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Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二極管,提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性

Vishay威世科技 ? 來源:Vishay威世科技 ? 2024-07-05 09:36 ? 次閱讀
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新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管

器件采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計,額定電流5 A ~ 40 A

低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低

Vishay推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)設(shè)計,具有高浪涌電流保護(hù)能力,低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低,有助于提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性。 日前發(fā)布的新一代 SiC 二極管包括5 A 至 40 A 器件,采用TO-220AC2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。由于采用MPS結(jié)構(gòu)——利用激光退火背面減薄技術(shù)——二極管電容電荷低至28 nC,正向壓降減小為1.35 V。此外,器件25 °C下典型反向漏電流僅為2.5 μA,因此降低了導(dǎo)通損耗,確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。與超快恢復(fù)二極管不同,第三代器件幾乎沒有恢復(fù)拖尾,從而能夠進(jìn)一步提升效率。

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碳化硅二極管典型應(yīng)用包括FBPS和LLC轉(zhuǎn)換器AC/DC功率因數(shù)校正(PFC)和DC/DC超高頻輸出整流,適用于光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)驅(qū)動器和工具、數(shù)據(jù)中心等。這些嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境中,器件工作溫度可達(dá)+ 175 °C,正向額定浪涌電流保護(hù)能力高達(dá)260 A。此外,D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI≥600的塑封料,確保電壓升高時優(yōu)異的絕緣性能。 器件具有高可靠性,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,通過2000小時高溫反偏(HTRB)測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試。

器件規(guī)格表

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Vishay16款新型第三代1200 V

碳化硅(SiC)肖特基二極管

新型 SiC 二極管現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為 13 周。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:新型第三代 1200 V SiC 肖特基二極管,提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性

文章出處:【微信號:Vishay威世科技,微信公眾號:Vishay威世科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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