隨著新能源電動(dòng)汽車技術(shù)越來越成熟,更多家庭選擇新能源電動(dòng)汽車作為代步出行工具,作為新能源電動(dòng)汽車配套設(shè)施的充電樁,普及率也越來越高。充電樁是國(guó)家新基建重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目,是人口稠密區(qū)域住宅區(qū)、商務(wù)中心以及高速公路服務(wù)區(qū)的重要基礎(chǔ)設(shè)施,確保電動(dòng)汽車在日常駕駛和長(zhǎng)途旅行中有地方充電。
安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品,通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù),進(jìn)一步提高了產(chǎn)品性能,具有更優(yōu)的雪崩耐量,提高了器件應(yīng)用中的可靠性。同時(shí),采用自主創(chuàng)新先進(jìn)的多層外延技術(shù),優(yōu)化了器件開關(guān)特性,使其在系統(tǒng)應(yīng)用中具有更好的表現(xiàn),為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更多選擇。
安森德SJ MOSFET優(yōu)勢(shì)
效率高
較高的輕載、滿載效率,超低的導(dǎo)通內(nèi)阻、Qg,有效的降低導(dǎo)通、開關(guān)損耗。
低溫升
較低的功耗,有效的降低電源整體的工作溫度,延長(zhǎng)電源的使用壽命。
穩(wěn)定性強(qiáng)
強(qiáng)大的 EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證,芯片的內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品,其高溫穩(wěn)定性大大提高。
內(nèi)阻低
超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下,超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。
體積小
在同等電壓和電流要求下,超結(jié)MOS的芯片面積能做到比傳統(tǒng)MOS更小,可以封裝更小尺寸的產(chǎn)品。
行業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用
隨著新能源電動(dòng)汽車的日益普及,作為國(guó)家新基建重要組成部分的充電樁,覆蓋范圍也越來越廣,不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū),都能使用充電樁為新能源電動(dòng)汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累,研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級(jí)結(jié)MOSFET,具備更高性能、能效和更低損耗等特點(diǎn),為電動(dòng)汽車充電應(yīng)用提供高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體方案。
此外,SJ MOSFET還廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、新能源汽車、光伏、逆變、儲(chǔ)能等領(lǐng)域。
審核編輯 黃宇
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