隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展,對于非易失性存儲器的需求越來越大,讀寫速度要求越來越快,功耗要求越來越小,現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲器,如EEPROM、FLASH等已經(jīng)難以滿足這些需要了。同傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性,因此受到很大關(guān)注。今天Aigtek安泰電子就給大家介紹一下和鐵電材料密切相關(guān)的鐵電存儲器(FRAM),以及功率放大器在鐵電存儲器(FRAM)鐵電疇的高壓極化測試中的應(yīng)用。
一、鐵電存儲器的定義
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectricRAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問結(jié)合起來。由于鐵電存儲器不像動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)一樣密集,它很可能不能取代這些技術(shù)。
二、鐵電存儲器的工作原理
FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。鐵電效應(yīng)是指在鐵晶體上施加一定電場時,晶體中心原子在電場的作用下移動,達到穩(wěn)定狀態(tài);當(dāng)電場從晶體中移除時,中心原子將保持在原始位置。這是因為晶體的中間層是一個高能階,當(dāng)沒有獲得外部能量時,中心原子不能超過高能階到達另一個穩(wěn)定位置。因此,F(xiàn)RAM不需要電壓來保持數(shù)據(jù),也不需要像DRAM那樣定期刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性,與電磁作用無關(guān),所以FRAM存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響,能夠同普通ROM存儲器一樣使用,具有非易失性的存儲特性。
FRAM的特點是速度快,可以像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在E2PROM等最大寫作次數(shù)的問題。然而,受鐵晶體特性的限制,F(xiàn)RAM的訪問次數(shù)仍然最多。
三、鐵電存儲器應(yīng)用
由于鐵電存儲器可以在非常低的電能需求下快速存儲,因此有望廣泛應(yīng)用于消費者的小型設(shè)備中,如個人數(shù)字助理(PDA)、手機、電源表、智能卡和安全系統(tǒng)。鐵電存儲器(FRAM)比閃存快。在某些應(yīng)用中,它也可能取代電能擦除只讀存儲器(EEPROM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM),成為未來無線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。
以上就是關(guān)于鐵電存儲器的原理與應(yīng)用,以及功率放大器在鐵電存儲器(FRAM)鐵電疇的高壓極化測試中的應(yīng)用的全部內(nèi)容分享,相信大家看完之后對高壓放大器以及鐵電存儲器有了更深的了解,更多精彩歡迎持續(xù)關(guān)注我們。
功率放大器在鐵電材料極化測試中的應(yīng)用
對于鐵電材料極化測試,我們的ATA-7000系列高壓放大器能很好地勝任此工作,在鐵電材料極化測試中也有著良好應(yīng)用,它是一款理想的可放大交、直流信號的高壓放大器。單端輸出20kVp-p(±10kVp)高壓,可以驅(qū)動高壓型負載。電壓增益數(shù)控可調(diào),一鍵保存常用設(shè)置,為您提供了方便簡潔的操作選擇,參數(shù)指標可進行個性化定制。
圖:ATA-7100高壓放大器指標參數(shù)
西安安泰電子是專業(yè)從事功率放大器、高壓放大器、功率信號源、前置微小信號放大器、高精度電壓源、高精度電流源等電子測量儀器研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè),為用戶提供具有競爭力的測試方案。Aigtek已經(jīng)成為在業(yè)界擁有廣泛產(chǎn)品線,且具有相當(dāng)規(guī)模的儀器設(shè)備供應(yīng)商,樣機都支持免費試用。如想了解更多功率放大器www.aigtek.com
審核編輯 黃宇
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