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標(biāo)簽 > MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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FeRAM,全稱Ferroelectric RAM(鐵電隨機(jī)存取存儲器),是一種基于鐵電材料特性的非易失性存儲器技術(shù)。它類似于傳統(tǒng)的SDRAM(同步動態(tài)...
從MRAM的演進(jìn)看存內(nèi)計算的發(fā)展
我國的存內(nèi)計算產(chǎn)業(yè)也開始迅猛發(fā)展,知存科技、九天睿芯、智芯科、后摩智能、蘋芯科技等國內(nèi)專注存內(nèi)計算賽道的新興公司紛紛獲得融資,加速在該領(lǐng)域的早期市場布局...
探索存內(nèi)計算—基于 SRAM 的存內(nèi)計算與基于 MRAM 的存算一體的探究
本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先,介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計算技術(shù),包括其原理、優(yōu)勢以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...
2024-05-16 標(biāo)簽:存儲器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 2812 0
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層,和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
MRAM(磁性只讀存儲器)和FRAM(鐵電RAM)有何區(qū)別
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 標(biāo)簽:電容器存儲器數(shù)據(jù)存儲 1233 0
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層,和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
MRAM會取代DDR嗎?簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)發(fā)展歷程簡述
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的發(fā)展,可以說是一段漫長而又充滿神奇色彩的歷程,承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始,它逐漸經(jīng)歷了磁存儲、硬盤、閃存,以及現(xiàn)在的云存...
2023-09-22 標(biāo)簽:PCM存儲器數(shù)據(jù)存儲 3455 0
隨機(jī)存儲器VDMR1M08xS44xx1V35用戶手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-06-07 標(biāo)簽:存儲器SiPMRAM 469 0
MRAM實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代立即下載
類別:單片機(jī) 2021-12-07 標(biāo)簽:MRAMMCU產(chǎn)品 397 0
類別:存儲器技術(shù) 2010-11-16 標(biāo)簽:MRAMeverspin 889 0
新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開發(fā)流程
嵌入式閃存及其對應(yīng)的離片NOR閃存,在非易失性內(nèi)存領(lǐng)域(即用于持久性或長期數(shù)據(jù)存儲)多年來占據(jù)著標(biāo)準(zhǔn)地位。然而,隨著工藝技術(shù)尺寸縮小至28nm以下,這些...
馳拓科技完成12億元B輪融資,加速M(fèi)RAM產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局
近日,浙江馳拓科技有限公司在杭州成功舉辦了B輪融資簽約大會。此次大會標(biāo)志著公司獲得了誠通混改基金、誠通國調(diào)基金、國調(diào)科改基金、國新綜改基金、浙江金控、湖...
磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應(yīng)用
磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應(yīng)用
2024-03-28 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)MRAM國芯思辰 471 0
瑞薩電子宣布已開發(fā)具有快速讀寫操作的測試芯片MRAM
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術(shù),以下簡稱MRAM)具有快速讀寫操作的測試芯片。
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