǔ)裸片，然而從HBM4起，公司計劃轉(zhuǎn)向使用臺積電的先進(jìn)邏輯工藝。超精細(xì)工藝的基礎(chǔ)裸片可帶來更多功能，從而使公司能夠生產(chǎn)出性能和效率更為出色的定制化HBM產(chǎn)品。

此外，雙方還將共同優(yōu)化SK海力士的HBM產(chǎn)品與臺積電的CoWoS技術(shù)相結(jié)合，以滿足HBM相關(guān)客戶的需求。

CoWoS是臺積電獨特的制程工藝，通過在特殊基板上搭載并連接GPU、xPU等邏輯芯片和HBM，形成2.5D封裝技術(shù)。

SK海力士AI Infra社長金柱善表示，與臺積電的深度合作不僅有助于推出性能卓越的HBM4，還將推動與全球客戶的開放式合作。未來，公司將致力于提升客戶定制化存儲器平臺的競爭力，鞏固其在“面向AI的存儲器全方位供應(yīng)商”中的地位。

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)和海外營運辦公室資深副總經(jīng)理暨副共同營運長張曉強(qiáng)表示，臺積電與SK海力士長期以來保持著穩(wěn)定的合作伙伴關(guān)系。借助最新一代的邏輯工藝和HBM產(chǎn)品，兩家公司有望為市場提供領(lǐng)先的AI解決方案。展望未來，他們期待通過緊密合作，為共同客戶提供最佳整合產(chǎn)品，助力AI創(chuàng)新。