本文介紹了霍爾效應和量子霍爾效應的原理與機制。
量子霍爾效應是指在低溫和強磁場環(huán)境下的二維電子系統(tǒng)中出現(xiàn)的一種現(xiàn)象。自1980年,首次發(fā)現(xiàn)量子霍爾效應以來,它就成為凝聚態(tài)物理學中的基石,為我們理解量子力學和受限電子系統(tǒng)的行為提供了獨特視角。理解量子霍爾效應首先需要了解經典霍爾效應。
霍爾效應的起源與發(fā)現(xiàn)
霍爾效應的發(fā)現(xiàn)是在19世紀末,當時電磁學和物理學取得了顯著進展。埃德溫·霍爾當時是約翰·霍普金斯大學的一名研究生,正在研究電流和磁場之間的相互作用。彼時,詹姆斯·克拉克·麥克斯韋的電磁理論已經奠定了電和磁作為相互關聯(lián)力量的基礎?;魻柕难芯恐荚趯嶒烌炞C麥克斯韋理論的某些方面,特別是磁場是否會影響導體內部的電流分布。
通過實驗,霍爾觀察到當載流導體置于垂直的磁場中時,導體內會出現(xiàn)橫向電位差。這種現(xiàn)象是前所未見的,后來被稱為霍爾效應。霍爾的觀察表明,磁場確實能夠影響導體中電荷的行為,這一基礎性發(fā)現(xiàn)自此推動了半導體物理、固態(tài)電子學和磁場傳感等領域的發(fā)展。
霍爾效應的基本原理與機制
當磁場垂直作用于導體或半導體中的電流方向時,就會產生霍爾效應。隨著導體內電子在電流的驅動下移動,磁場對它們施加了一種稱為“洛倫茲力”的力,這種力垂直于磁場和電流方向,導致電子向導體一側聚集,從而形成電荷分離。
這種電荷分離在導體內形成了一個電場,抵消了進一步的電荷積累。最終,磁場產生的洛倫茲力和電荷分離產生的電場達到了平衡狀態(tài),形成了穩(wěn)定的橫向電壓,稱為霍爾電壓。在經典情況下,霍爾電阻與磁場強度成正比,與載流子密度成反比。
然而,當系統(tǒng)進入量子尺度,特別是在低溫和強磁場下的二維電子系統(tǒng)中,電子的行為呈現(xiàn)出量子化特征?;魻栯娮璨辉匐S磁場強度的增加而連續(xù)變化,而是表現(xiàn)出在特定值上的量子化現(xiàn)象。量子霍爾效應的關鍵發(fā)現(xiàn)是,在某些磁場強度下,霍爾電阻在整數(shù)倍的h/e2處形成臺階,其中h是普朗克常數(shù),e是基本電荷。這個發(fā)現(xiàn)為量子霍爾效應奠定了基礎。
量子霍爾效應的發(fā)現(xiàn)
量子霍爾效應是由克勞斯·馮·克利青于1980年在法國格勒諾布爾的高磁場實驗室首次觀察到的,當時他正在研究硅基MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)中電子的行為。在接近絕對零度的極低溫和強磁場下,馮·克利青觀察到霍爾電導變得精確地量子化,每個臺階對應于一個基本電導量子e2/h的整數(shù)倍。他發(fā)現(xiàn)霍爾電阻的這些數(shù)值不受雜質或樣品微小變化的影響,這使得量子霍爾效應成為一種異常穩(wěn)定的現(xiàn)象。
這一發(fā)現(xiàn)具有革命性意義,因為它表明了一種在宏觀尺度上可觀察到的量子現(xiàn)象。1985年,馮·克利青因這一發(fā)現(xiàn)獲得了諾貝爾物理學獎,這一發(fā)現(xiàn)為精密測量技術的進步提供了基礎,也有助于重新定義基本物理常數(shù)。
整數(shù)量子霍爾效應的原理與機制
整數(shù)量子霍爾效應(IQHE)在霍爾電阻于h/e2的整數(shù)倍處形成臺階時觀察到,表明霍爾電導G是e2/h的整數(shù)倍:G=νe2/h。其中ν是填充因子,表示完全填充的朗道能級的數(shù)量,是電子密度與磁通密度的比值。該填充因子ν是電子在強磁場中軌道量子化的條件。
這種現(xiàn)象與朗道量子化密切相關。當電子被限制在二維平面上并置于垂直磁場中時,它們形成了量子化的回旋軌道,其能量離散化為朗道能級。隨著磁場強度增加,這些朗道能級之間的能量間隔也增加。當費米能級位于朗道能級之間時,沒有可用的態(tài)讓電子占據(jù),這就形成了霍爾電阻量子化臺階。
此外,量子霍爾效應中的電子行為主要由邊緣態(tài)控制。這些邊緣態(tài)是材料邊界處形成的一維導電通道,電子在其中沿邊緣不受雜質散射。這些邊緣態(tài)確保了霍爾電導在樣品缺陷存在的情況下仍然保持穩(wěn)定,從而使得整數(shù)量子霍爾效應中觀察到的量子化電阻具有極強的穩(wěn)定性。
分數(shù)量子霍爾效應及其意義
1982年,物理學家丹尼爾·崔伊(Daniel Tsui)和霍斯特·斯特默(Horst St?rmer)發(fā)現(xiàn)了另一種量子霍爾效應,稱為分數(shù)量子霍爾效應(FQHE),其理論解釋由羅伯特·勞林(Robert Laughlin)提供。與IQHE中霍爾電導量子化為e2/h的整數(shù)倍不同,F(xiàn)QHE中霍爾電導顯示為諸如1/2、2/5、5/7等分數(shù)倍的量子化。
FQHE源于強烈的電子-電子相互作用,導致了具有分數(shù)電荷的準粒子形成。勞林的波函數(shù)描述了FQHE的基態(tài),并表明這些準粒子表現(xiàn)出分數(shù)統(tǒng)計,即它們既不遵循費米子也不遵循玻色子的行為,而是遵循任意子的行為。這一現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)為理解量子力學開辟了新途徑,并催生了拓撲量子計算等新領域。
量子霍爾效應與拓撲序
量子霍爾效應根本性地改變了我們對相位和相變的理解。傳統(tǒng)上,物質的相通過對稱性來區(qū)分,如固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)。然而,量子霍爾效應引入了拓撲序的概念,物質的相由拓撲不變量而非對稱性來區(qū)分。這引發(fā)了對拓撲相的研究,如量子自旋霍爾絕緣體、拓撲超導體和外爾半金屬,這些材料可能是未來新型量子技術的關鍵。
結論
量子霍爾效應依然是凝聚態(tài)物理學中最深刻的發(fā)現(xiàn)之一,提供了對量子力學的宏觀洞察,架起了材料科學、量子計算和計量學之間的橋梁。整數(shù)量子霍爾效應和分數(shù)量子霍爾效應的發(fā)現(xiàn)為理解電子相互作用、材料的拓撲特性和奇異準粒子的存在提供了重要見解。通過在精密測量標準、拓撲絕緣體和量子計算中的應用,量子霍爾效應持續(xù)推動著我們對量子現(xiàn)象的理解,并在理論物理與實際技術中取得進展。
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原文標題:霍爾效應的量子化:探索二維電子世界的奧秘
文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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