0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅的獨特性能和應(yīng)用

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:wolfspeed ? 作者:wolfspeed ? 2023-05-24 11:20 ? 次閱讀

碳化硅的迷人特性

SiC,也稱為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:單個SiC晶??梢詿Y(jié)在一起形成堅固的陶瓷;SiC纖維可以添加到聚合物基質(zhì)中以形成復(fù)合材料,并且可以生長大的單個有機(jī)硅晶體以用于半導(dǎo)體應(yīng)用。SiC也以礦物碳硅石的形式出現(xiàn)在自然界中,盡管很少見。

輕巧穩(wěn)定

SiC的平均密度約為3 g/cm3,這使得其重量相對較輕。它具有化學(xué)惰性和耐腐蝕性,即使暴露在高達(dá) 800°C 的溫度下也不會受到任何酸、熔鹽或堿的侵蝕。 SiC是一種非常堅硬和堅固的材料(考慮到其作為研磨材料的應(yīng)用,這是有道理的)。

SiC具有非常低的熱膨脹系數(shù),這意味著即使暴露于極端溫度變化,它也能保持尺寸穩(wěn)定(例如,當(dāng)暴露于熱時不會顯著膨脹或在暴露于寒冷時不會顯著收縮)。它還具有出色的抗熱震性。

崇高的材料

碳化硅最迷人的特性之一是它能夠升華:當(dāng)溫度足夠高時,SiC跳過液體形式,直接變成氣態(tài)。這意味著它會變成蒸汽而不是融化。碳化硅的升華溫度(發(fā)生這種固體到蒸汽轉(zhuǎn)變的地方)約為2700°C(大約是太陽表面溫度的一半)。

作為一種半導(dǎo)體材料,金屬導(dǎo)電性可以通過氮、鋁或硼的大量摻雜來實現(xiàn)。它可以被磷或氮摻雜n型,鎵,鋁,硼或鈹?shù)膒型。

碳化硅的眾多應(yīng)用

除了在半導(dǎo)體方面的應(yīng)用外,SiC還用于防彈背心,陶瓷板,細(xì)絲高溫測量儀,鑄造坩堝和汽車離合器等產(chǎn)品。在電氣應(yīng)用方面,其最早的用途之一是作為高壓電力系統(tǒng)中的避雷器,因為工程師和科學(xué)家認(rèn)識到碳化硅即使在高壓和高溫下也能很好地發(fā)揮作用。碳化硅在電子產(chǎn)品中的更現(xiàn)代應(yīng)用包括肖特基二極管、MOSFET電力電子

無論是用作磨料拋光材料還是肖特基二極管的半導(dǎo)體,SiC 肯定是堅固且多方面的。升華、極端的化學(xué)惰性和耐腐蝕性、優(yōu)異的熱性能以及作為單晶結(jié)構(gòu)生長的能力只是其突出性能中的一小部分。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27367

    瀏覽量

    218752
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2814

    瀏覽量

    62648
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2762

    瀏覽量

    49056
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復(fù)的非線性特性。耐高壓?;旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點

    )碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小,可靠性好?! ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性,反向恢復(fù)電流小,開關(guān)損耗小。碳化硅
    發(fā)表于 01-11 13:42

    碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物,原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng),它具有以下一些獨特性能,因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點。關(guān)于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一,有2100℃。2)高硬度。
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

      由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極
    發(fā)表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,憑借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能,在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
    發(fā)表于 01-12 11:48

    碳化硅器件的特點是什么

    今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
    發(fā)表于 03-16 08:00

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應(yīng)用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    組件高出一大截,但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針,也是硅組件難以望其項背的。碳化硅具有極佳的材料特性,可以顯著降低開關(guān)損耗,因此電源開關(guān)的操作頻率可以大為提高,從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
    發(fā)表于 09-23 15:02

    請教碳化硅刻蝕工藝

    最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
    發(fā)表于 08-31 16:29

    功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

    降低到75%?!   ”?2:SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究  只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設(shè)計取代耗時的生產(chǎn)流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能
    發(fā)表于 02-20 16:29

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

      硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
    發(fā)表于 02-27 16:03

    碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

    導(dǎo)通電壓比對,碳化硅肖特基二極管的導(dǎo)通壓降為1.5V,硅快速恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降為1.7V, 碳化硅材料性能好于硅材料?! ?、碳化硅肖特基二極管的恢復(fù)
    發(fā)表于 02-28 16:34

    在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

    碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更多的優(yōu)勢,但代價是在某些方面參數(shù)碳化硅MOSFET性能比較差。這就要求設(shè)計人員需要花時間充分了解碳化硅MOSFET的
    發(fā)表于 03-14 14:05