7nm和12nm是工藝制程,換句話說(shuō)就是處理器的蝕刻尺寸,就是我們八一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。蝕刻尺寸越小,相同大小的處理器中擁有的計(jì)算單元就越多,性能也越強(qiáng)。
臺(tái)積電的12nmFinFET工藝為其16nmFinFET的升級(jí)版,在功耗和性能方面都一定的提升,雖然比不上10nm工藝,但是由于是在16nmFinFET的基礎(chǔ)上改進(jìn),因此工藝更成熟而產(chǎn)能充足。
關(guān)于各家工藝的的對(duì)照表:Intel和代工廠的工藝,如果從微縮程度(密度)和性能,關(guān)鍵技術(shù)視角看過(guò)去,對(duì)照情況完全不一樣。從密度上說(shuō):臺(tái)積電和三星的7nm 的確和Intel的10nm是同一個(gè)節(jié)點(diǎn),對(duì)應(yīng)的代工廠的10nm、8nm和Intel的14nm是一個(gè)節(jié)點(diǎn),代工廠的12nm、14nm、16nm、20nm 差不多是Intel 的20nm節(jié)點(diǎn),高于22nm一點(diǎn)。
CPU架構(gòu)相同的情況下,7nm和12nm的工藝制程帶來(lái)的差別主要是功耗和發(fā)熱,采用7nm工藝制程的芯片功耗和發(fā)熱肯定大大小于12nm的,畢竟都差兩代。
如果CPU架構(gòu)不同,那么7nm和12nm工藝制程帶來(lái)的差別就是芯片性能的鴻溝。道理很簡(jiǎn)單,7nm工藝制程可以讓晶體管尺寸更小,而更小的晶體管尺寸就意味著,同樣的芯片面積下,可以容納更多的晶體管。晶體管數(shù)量多了,芯片可以實(shí)現(xiàn)的功能就多(可以增加緩存容量,或者添加新的功能芯片),性能也跟著上一個(gè)臺(tái)階。
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審核編輯 :李倩
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