在所有功率電路中,硅碳(SiC)和氮化鎵(GaN)開關器件是主要使用的組件。盡管它們在操作速度、處理的高電壓、電流和低功耗方面具有優(yōu)越的內(nèi)在特性,但設計師將所有精力都放在了這些器件上,往往忽略了對相關驅(qū)動器的研究和開發(fā)。
一個良好的功率電路不僅由靜態(tài)器件如SiC和GaN MOSFETs組成,還包含了門極驅(qū)動器。這是一個獨立的元素,位于電子開關之前,確保以最佳方式為其提供驅(qū)動能量。實際上,不能僅僅將方波或矩形波直接發(fā)送到器件的門極端子。另一方面,必須適當時序地發(fā)送正確的電位,以確保振蕩適用于各種組件,減少寄生元件,盡可能地取消功率損耗。因此,設計師在進行電路項目設計時,必須從最終負載的角度出發(fā),分析并創(chuàng)造出一款能夠以最優(yōu)化的方式驅(qū)動功率組件的卓越門極驅(qū)動器。
一個非最優(yōu)的驅(qū)動器不僅會導致重大的功率損失,而且不完美的同步往往會導致電路的異常運作,可能會破壞MOSFETs。它們是電壓控制的設備,門極是其控制端子,與設備電氣隔離。必須通過專門的驅(qū)動器在此端子上施加電壓,使MOSFET工作。
MOSFET的門極實際上是一個非線性電容器。在門電容器上施加充電可以將設備置于“開”狀態(tài),允許電流在漏極和源極端子之間流動。相反,該電容器的放電將其置于“關”狀態(tài)。為了使MOSFET工作,在門極和源極之間必須施加高于閾值電壓(VTH),這是電容器充電并且MOSFET開始導電的最小電壓。通常,數(shù)字系統(tǒng)(微控制器,MCU)不足以激活該設備,因此總是需要一個接口,即驅(qū)動器,來在控制邏輯和功率開關之間提供界面。
門極驅(qū)動器的主要功能之一是電平轉(zhuǎn)換器。但是,門電容無法瞬間充電;需要一段時間才能完全充電。在這個時間內(nèi),盡管非常短暫,設備在高電流和電壓下工作,以熱量形式散發(fā)出高功率。不幸的是,這種能量是未使用的,構成了功率損失。因此,為了最大限度地減少開關時間并最小化這種時間損失,需要提供高電流暫態(tài),以快速充電門電容。
市場提供了特殊電路,以最小化這一過渡期。如果驅(qū)動器可以提供更高的門電流,功率損失會因為功率暫態(tài)峰值的縮短而減少。總的來說,門極驅(qū)動器執(zhí)行以下任務:
1.將電壓級別轉(zhuǎn)換,驅(qū)動門電容以滿足電路的預期
2.最小化系統(tǒng)的開關時間
3.提供高電流,以快速充放電門電容
許多設計師犯了一個重大錯誤,通過MCU上的邏輯門直接驅(qū)動MOSFET。一方面,它可以提供正確的電壓來驅(qū)動設備,但MCU的輸出端口不允許高電流通過,僅限于提供幾十毫安的電流。這導致門電容器充電非常慢,在某些情況下這是不可接受的。在許多情況下,直接從MCU驅(qū)動功率MOSFET可能會因過度電流抽取而過熱和損壞控制器。相反,使用適當?shù)拈T極驅(qū)動器,上升和下降時間被最小化,從而實現(xiàn)了效率更高、功率損耗極低的系統(tǒng)。
結論
用于SiC器件的門極驅(qū)動器比傳統(tǒng)的復雜得多,因為它們還具有監(jiān)測和保護功能。顯然,在選擇門極驅(qū)動器時還有許多其他考慮因素。例如,最好檢查驅(qū)動器的絕緣性、定時參數(shù)和抗噪聲性能等。最近,許多公司還采取了對新可配置驅(qū)動器的數(shù)字化方法。這樣設計師就可以編程操作模式以控制電壓水平和相應的工作時間。實踐中,這些是能夠控制任何電氣行為而無需物理修改電路的可編程MCU。門極驅(qū)動器是也是科技的瑰寶,設計師應該投入所有必要的時間和資金進行研發(fā)。
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