凈零未來需要下一代能源網(wǎng)絡(luò)

20 世紀(jì)，電力通過在大型發(fā)電站燃燒煤炭等化石燃料產(chǎn)生，通過長距離輸電網(wǎng)絡(luò)傳輸，并通過當(dāng)?shù)嘏潆娋W(wǎng)絡(luò)供電。盡管這種方法達(dá)到了它的目的并實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今大多數(shù)發(fā)達(dá)國家的工業(yè)化，但它也對全球環(huán)境有害。溫室氣體排放量的增加導(dǎo)致全球氣溫上升和極端天氣模式。隨著新興和前沿經(jīng)濟(jì)體進(jìn)入工業(yè)化階段，這種集中的以化石燃料為基礎(chǔ)的電力和交通網(wǎng)絡(luò)是不可持續(xù)的，需要未來的下一代能源網(wǎng)絡(luò)。

21世紀(jì)的能源網(wǎng)絡(luò)

用于實(shí)現(xiàn)新興和前沿經(jīng)濟(jì)體工業(yè)化以及維持發(fā)達(dá)經(jīng)濟(jì)體生活水平的下一代能源基礎(chǔ)設(shè)施必須對全球環(huán)境極為有利。全球科學(xué)家一致認(rèn)為，我們必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，以將全球氣溫上升限制在 1.5 ?C以下，才能擁有可持續(xù)的未來。為實(shí)現(xiàn)未來的可持續(xù)能源網(wǎng)絡(luò)，Onsemi 認(rèn)為 21 世紀(jì)的能源網(wǎng)絡(luò)將主要以太陽能和風(fēng)能等可再生能源為基礎(chǔ)，并結(jié)合儲能能力，能源消耗必須向高效、電動汽車 （EV） 等零排放負(fù)載，以實(shí)現(xiàn)可行和可持續(xù)的能源網(wǎng)絡(luò)。

21世紀(jì)的能源網(wǎng)絡(luò)

21 世紀(jì)的能源網(wǎng)絡(luò)——無論是太陽能、風(fēng)能和儲能等可再生能源，還是電動汽車和變頻電機(jī)等高效負(fù)載——都將由功率半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)。在太陽能、風(fēng)能和儲能方面，絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 和碳化硅 （SiC） 主要用于將可變和間歇性能源轉(zhuǎn)換為一致、可持續(xù)的能源網(wǎng)絡(luò)，提供零排放的可再生能源能量源。對于新興的電動汽車和充電基礎(chǔ)設(shè)施，在可預(yù)見的未來，IGBT 和 SiC 都將成為交通能源網(wǎng)絡(luò)的主力軍，實(shí)現(xiàn)零排放交通網(wǎng)絡(luò)。對于工業(yè)、樓宇和工廠自動化，逆變器和無刷直流電機(jī)由 IGBT 和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 實(shí)現(xiàn)；人類與云和 5G 網(wǎng)絡(luò)的連接也是如此。最新一代的 MOSFET 技術(shù)正在實(shí)現(xiàn)高效電源和不間斷電源，從而為全球人類網(wǎng)絡(luò)提供無處不在的連接。Onsemi 認(rèn)為，功率半導(dǎo)體將成為 21 世紀(jì)能源網(wǎng)絡(luò)的推動者，帶來可持續(xù)的未來。

功率半導(dǎo)體增長動力

為實(shí)現(xiàn)未來可持續(xù)的全球能源網(wǎng)絡(luò)，世界所有主要經(jīng)濟(jì)體和地區(qū)都在采用脫碳和限制溫室氣體排放，并制定了不同程度的法規(guī)和激勵措施。在法規(guī)、激勵措施和有吸引力的投資回報的共同推動下，我們預(yù)計可再生能源在未來十年將翻一番。由于太陽能光伏板成本的下降，太陽能將成為這一增長的主要驅(qū)動力。

在交通網(wǎng)絡(luò)、化石能源的主要用戶和最大的碳排放國中，由于政府法規(guī)和汽車制造商將更廣泛的產(chǎn)品組合和遠(yuǎn)程汽車推向市場，電動汽車的變革步伐將加快。加速采用電動汽車的另一個??因素是化石燃料儲量的減少以及由此產(chǎn)生的更高的開采成本。

隨著工業(yè)化進(jìn)程的加快，尤其是在新興和前沿經(jīng)濟(jì)體中，電機(jī)的使用正在增加。在發(fā)達(dá)國家，建筑和工廠自動化將增長以抵消更高（和不斷上升）的勞動力成本。該領(lǐng)域的法規(guī)將要求使用更高效的電機(jī)，這也將需要更高效的逆變器來驅(qū)動它們而不浪費(fèi)能源。

世界上大約 45% 的電力消耗在電機(jī)上，因此這里的效率提高將對降低能源消耗產(chǎn)生重大影響。相關(guān)的逆變器對于實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)至關(guān)重要，我們預(yù)計這些設(shè)備在未來 10 年內(nèi)在交流和直流電機(jī)應(yīng)用中的使用量將翻一番。雖然減少運(yùn)營費(fèi)用將是有益的，但預(yù)計這里的主要驅(qū)動力將是更嚴(yán)格的效率立法。

功率半導(dǎo)體：零排放的關(guān)鍵推動力

如前所述，功率半導(dǎo)體將成為 21 世紀(jì)可再生能源和高效負(fù)載能源網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵推動者。為了使功率半導(dǎo)體能夠讓我們持續(xù)有效地利用能源并實(shí)現(xiàn)零排放，它們需要在三個關(guān)鍵領(lǐng)域取得進(jìn)展：

開關(guān)技術(shù)性能

高效包裝

成本和容量

零排放的三個關(guān)鍵推動因素

在開關(guān)時，無論器件是 MOSFET、IGBT 還是 SiC，關(guān)鍵的推動因素都將是技術(shù)創(chuàng)新，這將使開關(guān)的運(yùn)行效率更高，同時降低靜態(tài)和動態(tài)損耗。高效封裝是另一個關(guān)鍵變量，因?yàn)闆]有真正理想的開關(guān)，總會有一些損耗必須以熱量的形式從半導(dǎo)體芯片中提取出來。從商業(yè)角度來看，成本始終是一個重要因素，隨著電動汽車、可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施和云能源的指數(shù)級增長，這些技術(shù)的供應(yīng)鏈彈性是最關(guān)鍵的因素之一。

功率半導(dǎo)體技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)中，它們的使用通常是針對特定應(yīng)用的，最優(yōu)化的開關(guān)技術(shù)的選擇基于功率水平和開關(guān)頻率，以提供最高的系統(tǒng)級效率。所有這些技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新是提供 21 世紀(jì)高效和可持續(xù)網(wǎng)絡(luò)的唯一途徑。

交換技術(shù)將是特定于應(yīng)用程序的。

Onsemi 在硅 （Si） 技術(shù)、行業(yè)領(lǐng)先的 MOSFET 和 IGBT 技術(shù)方面是公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者，并且正在大力投資以超越 SiC 的競爭，為市場提供一流的開關(guān)技術(shù)。

SiC 是一種新型寬帶隙材料，與同等的基于 Si 的器件相比，它的性能顯著提高。這里的主要性能驅(qū)動因素在于單元結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)更高的密度。這種更高的電池密度提高了效率，使電動汽車能夠?yàn)橄嗤碾姵亟M提供更長的續(xù)航里程。

對于 IGBT，Si 晶片的晶片厚度和深場終止層對于提高效率和增加功率能力變得非常關(guān)鍵。對于 MOSFET，單元間距和單元密度是關(guān)鍵驅(qū)動因素。Onsemi 繼續(xù)推動這兩個領(lǐng)域的減排，從而提高效率。

封裝創(chuàng)新是從設(shè)備中提取熱量和提高可靠性的重要考慮因素。根據(jù)應(yīng)用，可以使用分立設(shè)備或模塊。在 EV 等超高功率 （150–250 kW） 應(yīng)用中，牽引模塊可能是最佳選擇。

封裝創(chuàng)新的三個關(guān)鍵領(lǐng)域：互連、材料和模塊。在互連領(lǐng)域，從焊料互連轉(zhuǎn)向燒結(jié)或燒結(jié)夾可以降低接觸電阻，進(jìn)而提高可靠性。

在材料方面，關(guān)鍵創(chuàng)新涉及銀和銅的燒結(jié)并最終嵌入，從而實(shí)現(xiàn)更長的生命周期和更高的功率密度。在牽引模塊中，封裝的熱阻是一個關(guān)鍵參數(shù)。在這里，使用雙面直接冷卻可以顯著提高熱阻，從而提高功率密度。

除了開關(guān)和封裝方面的技術(shù)進(jìn)步外，onsemi 還提供了強(qiáng)大且具有高彈性的供應(yīng)鏈。盡管 Onsemi 擁有其 fab-lite 模式，但它是極少數(shù)在內(nèi)部處理自己的晶圓以提供強(qiáng)大供應(yīng)鏈的功率半導(dǎo)體公司之一。最近對 GT Advanced Technologies 的收購確保了 SiC 的高度垂直整合和彈性供應(yīng)鏈，這是實(shí)現(xiàn)未來可持續(xù)增長的關(guān)鍵技術(shù)之一。通過與包括晶圓廠和代工廠在內(nèi)的第三方的長期合作伙伴關(guān)系，供應(yīng)鏈的彈性得以增強(qiáng)。

概括

21 世紀(jì)的下一代高效能源網(wǎng)絡(luò)將建立在具有存儲能力的可再生能源之上，同時最有效地利用由電動汽車、變頻電機(jī)和高效負(fù)載驅(qū)動的網(wǎng)絡(luò)。然而，只有通過一流的 Si 和 SiC 開關(guān)技術(shù)、高效可靠的封裝以及彈性供應(yīng)鏈，才能實(shí)現(xiàn)凈零未來的這些關(guān)鍵推動力。

Onsemi 是硅基器件領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者，通過大量投資，它正在成為 SiC 基器件的領(lǐng)導(dǎo)者，繼續(xù)為行業(yè)提供智能和高效的功率半導(dǎo)體。

簡而言之，onsemi 設(shè)備將成為未來能源網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵推動者，并將使該行業(yè)實(shí)現(xiàn)凈零排放。

審核編輯：郭婷