0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

9.1.9 共發(fā)射極電流增益:復(fù)合效應(yīng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-03-18 09:39 ? 次閱讀

9.1.9共發(fā)射極電流增益:復(fù)合效應(yīng)

9.1雙極結(jié)型晶體管(BJT)

第9章雙極型功率開關(guān)器件

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

a48a3a6a-a624-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

a4ad3d26-a624-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

a4d7a7a0-a624-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

代理產(chǎn)品線:
1、國產(chǎn)AGMCPLDFPGAPtP替代Altera選型說明
2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義
3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、國科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清視頻編碼
7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP攝像機(jī)IC

8、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機(jī)

9、中國芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替換XX2401

10、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機(jī)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    6874

    瀏覽量

    132233
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?227次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?603次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?530次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?584次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>有哪些優(yōu)勢

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?784次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率<b class='flag-5'>器件</b>的開關(guān)性能比較

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?464次閱讀

    碳化硅器件的類型及應(yīng)用

    碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料,具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時(shí)保持穩(wěn)定性和效率。
    發(fā)表于 04-16 11:54 ?743次閱讀

    碳化硅功率器件特性及基本原理

    碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。
    發(fā)表于 03-19 11:12 ?632次閱讀

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1661次閱讀

    簡單認(rèn)識碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1158次閱讀

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:55 ?662次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    碳化硅特色工藝模塊簡介

    材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?875次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝模塊簡介

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

    碳化硅管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2912次閱讀