這是一篇長(zhǎng)長(zhǎng)長(zhǎng)長(zhǎng)的純手寫學(xué)習(xí)筆記：模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)入門（1）

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今天聽從一個(gè)模擬集成電路大佬的建議，要把模擬集成電路的理論知識(shí)吃透，放大器是基礎(chǔ)要研究明白，在此之前不需要仿真做模塊啥的，要把基礎(chǔ)先打好！。

模擬設(shè)計(jì)面臨需要有趣和困難的問題，比如：晶體管的缺陷，電源電壓的降低，功耗，電路的復(fù)雜性，PVT的變化等等這些在設(shè)計(jì)前期就了解這些方面對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)的限制會(huì)對(duì)之后設(shè)計(jì)出更加合適的電路有幫助。

CMOS器件尺寸按比例不斷縮小提高了MOS的速度，在過去的60年里MOS晶體管的本質(zhì)速度超過了3個(gè)數(shù)量級(jí)，已經(jīng)可以變得可以和雙極型器件的速度相比較，逐漸占據(jù)模擬集成電路的主導(dǎo)地位。

下面是對(duì)模擬集成電路做的部分基礎(chǔ)性工作的學(xué)習(xí)筆記，如有錯(cuò)誤請(qǐng)批評(píng)指正！

作者|集成電路小剛

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