拍字節(jié)專注新型3D鐵電存儲器(VFRAM)，彌補兩大主流存儲器的巨大鴻溝

無錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來，一直專注于新型存儲芯片研發(fā)與銷售的高新技術，尤其是新型3D鐵電存儲器（VFRAM）新材料的研發(fā)，3D架構和工藝的創(chuàng)新設計以及相關產品的制造及量產。經(jīng)過不懈的努力，拍字節(jié)公司克服了代工廠相關工藝缺乏、行業(yè)技術支持空白等種種困難，探索出替換傳統(tǒng)高污染鐵電材料的High-K材料。2019年10月完成芯片設計；2019年11月開始流片；2020年3月流片實現(xiàn)讀寫功能；2020年7月實現(xiàn)良率突破；2020年12月實現(xiàn)第一代鐵電存儲器產品（存儲容量為64Kb-4Mb）的小批量試產，打破美日壟斷（因傳統(tǒng)鐵電材料高污染的缺陷，使得全球只有美國和日本兩條專用產線），成為國內第一款鐵電存儲器產品，截至目前已開始量產；2021年之后，公司根據(jù)詳細的研發(fā)設計規(guī)劃和預期實現(xiàn)的目標，穩(wěn)步推進第二代鐵電存儲器的產品（存儲容量64Mb-1Gb）及第三代鐵電存儲器產品（存儲容量為2Gb-8Gb）的研發(fā)、量產和上市。
拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器（VFRAM）屬于FRAM的一種，這是融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的新型內存。同EEPROM、FLASH等非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫、耐久性和低功耗的優(yōu)點，在所有存儲器中，性能是數(shù)一數(shù)二的。而傳統(tǒng)的鐵電存儲器存在強污染性，產量難提升，僅應用于2D架構，存儲密度很難提升等弊端。據(jù)拍字節(jié)介紹，公司研發(fā)的新型3D鐵電存儲器在材料上創(chuàng)新性使用無污染材料的High-K材料，可以共用正規(guī)Fab里的 CMOS生產線，經(jīng)濟和快速地把產品推向市場；在工藝和設計上創(chuàng)新性采用3D架構，極大提升存儲密度。該新型鐵電存儲器不但具有一般鐵電存儲器的優(yōu)良性能，而且由于使用了新型的High-K材料和立體存儲架構，同時具備高密度和低成本的優(yōu)勢。使得新型鐵電存儲器具備高速度，高耐久度，低功耗及低成本的全面優(yōu)勢，能夠取代NOR閃存和DRAM產品并成為智能物聯(lián)新時代主流產品的能力。

綜合來看，新型3D鐵電存儲器（VFRAM）具有以下幾方面的優(yōu)勢和特性：1、非易失性：數(shù)據(jù)存儲時長是閃存的10倍；2、超低功耗：閃存的千分之一；3、高速讀寫：達到DRAM級別，速度是閃存的上千倍；4、高耐久度：達到萬億次讀寫，是閃存的上億倍；5、耐高溫：可在高溫下工作10年以上。 拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器優(yōu)勢型號 P95S128KSWSP3TF P95S128KSWSP3TF描述 該FRAM芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為16,384×8位, 通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元和SRAM不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。該芯片中使用的存儲單元可用于1E6次讀/寫操作，它的讀/寫耐久性大大超過FLASH和EEPROM，且不會像FLASH或EEPROM那樣需要很長的數(shù)據(jù)寫入時間，而且它不需要等待時間。 P95S128KSWSP3TF特點 容量：128Kb接口類型：SPI接口(模式0)工作電壓：2.7伏至3.6伏工作頻率：25兆赫茲功耗：5毫安(最大值＠25兆赫茲)低功耗：10微安@待機耐久度：1E6讀/寫數(shù)據(jù)保持：20年@25℃高速讀特性：支持40MHZ高速讀命令工作環(huán)境溫度范圍：-25℃至60℃封裝形式：8引腳SOP封裝對標賽普拉斯型號：FM25V01-G對標富士通型號：MB85RS128B

使用說明：*由于FRAM存儲采用破壞性讀出機制操作，這里的耐久性的最小值定義為讀和寫的次數(shù)的總和。*請不要在回流焊之前寫入數(shù)據(jù)，建議只做一次回流焊，不建議返工。
據(jù)拍字節(jié)方面透露，公司一代產品目前主要客戶為打印耗材廠商（與國內頭部墨盒廠商都建立了良好的合作關系）及智能電表廠商。根據(jù)客戶反饋，公司產品在性能提升和國產化替代方面都有顯著的優(yōu)勢。