SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日，SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作，計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項(xiàng)合作中，臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確?；A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測(cè)試和HBM的堆疊工作，確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
此次合作體現(xiàn)了半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作趨勢(shì)。臺(tái)積電憑借其在7nm制程技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)，將助力SK海力士打造更高性能的HBM產(chǎn)品。業(yè)界預(yù)測(cè)，SK海力士將通過臺(tái)積電的先進(jìn)制程技術(shù)，制造出更先進(jìn)的HBM4基片，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域日益增長的需求。
這一合作不僅有助于提升雙方的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭力，還將為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入新的活力。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5741瀏覽量
169098 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
991瀏覽量
39374 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
408瀏覽量
15138
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測(cè)試已經(jīng)正式啟動(dòng)，為明年初的
SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)與量產(chǎn)部門
韓國存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士于近日宣布，為鞏固其在人工智能(AI)內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，公司決定在年度組織調(diào)整中新增兩個(gè)專門部門，專注于下一代AI芯片的開發(fā)與量產(chǎn)。 據(jù)悉，這兩個(gè)新部門將由
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會(huì)上，韓國存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一
英偉達(dá)加速Rubin平臺(tái)AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲(chǔ)器
日，英偉達(dá)（NVIDIA）的主要高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源透露，英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個(gè)月交付用于英偉達(dá)下
英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求
近日，韓國SK集團(tuán)會(huì)長透露了一項(xiàng)重要信息，即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望
英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲(chǔ)巨頭競(jìng)爭加劇
韓國大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能
SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存
自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進(jìn)一步的是，公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑，正式
SK海力士攜手臺(tái)積電，N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新
SK海力士與Amkor攜手推進(jìn)硅中介層合作，強(qiáng)化HBM市場(chǎng)競(jìng)爭力
）合作展開深入?yún)f(xié)商。這一合作旨在通過整合雙方優(yōu)勢(shì)資源，進(jìn)一步提升SK海力士在高性能內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的市場(chǎng)競(jìng)爭力。
SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù)，引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存（HBM）的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息，
英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士攜手，2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存，能效顯著提升
科技行業(yè)持續(xù)向AI時(shí)代邁進(jìn)的浪潮中，英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項(xiàng)重大合作，旨在通
三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù)
在半導(dǎo)體技術(shù)的浩瀚星空中，三星電子與SK海力士正攜手點(diǎn)亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）晶圓工藝技術(shù)的重大革新。據(jù)韓媒最新報(bào)道，這兩
臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子，斬獲SK海力士HBM4芯片大單
在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭中，臺(tái)積電再次憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，攜手旗下子公司創(chuàng)意電子，成功斬獲了SK
臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子斬獲HBM4關(guān)鍵界面芯片大單
在科技浪潮的涌動(dòng)下，臺(tái)積電再次展現(xiàn)其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》6月24日?qǐng)?bào)道，繼獨(dú)家代工英偉達(dá)、AMD等科技巨頭AI芯片之后，臺(tái)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論