0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

陸芯:PIM 功率集成模塊 LGM25PJ120E2T1S 1200V 25A用于電機驅(qū)動逆變器 空調(diào) 輔助逆變器 ups

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-05-24 17:29 ? 次閱讀

上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代Trench Field-Stop技術(shù)的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中壓SGT MOS等多個系列產(chǎn)品;性能優(yōu)異,可靠性和穩(wěn)定性高,廣泛應(yīng)用于新能源電動汽車、電機驅(qū)動領(lǐng)域、高頻電源領(lǐng)域、感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。

上海陸芯的產(chǎn)品(IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD)包括芯片、單管和模塊,具有以下技術(shù)優(yōu)勢:

1.優(yōu)化耐壓終端環(huán),實現(xiàn)IGBT高阻斷電壓,達到工業(yè)級和汽車級可靠性標準;

2.控制少子壽命,優(yōu)化飽和壓降和開關(guān)速度,實現(xiàn)安全工作區(qū)(SOA)和短路電流安全工作區(qū)SCSOA性能最優(yōu);

3.改善IGBT有源區(qū)元胞設(shè)計可靠性,抑制IGBT的閂鎖效應(yīng);

4.調(diào)節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝;實現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產(chǎn)。

62cfdd58-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

PIM 功率集成模塊


LGM25PJ120E2T1S 1200V 25A

用于:電機驅(qū)動逆變器 空調(diào) 輔助逆變器 ups

62f4cfa0-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

636b29d4-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

63ded7da-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

644b375e-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

64bc036c-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

65271b52-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

65b281f6-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

6624318e-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

664e108a-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

66d2e422-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

672d3968-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.png

67773464-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

67a6f802-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

67cf0c66-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

6802cd3a-dac4-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • pim
    pim
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    66

    瀏覽量

    20701
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    達茂國產(chǎn)IGBT模塊,國產(chǎn)IBGT單管 全系列型號

    控制(變頻器)25A 1200V EconoPIM 2 XP040PCE120AQ1E2 應(yīng)用:電機控制(變頻器)40
    發(fā)表于 12-19 15:03

    森國科推出全新1200V/25A IGBT

    森國科推出的1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款I(lǐng)GBT的魯棒性和耐用性極強,當實際電流是標準電流的四倍時
    的頭像 發(fā)表于 12-04 16:16 ?321次閱讀
    森國科推出全新<b class='flag-5'>1200V</b>/<b class='flag-5'>25A</b> IGBT

    東芝推出全新1200V SiC MOSFET

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200
    的頭像 發(fā)表于 11-21 18:10 ?439次閱讀
    東芝推出全新<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

    采用這些技術(shù)并擴大芯片面積,第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800A的額定電流,是傳統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?584次閱讀
    深度了解第8代1800<b class='flag-5'>A</b>/<b class='flag-5'>1200V</b> IGBT<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    深度分析IGBT晶圓在1200V光伏逆變器領(lǐng)域中的應(yīng)用

    ?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過將光伏電池板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率的交流電(AC),以供電網(wǎng)使用或反饋回商用輸電系統(tǒng)。逆變器的主要功能是將光伏陣列產(chǎn)生的直流電(DC)逆變?yōu)槿嗾医涣麟姡ˋC),輸出符合電網(wǎng)要
    的頭像 發(fā)表于 11-14 09:41 ?302次閱讀
    深度分析IGBT晶圓在<b class='flag-5'>1200V</b>光伏<b class='flag-5'>逆變器</b>領(lǐng)域中的應(yīng)用

    采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機驅(qū)動

    驅(qū)動器板。設(shè)計用于評估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiC? MOSFET。 采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器
    的頭像 發(fā)表于 10-29 17:41 ?237次閱讀
    采用第二代<b class='flag-5'>1200V</b> CoolSiC? MOSFET的<b class='flag-5'>集成</b>伺服<b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>器

    新品 | 采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機驅(qū)動

    新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機驅(qū)動器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為
    的頭像 發(fā)表于 09-05 08:03 ?329次閱讀
    新品 | 采用第二代<b class='flag-5'>1200V</b> CoolSiC? MOSFET的<b class='flag-5'>集成</b>伺服<b class='flag-5'>電機</b>的<b class='flag-5'>驅(qū)動</b>器

    ups功率逆變器的區(qū)別

    功率逆變器
    深圳市寶威特電源有限公司
    發(fā)布于 :2024年08月19日 09:29:31

    1200V GaN又有新玩家入場,已進入量產(chǎn)

    量產(chǎn)階段并通過可靠性測試。 ? 1200V 藍寶石基GaN 器件 ? 據(jù)介紹,目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產(chǎn)四種規(guī)格的型號,包括150mΩ/12A、100mΩ/15
    的頭像 發(fā)表于 07-31 01:06 ?3575次閱讀

    PMP22760.1-用于逆變器電機驅(qū)動應(yīng)用的雙輸出輔助電源 PCB layout 設(shè)計

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP22760.1-用于逆變器電機驅(qū)動應(yīng)用的雙輸出輔助電源 PCB layout 設(shè)計.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 05-19 16:01 ?0次下載
    PMP22760.1-<b class='flag-5'>用于</b><b class='flag-5'>逆變器</b>和<b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>應(yīng)用的雙輸出<b class='flag-5'>輔助</b>電源 PCB layout 設(shè)計

    PMP21943.1-適用于功率放大器的48V/25A 負轉(zhuǎn)正同步降壓/升壓轉(zhuǎn)換器 PCB layout 設(shè)計

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP21943.1-適用于功率放大器的48V/25A 負轉(zhuǎn)正同步降壓/升壓轉(zhuǎn)換器 PCB layout 設(shè)計.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 05-14 14:43 ?1次下載
    PMP21943.1-適<b class='flag-5'>用于</b><b class='flag-5'>功率</b>放大器的48<b class='flag-5'>V</b>/<b class='flag-5'>25A</b> 負轉(zhuǎn)正同步降壓/升壓轉(zhuǎn)換器 PCB layout 設(shè)計

    微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

    微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 14:02 ?724次閱讀
    納<b class='flag-5'>芯</b>微推出<b class='flag-5'>1200V</b>首款SiC MOSFET NPC060N<b class='flag-5'>120A</b>系列產(chǎn)品

    微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

    微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種
    的頭像 發(fā)表于 04-17 13:37 ?431次閱讀
    納<b class='flag-5'>芯</b>微發(fā)布首款<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET

    1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 04-10 16:59 ?0次下載

    高效率18V、25A同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS543B25T數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效率18V、25A同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS543B25T數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-25 09:36 ?0次下載
    高效率18<b class='flag-5'>V</b>、<b class='flag-5'>25A</b>同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS543B<b class='flag-5'>25T</b>數(shù)據(jù)表