升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB布局-輸出電容器和續(xù)流二極管的配置

繼上一篇文章針對(duì)升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入電容器之后，接下來將對(duì)升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器的重要元器件－－輸出電容器和續(xù)流二極管進(jìn)行配置。

輸出電容器和續(xù)流二極管的配置

配置升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入電容器后，我們來配置升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸出電容器和升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器的續(xù)流二極管。

對(duì)此電路板布局進(jìn)行解說的前提為升壓電路的輸出電流為1A以內(nèi)。如果是這種程度的輸出電流，則僅需要較小電容量的輸出電容器COUT即可，因此同一枚陶瓷電容器還可作為高頻去耦電容COBYPASS使用。這是因?yàn)樘沾呻娙萜鞯娜葜翟叫?，其頻率特性越好。但是由于陶瓷電容器的種類或廠家不同，其頻率特性也不同，因此需要對(duì)實(shí)際所用元器件的頻率特性進(jìn)行確認(rèn)。

將續(xù)流二極管D2配置在與IC和COUT同一個(gè)面的最近處。連接二極管和開關(guān)MOSFET Q2的節(jié)點(diǎn)是開關(guān)節(jié)點(diǎn)，因此是高頻噪聲的發(fā)生源。若此節(jié)點(diǎn)的布線過長(zhǎng)，則因布線電感引起的高頻尖峰噪聲將會(huì)疊加在VOUT上。另外，通過盡可能縮小從開關(guān)MOSFET Q2到續(xù)流二極管D2、高頻去耦復(fù)用輸出電容器COUT的環(huán)路，來盡量控制高頻噪聲的輻射。以上的元器件配置和布線，必須在同一面上完成。如果經(jīng)由通孔在背面進(jìn)行配置和布線，受通孔電感量的影響，噪聲會(huì)加劇，因此請(qǐng)絕對(duì)不要經(jīng)由通孔?？紤]了以上情況的理想布局示例，如右圖所示。相關(guān)布局部分已使用深色進(jìn)行表示。

理想的輸出電容器和續(xù)流二極管配置示例

如前面提到的，開關(guān)節(jié)點(diǎn)過長(zhǎng)將增加布線電感，從而導(dǎo)致高頻尖峰噪聲增大，大部分情況都會(huì)帶來不好的影響。為了改善此高頻尖峰噪聲，可采用增加RC緩沖電路的方法進(jìn)行處理。

由于此緩沖電路需要配置在開關(guān)MOSFET Q2和IC的GND引腳的最近處，因此我們建議提前準(zhǔn)備好用于緩沖電路的電阻RS和電容器CS的焊盤。

請(qǐng)注意，在緩沖電路的開關(guān)動(dòng)作中始終會(huì)產(chǎn)生損耗，這是導(dǎo)致效率下降的主要原因，這一點(diǎn)請(qǐng)務(wù)必知悉?？赡苄枰诮档烷_關(guān)節(jié)點(diǎn)尖峰噪聲和確保效率之間進(jìn)行權(quán)衡。

理想的緩沖電路配置示例

審核編輯：湯梓紅