場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
1、場效應(yīng)管的分類
按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為:結(jié)型場效應(yīng)(簡稱JFET)、絕緣柵場效應(yīng)(簡稱MOSFET)兩大類。
按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強型的。
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管,而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
2、場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較
(1)場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。
(2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,而晶體管是既利用多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,由于少數(shù)載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對于環(huán)境變化較大的場合,采用場
效應(yīng)管比較合適。
(3)場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負,因此靈活性比晶體管好。
(4)場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
(5)場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,還可作壓控可變線性電阻使用。
(6)晶體管導(dǎo)通電阻大,場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小,只有幾百mΩ,使用場效應(yīng)管做電子開關(guān)的效率比晶體管高。
3、場效應(yīng)管使用的注意事項
(1)為了安全地使用場效應(yīng)管,在線路的設(shè)計中不能超過管子的耗散功率。最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。
(2)各類型場效應(yīng)管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接入電路中,要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)。N溝道管柵極不能加正偏壓,P溝道管柵極不能加負偏壓等等。
(3)MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,所以,在運輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),保存時最好放在金屬盒內(nèi)同時也要注意管子的防潮。
(4)為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前。管的全部引線端保持互相短接的狀態(tài),焊接完后才把短接材科去掉,從元器件架上取下管子時,應(yīng)以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當然,如果能采用先進的氣熱型電烙鐵焊接場效應(yīng)管是比較方便的,并且可確保安全在未關(guān)斷電源時,絕對不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意。
(5)在安裝場效應(yīng)管時。注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防止管件震動,有必要將管殼體緊固起來。
(6)對于功率型場效應(yīng)管,要有良好的散熱條件。因為功率型場效應(yīng)管在高負荷條件下運用。必須設(shè)計足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過其額定值。使器件長期、穩(wěn)定、可靠地工作。
審核編輯 :李倩
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原文標題:總結(jié):使用場效應(yīng)管時的注意事項
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