SRAM的MBIST測(cè)試結(jié)構(gòu)如下:
SRAM的MBIST測(cè)試波形:
SRAM BIST電路完成插入后,需要做一個(gè)formal check,保證Mbist插入后,logic function不發(fā)生錯(cuò)誤改變。Formal check需要注意常量設(shè)置,具體參見知識(shí)星球的詳細(xì)解釋。
此處分享2個(gè)經(jīng)典問題:
定位1:
通過trace TDO信號(hào),一直追蹤到SRAM的Q端,發(fā)現(xiàn)Q端數(shù)據(jù)輸出是X態(tài),通過分析發(fā)現(xiàn)本質(zhì)上還是時(shí)鐘問題,什么問題呢?
就是SRAM MBIST_CLK延時(shí)下來剛好和SRAM測(cè)試地址TADDR的跳變完全對(duì)齊了,造成了SRAM的memory model的建立/保持時(shí)間違例,SRAM model在timing違例情況下Q端輸出為X態(tài)。下文具體內(nèi)容請(qǐng)移步知識(shí)星球查看。
歡迎加入【全棧芯片工程師】知識(shí)星球,手把手教你設(shè)計(jì)MCU、圖像傳感器、ISP圖像處理,從算法、前端、DFT到后端全流程設(shè)計(jì)。
實(shí)戰(zhàn)MCU+ISP圖像處理芯片版圖
實(shí)戰(zhàn)ISP圖像算法效果
審核編輯 :李倩
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
原文標(biāo)題:MCU芯片的Memory Bist設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)(一)
文章出處:【微信號(hào):全棧芯片工程師,微信公眾號(hào):全棧芯片工程師】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
相關(guān)推薦
利用FPGA可重復(fù)編程的特性,通過脫機(jī)配置,建立BIST邏輯,即使由于線路被操作系統(tǒng)的重新配置而令BIST結(jié)構(gòu)消失,可測(cè)性也可實(shí)現(xiàn)。本文給出一種基于BIST利用ORCA(Optimiz
發(fā)表于 11-28 09:02
?4441次閱讀
芯片mcu
MCU研究實(shí)驗(yàn)室
發(fā)布于 :2023年02月08日 09:56:21
。但是對(duì)質(zhì)量沒有把握的芯片能夠交付使用嗎?這些問題的答案對(duì)產(chǎn)品的成功非常重要。 為了確保一定的測(cè)試覆蓋率以及盡可能縮短產(chǎn)品測(cè)試時(shí)間, 圖3:DFT分析、BIST掃描和邊界掃描應(yīng)該與新的SoC集成電路
發(fā)表于 12-15 09:53
引言大多數(shù)IC設(shè)計(jì)工程師都了解數(shù)字BIST的工作原理。它用一個(gè)LFSR(線性反饋移位寄存器)生成偽隨機(jī)的位模式,并通過臨時(shí)配置成串行移位寄存器的觸發(fā)器,將這個(gè)位模式加到待測(cè)電路上。數(shù)字BIST亦用
發(fā)表于 07-19 06:18
/ .project的linkedResources部分定義了一個(gè)鏈接名稱“src / ps7_init.c”,其位置為“C:/zc706_bist/zc706_bist.sdk ...”使用SDK
發(fā)表于 04-08 09:52
我們現(xiàn)在正在評(píng)估 S32K BIST 功能,當(dāng) sw 調(diào)用 apiBist_Run() 以啟動(dòng) bist 時(shí),但 mcu 重置。它發(fā)生在 Bist
發(fā)表于 04-14 07:09
在BIST(內(nèi)建自測(cè)試)過程中,線性反饋移位寄存器作為測(cè)試矢量生成器,為保障故障覆蓋率,會(huì)產(chǎn)生很長(zhǎng)的測(cè)試矢量,從而消耗了大量功耗。在分析BIST結(jié)構(gòu)和功耗模型的基礎(chǔ)上,針
發(fā)表于 12-23 15:35
?0次下載
基于功能復(fù)用的抗老化BIST設(shè)計(jì)_梁華國(guó)
發(fā)表于 01-07 16:00
?0次下載
低成本BIST映射電路的設(shè)計(jì)與優(yōu)化_張玲
發(fā)表于 01-07 21:39
?2次下載
隨著FPGA在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中應(yīng)用的不斷增多.FPGA的測(cè)試技術(shù)也得到非??斓陌l(fā)展。其中,內(nèi)建白測(cè)試(BIST)的方法已經(jīng)成為一種主流的解決方案。BIST方法一般來說可以分為兩大類,
發(fā)表于 11-08 14:21
?1次下載
內(nèi)置自測(cè)(BIST),曾經(jīng)保留用于復(fù)雜的數(shù)字芯片,現(xiàn)在可以在許多具有相對(duì)少量數(shù)字內(nèi)容的設(shè)備中找到。
發(fā)表于 04-12 14:14
?2916次閱讀
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Memory芯片的測(cè)試資料詳細(xì)說明包括了:Memory芯片的重要性,Memory類型和結(jié)構(gòu)特點(diǎn),
發(fā)表于 11-30 08:00
?0次下載
詳見:MCU主控光機(jī)控制流程實(shí)戰(zhàn)(解決閃屏).png-電信文檔類資源-CSDN下載
發(fā)表于 11-16 09:36
?7次下載
RISC-V MCU開發(fā)實(shí)戰(zhàn) (二):SD初應(yīng)用軟件平臺(tái) :MounRiver Studio(MRS).硬件平臺(tái):CH32V103開發(fā)板,以及一張小于32G SD卡。1、SD卡簡(jiǎn)介SD存儲(chǔ)卡
發(fā)表于 12-20 19:05
?11次下載
不同芯片的DMA(Direct Memory Access)是不一樣的
發(fā)表于 10-16 09:14
?1566次閱讀
評(píng)論