意法半導(dǎo)體攜手三星打造創(chuàng)新突破，推出18納米高性能微控制器(MCU)

近日，意法半導(dǎo)體公司宣布，將推出一種基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)的新進工藝，這一技術(shù)還配備了嵌入式相變存儲器(ePCM)，意在為下一代嵌入式處理設(shè)備提供強大支持。該技術(shù)是意法半導(dǎo)體與三星代工廠合作研發(fā)的成果，它將大幅提升嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗效率，同時還能實現(xiàn)更大的內(nèi)存容量和更高水平的模擬與數(shù)字外設(shè)集成。

意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品部總裁Remi El-Ouazzane表示，意法半導(dǎo)體一直走在半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新的前列，特別是在為汽車和航空航天應(yīng)用提供FDSOI和PCM技術(shù)方面。現(xiàn)在，他們準備邁出下一步，從下一代STM32微控制器開始，把這些技術(shù)的優(yōu)勢帶給工業(yè)應(yīng)用的開發(fā)者們。

與目前采用的ST 40nm嵌入式非易失性存儲器(eNVM)技術(shù)相比，新的18nm FD-SOI技術(shù)搭載ePCM，將在以下方面實現(xiàn)顯著提升：

1.功耗比提高超過50%;

2.非易失性存儲器(NVM)密度提高2.5倍，能實現(xiàn)更大的片上存儲；

3.密度提升三倍，可集成人工智能和圖形加速器等數(shù)字外設(shè)，以及最先進的安全功能；

4.無線MCU的射頻性能得到3dB的系數(shù)改善。

此外，這項技術(shù)還能夠在3V電壓下運行，支持電源管理、復(fù)位系統(tǒng)、時鐘源和數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器等模擬功能，是目前20納米以下唯一能支持此功能的技術(shù)。它還憑借強大的高溫操作、輻射硬化和數(shù)據(jù)保留功能，在汽車應(yīng)用中已獲驗證，為工業(yè)應(yīng)用提供了所需的可靠性。

新技術(shù)支持的微控制器將為開發(fā)人員帶來高性能、低功耗和大內(nèi)存容量的無線MCU，以滿足邊緣人工智能處理、多協(xié)議射頻堆棧、無線更新和高級安全功能不斷增長的需求。這將使得當前使用微處理器的開發(fā)人員能夠選擇更高集成度、更具成本效益的微控制器，進一步提升超低功耗設(shè)備的能效。意法半導(dǎo)體的這一新產(chǎn)品組合將進一步鞏固其在行業(yè)中的領(lǐng)先地位。

預(yù)計首款基于新技術(shù)的STM32微控制器樣品將在2024年下半年提供給選定客戶，計劃于2025年下半年開始投入生產(chǎn)。