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DRAM的表現(xiàn)可為“一瀉千里”

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 2023-01-06 13:53 ? 次閱讀

2023年,半導(dǎo)體市場(chǎng)不妙,而其中最不妙的當(dāng)屬DRAM。

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)宣布,2023年的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將萎縮4.1%至5570億美元。WSTS表示,“拖后腿”的主要是存儲(chǔ)芯片,預(yù)計(jì)2023年存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將萎縮12.6%。

全球存儲(chǔ)芯片定位而言,2021年DRAM占比全球儲(chǔ)存市場(chǎng)61%的市場(chǎng)份額,是存儲(chǔ)第一大細(xì)分品類。而DRAM也正在加速降價(jià)。

01

DRAM一瀉千里

今年DRAM的表現(xiàn)可為“一瀉千里”。

價(jià)格方面,以作為價(jià)格指標(biāo)DDR4的8Gb產(chǎn)品來看,從今年6月開始,其價(jià)格每個(gè)約2.7美元,環(huán)比下跌0.3美元,到了10月DDR4的8Gb產(chǎn)品的大宗交易價(jià)格約為2.15美元/個(gè),比上月下跌了10%。

市場(chǎng)方面,DRAM的全球市場(chǎng)也不容樂觀。在今年三季度,全球DRAM的市場(chǎng)規(guī)模,降至181.87億美元,不及上一季度的255.94億美元,環(huán)比下滑28.9%。研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中表示,三季度28.9%的環(huán)比跌幅,是2008年全球經(jīng)濟(jì)遭受金融危機(jī)之后的第二大跌幅。

哪怕到了2023年,DRAM的未來也同樣令人擔(dān)憂。Gartner此前觀點(diǎn)表示,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)疲軟期至少將持續(xù)到2023 年,預(yù)計(jì)明年的半導(dǎo)體收入將下降2.5%左右。而存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的下滑勢(shì)頭會(huì)更大,可能突破10%。

DRAM的悲觀傳遞到廠商身上,美光甚至在12月22日宣布,“通過自愿減員和裁員相結(jié)合”的方式裁員近4800人。對(duì)于2023財(cái)年,美光還將暫停股票回購、生產(chǎn)力計(jì)劃和公司獎(jiǎng)金,并在本財(cái)年剩余時(shí)間內(nèi)“解決”高管薪酬問題。

但其實(shí)這些對(duì)于經(jīng)歷過諸多風(fēng)雨的DRAM來說算不上什么。作為半導(dǎo)體行業(yè)中周期性最為明顯的產(chǎn)品之一,DRAM的周期往往都是半導(dǎo)體行業(yè)周期的晴雨表。

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根據(jù)摩根士丹利對(duì)半導(dǎo)體周期的預(yù)估,以DRAM芯片的價(jià)格為例,市場(chǎng)通常會(huì)經(jīng)歷4-8個(gè)季度的下行周期,然后再經(jīng)歷4-9個(gè)的上行周期,DRAM芯片的價(jià)格隨時(shí)間呈現(xiàn)出明顯的周期性。

在本次價(jià)格滑坡前,DRAM已經(jīng)經(jīng)歷過五次大蕭條了。

02

DRAM的五次大蕭條

DRAM發(fā)展至今已經(jīng)有50多年了,這50年來DRAM行業(yè)中的“王朝”早已幾經(jīng)更迭。一切開始于1966年,IBM的羅伯特·登納德博士成功研發(fā) MOS 型晶體管+電容結(jié)構(gòu)的 DRAM 存儲(chǔ)。

兩年后,英特爾出現(xiàn)了,它的研究小組不斷的解決生產(chǎn)工藝中的缺陷,在1970年成功量產(chǎn)劃時(shí)代的C1103。憑借著DRAM的量產(chǎn),英特爾成為了一家擁有有1000名員工,年收入超過2300萬美元的產(chǎn)業(yè)新貴。

IBM也在當(dāng)年就宣布其新推出的大型計(jì)算機(jī)中使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器替代以往的磁芯,DRAM市場(chǎng)也變得潛力無限。

70年代像是一個(gè)分水嶺,DRAM的王朝開始更替,上半場(chǎng)入場(chǎng)的英特爾,到了下半場(chǎng)變成了Mostek。Mostek 推出的 MK4116 采用了 POLY-II(雙層多晶硅柵工藝),容量達(dá) 16K,大獲成功,占領(lǐng) 75%的 DRAM 市場(chǎng)。

后來由于資本市場(chǎng)的惡意收購,加上Mostek也決策失誤,管理層動(dòng)蕩及技術(shù)人員流失。值得注意的是,1978年四個(gè)離職的Mostek員工在一間昏暗的地下室創(chuàng)立了美光。

1980年,日本VLSI聯(lián)合研發(fā)體,研制成功 64K DRAM,已成功趕上美企 DRAM 研發(fā)進(jìn)度。后來日本存儲(chǔ)不斷提升,引起美國主意并且遭到打壓。1986年,日本與美國之間DRAM之戰(zhàn)結(jié)束,美日簽署《美日半導(dǎo)體協(xié)議》。

后來,DRAM迎來了第一次大蕭條。

第一次大蕭條:1996-1998年

1993年美國逐漸從石油危機(jī)的沖擊中走出,多家美國半導(dǎo)體公司業(yè)績(jī)大漲,僅在兩年內(nèi)美國國家半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了17%和14%的增長。在半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速增長下,行業(yè)內(nèi)許多廠商開始擴(kuò)張,1995年和1996年,全球有超過50條新的晶圓廠生產(chǎn)線的增加。

然而到了1996年,由于Windows 95開啟的辦公自動(dòng)化和個(gè)人電腦加速趨勢(shì)的反彈,個(gè)人電腦市場(chǎng)迅速進(jìn)入調(diào)整階段,半導(dǎo)體行業(yè)需求開始迅速萎縮,行業(yè)的瘋狂擴(kuò)張最終導(dǎo)致1996年DRAM的供應(yīng)過剩。德州儀器和IBM也分別在1998年與1999年,凄慘的退出了DRAM市場(chǎng)。

1999 年是內(nèi)存界的大變年,排名世界第三的韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體與LG合并,2001年從現(xiàn)代集團(tuán)完成拆分,將公司名改為海力士(Hynix Semiconductor Inc);同年美光完成收購德州儀器內(nèi)存部門。

第二次大蕭條:2001年

2001年,迎來了DRAM的第二次大蕭條。2001年全球DRAM產(chǎn)值將僅有140億美元,比2000年的290億美元縮水了一半多。

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2000年64M DRAM現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)變化

看當(dāng)時(shí)DRAM的價(jià)格變化,頗為戲劇。以PC100 64M DRAM為例,在當(dāng)年三月下旬跌至前三季的最低點(diǎn)5.2美元后,其后即扶搖直上,至7月14日達(dá)到8.96美元的高點(diǎn)。在九月又開始直線下滑,直至跌破廠商之平均成本3.5美元底線。

2001年DRAM蕭條的原因有兩方面。一方面,美國資本市場(chǎng)(尤其是那斯達(dá)克市場(chǎng))自2000年三月網(wǎng)絡(luò)泡沫破滅后持續(xù)疲軟,導(dǎo)致高科技產(chǎn)品需求不振;另一方面,由于2000年中下游廠商大量囤貨,但需求未增,降低庫存的壓力下更行削弱對(duì)DRAM的實(shí)質(zhì)需求。

2001年的蕭條導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)狼藉滿地,NEC英國半導(dǎo)體廠將于2002年4月停產(chǎn)DRAM,并裁撤1260名員工;東芝也因2001年度其芯片業(yè)務(wù)虧損近1500億日元,宣布裁員10%,并且退出DRAM事業(yè)。

第三次大蕭條:2007-2009年

到了2008年,DRAM遇到了第三次大蕭條。

2008 年 7 月,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究專家 Malcolm Penn 曾展望稱,盡管 DRAM 一年半以來跌跌不休,但其他每個(gè)產(chǎn)品大類近期均表現(xiàn)上佳,甚至當(dāng)時(shí)預(yù)計(jì)2009年半導(dǎo)體市場(chǎng)增速將高達(dá)兩位數(shù)。許多半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士都在期盼著“光輝歲月”的回歸。然而百年難得一見全球金融海嘯的到來,打破了專家們的預(yù)期,在全球金融休克下,半導(dǎo)體同樣無法置身事外。

終端消費(fèi)的萎靡,促使PC等設(shè)備廠商消減DRAM訂單,并且加快清理庫存物料,而存儲(chǔ)廠商為了自救,同樣開始降價(jià)拋售DRAM。這就造成了DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)出現(xiàn)了“踩踏”行情,價(jià)格連續(xù)崩盤、深度擊穿廠商的現(xiàn)金成本。

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猶如多米諾骨牌,價(jià)格擊穿現(xiàn)金成本后,使得存儲(chǔ)半導(dǎo)體廠商不得不啟動(dòng)大規(guī)模減產(chǎn),當(dāng)年9月,晶率先宣布將 DRAM 產(chǎn)量削減 10-15%。眾多大廠同樣跟進(jìn),產(chǎn)線改建、新建等資本支出計(jì)劃被叫停,自救失敗的奇夢(mèng)達(dá)于 2009 年 1 月正式宣布申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。

第四次大蕭條:2011-2012年

發(fā)展到2011年,DRAM再次迎來了蕭條時(shí)期,DRAM的合約顆粒價(jià)格跌幅達(dá)58%,現(xiàn)貨價(jià)格跌幅更高達(dá)70%。由于DRAM顆粒價(jià)格跌幅過大,甚至已跌破現(xiàn)金成本,爾必達(dá)率先宣布減產(chǎn)開第一槍,緊接著其他DRAM廠也跟進(jìn)下宣布減產(chǎn),減產(chǎn)幅度高達(dá)21%。

一方面是天災(zāi),日本受到311大地震沖擊,給全球DRAM的產(chǎn)出造成影響,尤其以越后半導(dǎo)體的福島白河廠與SUMCO的山形米澤廠影響最為嚴(yán)重。盡管缺貨的疑慮隨著晶圓廠的復(fù)工消散,但DRAM的價(jià)格仍舊從5月開始下滑至年底。

另一方面,隨著制程難度逐步增加,DRAM廠差距逐步擴(kuò)大。三星已逐漸跨入20nm制程,海力士與爾必達(dá)則在2012年積極轉(zhuǎn)進(jìn)30nm制程,一些臺(tái)系廠商仍停留在40nm甚至50nm制程。

盡管普遍得到公共資金支持,但除了多元化經(jīng)營的三星電子,絕大多數(shù)廠商也僅能保障勉強(qiáng)維持運(yùn)轉(zhuǎn),其間爾必達(dá)與中國臺(tái)灣地區(qū)廠商如茂德、力晶、南亞合并等傳聞不斷,但雙方均背負(fù)的巨額債務(wù)使這樣的重組幾無可能。

在第四次的大蕭條中,爾必達(dá)于 2012 年正式破產(chǎn)。

第五次大蕭條:2019年

從2016年中到2018年底,由于產(chǎn)業(yè)的需求與供給端都產(chǎn)生變化,使得DRAM迎來一輪黃金時(shí)光,價(jià)格不斷飆漲,這當(dāng)然也讓三星、SK海力士及美光三大DRAM廠商都達(dá)到史上最好的營收情況。甚至三星曾經(jīng)公布其DRAM毛利率高達(dá)70%。

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以2018年第四季來看,所有供應(yīng)商當(dāng)中以美光(Micron)降價(jià)幅度最大,因此部分偏高的庫存水位得以適時(shí)去化;而韓系廠因?yàn)榻祪r(jià)幅度較小,導(dǎo)致出貨量萎縮,庫存持續(xù)累積至2019年第一季將相當(dāng)可觀。

2019年開始,DRAM報(bào)價(jià)大幅下滑,全年累計(jì)跌幅超過五成,其表現(xiàn)之差勁在所有的芯片產(chǎn)品類別中排名倒數(shù)第一。

03

第六次蕭條即將來臨?

2022年,DRAM產(chǎn)業(yè)被貼上“第六次大蕭條”的標(biāo)簽。DRAM價(jià)格頻頻下降與存儲(chǔ)廠商不容樂觀的業(yè)績(jī)都彰顯著DRAM進(jìn)入蕭條時(shí)期。不是繁榮就是蕭條,這是存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)長期以來的景氣循環(huán)。一旦產(chǎn)能過剩,DRAM市場(chǎng)幾乎在一夜之間就會(huì)出現(xiàn)供過于求的情況。

DRAM產(chǎn)業(yè)具備成長和周期雙重屬性,成長性是主旋律,有三條關(guān)鍵規(guī)則:第一、DRAM產(chǎn)業(yè)具有周期性屬性;第二、DRAM產(chǎn)業(yè)還具有成長屬性,而且成長性是主旋律;第三、當(dāng)DRAM產(chǎn)業(yè)處于波谷時(shí),就會(huì)出現(xiàn)最佳的逆周期投資機(jī)會(huì)。

“市場(chǎng)景氣時(shí),各家吃肉,市場(chǎng)蕭條時(shí),大廠吃肉?!?/p>

行業(yè)深度衰退期,中后部廠商最先面臨生死考驗(yàn),而體量巨大的頭部廠商則在資金與業(yè)務(wù)調(diào)整上享有更大的空間,甚至在其他廠商被迫裁員、剝離資產(chǎn)、壓縮投資與研發(fā)時(shí),頭部廠商反而能夠逆勢(shì)“抄底”整合并購。

歷史固然不會(huì)簡(jiǎn)單的重復(fù),但其中揭示的某些規(guī)律仍具有借鑒意義。DRAM廠商需要收緊預(yù)算了。正如Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示“當(dāng)產(chǎn)業(yè)中的每個(gè)人都開始說這次不會(huì)發(fā)生景氣循環(huán)時(shí),那就得看緊你的荷包了,因?yàn)檩喌较乱粋€(gè)景氣周期了?!?/p>

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:“拖后腿”的DRAM

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    校萬行 · 武漢站”邀你共建精彩!

    3月,算能“校萬行”活動(dòng)走進(jìn)武漢。3月18日,武漢大學(xué)作為"校萬行·武漢站"的起點(diǎn),電子信息學(xué)院副院長賀賽先與范賜恩教授進(jìn)行活動(dòng)致辭,點(diǎn)燃了現(xiàn)場(chǎng)同學(xué)們對(duì)RISC-V及集創(chuàng)
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    “<b class='flag-5'>千</b>校萬<b class='flag-5'>里</b>行 · 武漢站”邀你共建精彩!

    智己汽車即將推出超快充固態(tài)電池,續(xù)航將突破

    超高能量密度:智己 L6 搭載這款電池后,續(xù)航里程可超過1000公,并且符合四驅(qū)版車型要求,實(shí)現(xiàn)續(xù)航表現(xiàn)與動(dòng)力性能雙提升;
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    DRAM合約價(jià)季度漲幅預(yù)計(jì)13~18%,移動(dòng)設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場(chǎng)

    據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對(duì)于DDR4采購量增幅不
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