納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅(qū)動(dòng)電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性,適用于電動(dòng)汽車(EV) OBC/DCDC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域。
NPC060N120A產(chǎn)品特性
更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍(-8~22V)
支持+15V,+18V驅(qū)動(dòng)模式(可實(shí)現(xiàn)IGBT兼容:+18 V)
+18V模式對(duì)下,RDSon可降低20%
更好的RDSon溫度穩(wěn)定性出色的閾值電壓一致性
Vth在25°C~175°C 的范圍保持在2.0V~2.8V之間
體二極管正向壓降非常低且穩(wěn)健性高
100%的雪崩測(cè)試,從而提高整體的可靠性,抗沖擊能力強(qiáng)
此外,功率產(chǎn)品開發(fā)中可靠性驗(yàn)證與質(zhì)量控制是納芯微非常重視環(huán)節(jié)之一。為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品,在碳化硅芯片生產(chǎn)過(guò)程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制,所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試,100%抗雪崩能力測(cè)試。此外,會(huì)執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴(yán)格的測(cè)試條件來(lái)執(zhí)行產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證,如下圖:
以執(zhí)行較為嚴(yán)苛的HV-H3TRB為例,在可靠性1000小時(shí)測(cè)試后,該款產(chǎn)品仍具有比較優(yōu)異的穩(wěn)定性。
NPC060N120A產(chǎn)品選型表
納芯微SiC MOSFET命名規(guī)則
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