納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。

納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅(qū)動(dòng)電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動(dòng)汽車(EV) OBC/DCDC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域。

NPC060N120A產(chǎn)品特性

更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍(-8~22V)

支持+15V，+18V驅(qū)動(dòng)模式(可實(shí)現(xiàn)IGBT兼容：+18 V)

+18V模式對(duì)下，RDSon可降低20%

更好的RDSon溫度穩(wěn)定性出色的閾值電壓一致性

Vth在25°C~175°C 的范圍保持在2.0V~2.8V之間

體二極管正向壓降非常低且穩(wěn)健性高

100%的雪崩測(cè)試，從而提高整體的可靠性，抗沖擊能力強(qiáng)

此外，功率產(chǎn)品開發(fā)中可靠性驗(yàn)證與質(zhì)量控制是納芯微非常重視環(huán)節(jié)之一。為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試，100%抗雪崩能力測(cè)試。此外，會(huì)執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴(yán)格的測(cè)試條件來執(zhí)行產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證，如下圖：

以執(zhí)行較為嚴(yán)苛的HV-H3TRB為例，在可靠性1000小時(shí)測(cè)試后，該款產(chǎn)品仍具有比較優(yōu)異的穩(wěn)定性。

NPC060N120A產(chǎn)品選型表

納芯微SiC MOSFET命名規(guī)則

審核編輯 黃宇