某碳化硅 SiC 和 氮化鎵 GaN 供應(yīng)商新推出了三款 50V 分立氮化鎵高電子遷移率晶體管 HEMT 芯片, 分別是: 20W, 6GHz 芯片;75W, 6GHz 芯片以及 320W, 4GHz 芯片, 從而使得該系列的產(chǎn)品數(shù)量達(dá)到 5種, 這一系列是目前市場(chǎng)上唯一的商用 50V 裸芯 GaN HEMT 芯片.
Gel-Pak VR 真空釋放盒為 50V GaN HEMT 芯片提供儲(chǔ)存和運(yùn)輸解決方案
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進(jìn)行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定住, 避免在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過程中因?yàn)榕鲎驳仍斐尚酒膿p害.
上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放膠盒, 膠盒表面在網(wǎng)狀材料上使用專有的 Gel 膠或無硅 Vertec? 膠膜將芯片固定在適當(dāng)位置, 通過在托盤底側(cè)施加真空將芯片釋放. Gel-Pak 真空釋放盒適用于大批量器件自動(dòng)拾取和放置應(yīng)用, 特別是超薄芯片.
Gel-Pak VR 真空釋放膠盒特點(diǎn):
適合大多數(shù)的芯片尺寸
適用于手動(dòng)操作 (真空吸筆) 或自動(dòng)拾取設(shè)備 ( Pick &Place 設(shè)備)
適用于運(yùn)輸或處理易碎的器件( 比如減薄的 InP 磷化銦晶圓)
通常應(yīng)用在 2英寸和 4英寸的托盤
可以用來運(yùn)輸晶圓或者大尺寸超薄器件
適用于對(duì)清潔度要求高的場(chǎng)合
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