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碳化硅半導體與行業(yè)的未來!

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2023-02-06 11:11 ? 次閱讀

雖然SiC在電子應用中的使用可以追溯到1900年代初,但它作為半導體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關注。正是在這一點上,它首次用于肖特基二極管、場效應管和MOSFET。雖然SiC具有使其在處理高頻、高功率和高溫負載方面具有獨特的優(yōu)勢,但其采用速度很慢,主要是因為生產中的問題。

在自然界中,SiC是一種極其罕見的物質,主要存在于隕石的殘余物中。雖然它可以合成創(chuàng)建,但早期的努力產生了不一致的結果。邊緣錯位、三角形缺陷和其他問題減緩了SiC作為半導體的商業(yè)化,盡管它有許多潛在的應用,但其使用仍然相對罕見。

但是,是什么讓SiC成為如此有效的半導體呢?作為一種寬帶隙半導體材料,它比其他半導體材料(如傳統(tǒng)硅)具有更廣泛的能量差,這使其具有更高的熱和電子性能。這使得該材料成為高功率、高溫和高頻應用中的明星。事實上,與硅半導體相比,SiC的介電擊穿強度提高了10×,能量帶隙提高了3×導熱率提高了3×。

這些性能優(yōu)勢可提高整體系統(tǒng)效率,同時提高功率密度并降低系統(tǒng)損耗。

如前所述,雖然SiC作為半導體材料的實力已經為人所知多年,但生產問題使得采用緩慢。然而,如今,Wolfspeed、英飛凌、安森美等制造商已經改進了制造工藝,因此早期對SiC質量的擔憂在很大程度上已成為過去。因此,它的使用量正在快速增長。

目前,具有碳化硅專業(yè)知識的半導體制造商發(fā)現(xiàn)自己處于誘人的位置。制造工藝得到了顯著改進,提高了合成SiC的產量和可靠性。同時,需要SiC等材料的性能要求的應用也在迅速增加。其結果是一個基于SiC的設備以驚人的速度增長的市場。

讓我們探索一下SiC正在站穩(wěn)腳跟的一些行業(yè)。

電動汽車使用情況

碳化硅半導體最大的增長市場之一是電動汽車(EV)和電動汽車充電系統(tǒng)。在車輛方面,SiC是電機驅動的絕佳選擇——不僅在我們道路上的電動汽車中,而且在電動火車中。

SiC的性能和可靠性使其成為電機驅動電源系統(tǒng)的絕佳選擇,并且由于其高性能尺寸比以及基于SiC的系統(tǒng)通常需要使用較少的整體組件這一事實,使用SiC可以減小系統(tǒng)尺寸并減輕重量——這是電動汽車效率的關鍵考慮因素。

SiC在電動汽車電池充電系統(tǒng)中的應用也越來越多。采用電動汽車的最大障礙之一是補充電池所需的時間,制造商正在尋找減少充電時間的方法——對許多人來說,答案是碳化硅。通過在板外充電解決方案中使用SiC功率組件,電動汽車充電站制造商可以利用SiC的快速開關速度和高功率傳輸能力來提供更好的充電性能。結果是充電時間縮短了2×。

隨著越來越多的組織進行數(shù)字化轉型,數(shù)據(jù)中心在各種規(guī)模和垂直行業(yè)的企業(yè)中的作用只會越來越大。這些數(shù)據(jù)中心充當各種關鍵任務數(shù)據(jù)的中樞神經系統(tǒng),對于持續(xù)和成功的業(yè)務運營至關重要,但這是有代價的。

事實上,國際能源署估計,數(shù)據(jù)中心消耗了全球所有電力的1%,這還不包括用于加密貨幣挖礦的能源。這種能源消耗的最大驅動因素之一是用于保持這些數(shù)據(jù)中心涼爽的電力,空調和風扇系統(tǒng)需要一年24天、每天365小時運行。

隨著消費者和市政層面對電動汽車的需求不斷增長,以及對數(shù)據(jù)中心日益增長的需求,以支持物聯(lián)網(wǎng)、軟件和其他數(shù)據(jù)密集型操作產生的大量數(shù)據(jù),SiC無疑是未來的半導體。

隨著越來越多的制造商擴大其SiC產品,生產流程不斷改進并降低成本。隨著應用的增長,SiC在未來幾年仍將是半導體設計的關鍵部分。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發(fā)區(qū)內,并在杭州、深圳和香港設有研發(fā)中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內領先的研發(fā)實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現(xiàn)場技術支持服務,使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A -80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現(xiàn)設計用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運行。

特別在低壓光耦半導體技術方面更是擁有業(yè)內領先的研發(fā)團隊。在國內創(chuàng)先設計開發(fā)了28nm 光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms 隔離增強型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。

公司核心研發(fā)團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產權管理的規(guī)范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發(fā)明專利。

“國之重器,從晶出發(fā),自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業(yè)目標,我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:碳化硅半導體與行業(yè)的未來!

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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