高磁場(chǎng)型霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)JH60B的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品概述：

本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計(jì)、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測(cè)量復(fù)雜的切換繼電器——開(kāi)關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(HallCoefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。 此處只列出系統(tǒng)的主要技術(shù)指標(biāo)。

可測(cè)試材料:

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。

技術(shù)指標(biāo)：

* 磁 場(chǎng)：10mm 間距為 2T ,20mm 間距為 1.3T

* 樣品電流：0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

* 測(cè)量電壓：0.1uV~30V ▲ 提供各類測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)材料，各級(jí)別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

**小分辨率：0.1GS

* 磁場(chǎng)范圍：0-1T

* 配合高斯計(jì)或數(shù)采板可計(jì)算機(jī)通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測(cè)量等

* 霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)的變化曲線

* 電阻率范圍：5*10-5～5*102Ω.cm

* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度：5*1012～51*1020cm-3

*霍爾系數(shù)：±1*10-2～±1*106cm3/C

* 遷移率：0.1~108 cm 2 /volt*sec

*測(cè)試全自動(dòng)化，一鍵處理

審核編輯黃宇