鐵電存儲器FRAM

鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，F(xiàn)RAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。

FRAM結(jié)構(gòu)圖

FRAM技術(shù)特點：

非易失性：斷電后數(shù)據(jù)不會丟失，是非易失性存儲器；

讀寫速度快：無延時寫入數(shù)據(jù)，可覆蓋寫入；

壽命長：可重復讀寫，重復次數(shù)可達到萬億次，耐久性強，使用壽命長；

功耗低：待機電流低，無需后備電池，無需采用充電泵電路；

可靠性高：兼容CMOS工藝，工作溫度范圍寬，可靠性高。

FRAM產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標準的串行和并行接口，工業(yè)標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

審核編輯 黃昊宇