EV集團將層轉移技術引入大批量制造

來源：Silicon Semiconductor

紅外激光切割技術能夠以納米精度從硅襯底上進行超薄層轉移，徹底改變了先進封裝和晶體管縮放的3D集成。

EV集團（EVG）推出了EVG?850 NanoCleave? 層釋放系統(tǒng)，這是第一個采用EVG革命性NanoCleave技術的產品平臺。EVG850 NanoCleave系統(tǒng)采用紅外(IR)激光，在經過驗證的大批量制造(HVM)平臺上結合專門配制的無機脫模材料，能夠以納米級精度從硅載體襯底上脫模鍵合、沉積或生長的層。因此，EVG850 NanoCleave 消除了對玻璃載體的需求，從而實現了用于先進封裝的超薄小芯片堆疊，以及用于前端處理的超薄3D層堆疊，包括先進邏輯、存儲器和功率器件形成，以實現支持未來的3D集成路線圖。

首個EVG850 NanoCleave系統(tǒng)已安裝在客戶設施中，并且在客戶現場和EVG總部，與客戶和合作伙伴進行近兩打產品演示。

硅載體有利于3D堆疊和后端處理

在3D集成中，玻璃襯底已成為通過與有機粘合劑臨時鍵合來構建器件層的既定方法，使用紫外(UV)波長激光溶解粘合劑并釋放器件層，隨后將器件層永久鍵合到最終產品上晶圓。然而，玻璃襯底很難用主要圍繞硅設計的半導體制造設備進行加工，并且需要昂貴的升級才能進行玻璃襯底加工。此外，有機粘合劑的加工溫度一般限制在300℃以下，限制了其在后端加工中的使用。

使硅載體具有無機脫模層可以避免這些溫度和玻璃載體兼容性問題。此外，紅外激光引發(fā)切割的納米精度允許在不改變記錄工藝的情況下加工極薄的器件晶圓。隨后堆疊如此薄的器件層可實現更高帶寬的互連，并為下一代高性能器件設計和分割芯片提供新的機會。

下一代晶體管節(jié)點需要薄層轉移工藝

此同時，亞3納米節(jié)點的晶體管路線圖需要新的架構和設計創(chuàng)新，例如埋入式電源軌、背面供電網絡、互補場效應晶體管(CFET)和2D原子通道，所有這些都需要極薄材料的層轉移。硅載體和無機脫模層支持前端制造流程的工藝清潔度、材料兼容性和高加工溫度要求。然而，到目前為止，硅載體必須通過研磨、拋光和蝕刻工藝完全去除，這會導致工作器件層表面出現微米范圍的變化，因此該方法不適合先進節(jié)點的薄層堆疊。

“可釋放”熔接

EVG850 NanoCleave利用紅外激光和無機脫模材料，能夠在生產環(huán)境中以納米精度對硅載體進行激光切割。該創(chuàng)新工藝消除了對玻璃襯底和有機粘合劑的需求，從而實現了超薄層轉移和下游工藝的前端工藝兼容性。EVG850 NanoCleave的高溫兼容性（高達1000°C）支持要求最嚴苛的前端處理，而室溫紅外切割步驟可確保器件層和載體襯底的完整性。層轉移工藝還消除了與載體晶圓研磨、拋光和蝕刻相關的昂貴溶劑的需要。

EVG850 NanoCleave與EVG業(yè)界領先的EVG850系列自動臨時鍵合/解鍵合和絕緣體上硅(SOI)鍵合系統(tǒng)基于同一平臺，具有緊湊的設計和經過HVM驗證的晶圓處理系統(tǒng)。

EV集團企業(yè)研發(fā)項目經理Bernd Thallner博士表示：“EVG自40多年前成立以來，公司的愿景始終堅定不移，率先探索新技術，服務下一代微納加工技術應用。最近，3D和異構集成作為新一代半導體器件性能改進的關鍵驅動因素而受到關注。這反過來又使晶圓鍵合成為持續(xù)擴展PPACt（功率、性能、面積、成本和上市時間）的關鍵工藝。借助我們新的EVG850 NanoCleave系統(tǒng)，EVG將臨時鍵合和熔合鍵合的優(yōu)勢融合到一個多功能平臺中，支持我們的客戶在先進封裝和下一代規(guī)模晶體管設計和制造方面擴展其未來路線圖的能力?！?/p>

審核編輯 黃宇