肖特基二極管因為幾乎沒有反向恢復(fù)trr。因此,可以在很高開關(guān)頻率下運行,而VF又非常小,受到電源工程師的廣泛青睞。不過,因為反向漏電流IR大,如下圖1 所示,所以不適合用作高耐壓元件,通常最高耐壓可達(dá)200V。
圖1:不同二極管的靜態(tài)輸出特性
“瑞能半導(dǎo)體新推出第三代G3 肖特基二極管,電壓范圍覆蓋45V/65V/100V/150V,產(chǎn)品組合豐富,多種封裝 TO220/TO220F/ DPAK 可供客戶選用。
G3 肖特基二極管,采用新一代的 TMBS 結(jié)構(gòu)設(shè)計,實現(xiàn)超低VF和較小IR的完美組合,可以廣泛應(yīng)用于高頻 SMPS 電源,PC適配器,照明,車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器?!?/p>
G3 肖特基二極管的市場應(yīng)用
高頻 SMPS 電源
適配器
照明
車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
G3 肖特基二極管的性能和優(yōu)勢
1TMBS 結(jié)構(gòu)設(shè)計,實現(xiàn)超低VF和較小漏電流的完美組合
2低IR,最高結(jié)溫可達(dá)150℃
3低VF,帶來更低的功率損耗,提高系統(tǒng)的效率
4較強(qiáng)的正向浪涌沖擊能力
5覆蓋 45V/65V/100V/150V 的工作電壓范圍
6豐富的產(chǎn)品組合,提供有多種封裝可供選擇:TO220/TO220F/DPAK
靜態(tài)特性對比
圖2:G3 SBD 在125℃的IF-VF特性
圖2 給出了G3 SBD 在125℃的IF-VF特性。我們選擇了一款市面上通用的45V 30A 肖特基二極管競品A,作為瑞能 WN3S3045C 的對比對象。
在125℃,15A的電流條件下,競品A的導(dǎo)通壓降為0.53V,而瑞能第三代肖特基 WN3S3045C導(dǎo)通壓降僅為0.47V。
和競品A相比,WN3S3045C 降低了11.1%的導(dǎo)通壓降,帶來更低的功率損耗,提升系統(tǒng)的效率。
效率測試
圖3:DC/DC電源在不同負(fù)載條件下效率對比
我們在一款 DC/DC 電源上進(jìn)行了對比測試。在效率對比測試中,除了更換測試用的肖特基二極管,其他的條件均不變。測試環(huán)境采用DC/DC 電源,輸入電壓為310VDC ,輸出電壓 (VOUT) 為3.3VDC,最大輸出功率: 65W,拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):反激式電路,載波頻率:100kHz。測試環(huán)境溫度為25 ℃。
圖3 給出了 DC/DC 電源在不同負(fù)載條件下效率對比。分別測試了25%負(fù)載到100%負(fù)載的系統(tǒng)效率以及系統(tǒng)損耗。從圖3 可以看出,和競品A相比,瑞能半導(dǎo)體的 G3 SBD WN3S3045C 在100%負(fù)載條件下,效率達(dá)到73.3%,效率顯著提升。
圖4:滿載條件下
WN3S3045C的溫升
圖5:滿載條件下
競品A的溫升
圖4 和圖5 給出了滿載條件下, WN3S3045C 和競品A 的溫升的情況,對比可以看出,在滿載情況下,WN3S3045C 的溫升比競品A 降低了7℃,這主要得益于瑞能 G3 SBD 優(yōu)異的超低導(dǎo)通壓降VF的特性。
結(jié)論
瑞能G3 SBD 肖特基二極管,采用最新的 TMBS 技術(shù),實現(xiàn)超低VF和較小漏電流的完美組合,更低的正向?qū)▔航礦F,意味著更低的功率損耗,提升系統(tǒng)的效率,更低的漏電流,最高的結(jié)溫可達(dá)150℃,并具有較強(qiáng)的正向浪涌沖擊能力。
多種封裝結(jié)構(gòu)如采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO220 封裝,TO220F,DPAK 可以滿足眾多工程師不同設(shè)計的需求,并且所有封裝類型均按照瑞能半導(dǎo)體高品質(zhì)高標(biāo)準(zhǔn)要求進(jìn)行測試,廣泛滿足工業(yè)應(yīng)用要求,特別適合高頻SMPS,電源適配器,照明電源,車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
瑞能G3 SBD 涵蓋了 45V/65V/100V/150V 等電壓等級范圍,下方顯示了瑞能第三代G3 SBD 肖特基二極管的器件列表。
后續(xù)還有 D2PAK 的封裝即將面市。
表1:瑞能第三代G3 SBD 肖特基二極管
TO220 產(chǎn)品系列
表2:瑞能第三代G3 SBD 肖特基二極管
TO220F 產(chǎn)品系列
表3:瑞能第三代G3 SBD 肖特基二極管
DPAK 產(chǎn)品系列
原文標(biāo)題:【新品推薦】看!G3 肖特基二極管如何發(fā)光?這幾點很重要!
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