0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016

潘霞 ? 來源:samsun2016 ? 作者:samsun2016 ? 2023-06-20 17:06 ? 次閱讀

Netsol的ParallelSTT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說,這是最理想的內(nèi)存??商娲鶱ORFlash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。

Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量為1Mbit的自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。是一個(gè)具有并行異步接口的完全隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過數(shù)據(jù)字節(jié)控制(LB、UB)訪問低位和高位字節(jié)。支持異步頁面模式功能,以提高讀寫性能。x16I/O模式和x8I/O模式的頁面大小分別為4個(gè)字和8個(gè)字。

在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中,數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程??梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件;使用歷史;環(huán)境參數(shù) ;機(jī)器狀態(tài);用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù),內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    455

    文章

    50816

    瀏覽量

    423674
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    38

    文章

    7492

    瀏覽量

    163842
  • MRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    236

    瀏覽量

    31725
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    上海伯東IBE離子束刻蝕機(jī)優(yōu)勢(shì)

    鈦酸鉛 PZT , 鈮酸鋰 LiNbO3 和 氮化鋁鈧 AlScN, 或用于 MRAMSTT-MRAM 的材料(如
    的頭像 發(fā)表于 11-27 10:06 ?135次閱讀
    上海伯東IBE離子束刻蝕機(jī)優(yōu)勢(shì)

    DK5V45R15S高性能雙引腳同步整流芯片規(guī)格書

    DK5V45R15S鉦銘科同步整理芯片規(guī)格書V1.2 ?
    發(fā)表于 07-09 16:54 ?0次下載

    車載微星導(dǎo)航芯片:AT6558R數(shù)據(jù)手冊(cè)解讀

    、GPSL1、GLONASSL1。數(shù)據(jù)通道共用LNA/RFA和PLL,支持多種參考頻率。集成有源天線檢測(cè)電路,集成時(shí)鐘倍頻電路,ADC采樣頻率可配置。 關(guān)于AT6558R芯片參考設(shè)計(jì)方案(內(nèi)核LDO由片上
    發(fā)表于 07-05 17:36

    TB3R1 TB3R2四差分PECL接收機(jī)數(shù)據(jù)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TB3R1 TB3R2四差分PECL接收機(jī)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 06-27 11:28 ?0次下載
    TB<b class='flag-5'>3R</b>1 TB<b class='flag-5'>3R</b>2四差分PECL接收機(jī)<b class='flag-5'>數(shù)據(jù)</b>表

    ESP32-S3R8V sdmmc初始化失敗的原因?

    初始化時(shí)報(bào)錯(cuò):sdmmc_common: sdmmc_init_ocr: send_op_cond (1) returned 0x107 將芯片更換成ESP32-S3R8后,使用同樣的軟件,TF卡,初始化正常。 請(qǐng)問R8V需要額
    發(fā)表于 06-18 06:30

    ESP32S3系列芯片和模組有具體的不良率PPM數(shù)據(jù)和試用的濕度、海拔數(shù)據(jù)嗎?

    請(qǐng)問一下ESP32S3系列芯片和模組有具體的不良率PPM數(shù)據(jù)和試用的濕度、海拔數(shù)據(jù)嗎。我們?cè)诠俜降奈臋n里面沒有找到,只在選型哪里找到了溫度的數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 06-14 07:39

    請(qǐng)問esp32s3如何保存突然停電時(shí)的數(shù)據(jù)?

    ? 斷電時(shí),串口處會(huì)打印欠壓相關(guān)提示,請(qǐng)問IDF中有沒有提供相應(yīng)的接口或回調(diào),可以處理這種突然斷電的情況? 使用的ESP-IDF為5.1.1,芯片為ESP32s3R2.
    發(fā)表于 06-06 07:38

    ESP32S3R8使用iot—button組件是否可以和lvgl搭配使用呢?

    IDF:ESP-IDFV5.1.1 芯片:ESP32S3R8 請(qǐng)問使用iot—button組件是否可以和lvgl搭配使用呢?目前想用GPIO按鍵去控制LVGL的UI界面按鍵控件,是否有例子去實(shí)現(xiàn)呢?
    發(fā)表于 06-05 08:13

    esp32s3 R8芯片過熱的原因?怎么解決?

    請(qǐng)教一下esp32s3 R8 芯片 啟用藍(lán)牙m(xù)esh以后電流增大約50mA內(nèi)部溫度讀數(shù)增大約40°板子裝在外殼里面 很容易發(fā)生過熱現(xiàn)象求問下在軟件配置上能有什么補(bǔ)救的辦法嗎
    發(fā)表于 06-05 06:43

    MCU制程工藝邁進(jìn)28nm時(shí)代,汽車行業(yè)的創(chuàng)新之路

    瑞薩日前宣布,公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開發(fā)出具有快速讀寫能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造,包括一個(gè) 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲(chǔ)單元陣列
    發(fā)表于 03-05 10:05 ?2378次閱讀
    MCU制程工藝邁進(jìn)28nm時(shí)代,汽車行業(yè)的創(chuàng)新之路

    瑞薩電子宣布已開發(fā)具有快速讀寫操作的測(cè)試芯片MRAM

    瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)的電路技術(shù),以下簡(jiǎn)稱MRAM)具有快速讀寫操作的測(cè)試芯片。
    的頭像 發(fā)表于 02-25 10:53 ?899次閱讀

    臺(tái)積電引領(lǐng)新興存儲(chǔ)技術(shù)潮流,功耗僅為同類技術(shù)的1%

    MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié),研發(fā)難度高,目前主要分為兩大類:傳統(tǒng)MRAMSTT-MRAM,前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng),后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。
    發(fā)表于 01-22 10:50 ?534次閱讀
    臺(tái)積電引領(lǐng)新興存儲(chǔ)技術(shù)潮流,功耗僅為同類技術(shù)的1%

    臺(tái)積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片

    據(jù)報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu),使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
    的頭像 發(fā)表于 01-19 14:35 ?7294次閱讀

    殺手锏!臺(tái)積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片

    臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量?jī)?nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。
    的頭像 發(fā)表于 01-18 16:44 ?5498次閱讀

    臺(tái)積電和ITRI成功研發(fā)SOT-MRAM,功耗僅為STT-MRAM的百分之一

    鑒于AI、5G新時(shí)代的到來以及自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等應(yīng)用對(duì)更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫,如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭(zhēng)相研發(fā)的重點(diǎn)。
    的頭像 發(fā)表于 01-18 14:44 ?1502次閱讀