`肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱 SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右
2020-07-23 14:45:20
、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷擴(kuò)展，現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時(shí)仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基勢壘二極管（SBD）在大功率應(yīng)用方面的最大優(yōu)勢在于近乎理想的動(dòng)態(tài)特性。在反向恢復(fù)瞬態(tài)，當(dāng)二極管從正向?qū)Ｊ睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r(shí)，有很低的反向恢復(fù)時(shí)間，而且在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)保持
2020-09-24 16:22:14
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個(gè)重要特性是反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。trr是二極管開關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點(diǎn)在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
同時(shí)放在腦里。可以理解為基本的功能加上各種各樣的形狀來補(bǔ)充。1. 按頻率分類最基本的分類方法。二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開關(guān)二極管、肖特基勢壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為
2019-04-12 00:31:05
。二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開關(guān)二極管、肖特基勢壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為保護(hù)元件一般使用齊納二極管，但隨著周邊電路的精密化、應(yīng)用微細(xì)化，被要求使用更高性能的保護(hù)元件
2019-05-06 09:15:49
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2019-10-22 09:12:18
凌訊MBR系列肖特基勢壘整流器（標(biāo)準(zhǔn)肖特基）是基于硅肖特基二極管技術(shù)的最新器件。肖特基勢壘整流器是非常受設(shè)計(jì)人員歡迎的器件，因?yàn)槠渚哂袠O快的開關(guān)速度、非常低的正向壓降、低泄漏和高結(jié)溫能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
肖特基二極管、穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)二極管之間的區(qū)別和理解1、肖特基二極管肖特基二極管是以貴金屬為正極，N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性制成的金屬-半導(dǎo)體器件。肖特基整流管的結(jié)構(gòu)
2021-11-15 06:47:36
`肖特基二極管又被稱為肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間極短，正向?qū)▔航祪H為0.4V左右。下面小編為大家介紹一款PFC的肖特基
2018-09-06 10:17:48
`肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V
2018-09-11 10:11:02
肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V
2020-10-28 09:13:12
肖特基二極管分貼片和插件這兩種類別，一種是常見三個(gè)腳的肖特基二極管，印字是“例：MBR20100FCT”，符號(hào)是 “ ”；第二種是貼片肖特基二極管，貼片肖特基二極管的印字多數(shù)是用型號(hào)來做印字
2021-07-09 11:45:01
，這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管?，F(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導(dǎo)體材料制作的。20世紀(jì)90年代以來，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管是什么？ 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間可小到幾個(gè)納秒（2-10ns納秒），正向壓降
2016-04-19 14:29:35
` 在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，都會(huì)用到一種材料，它也因此被譽(yù)為電子行業(yè)的“生命之源”這種材料就是肖特基二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)
2019-02-20 12:01:29
肖特基二極管工作原理肖特基二極管的特點(diǎn)肖特基二極管的結(jié)構(gòu)肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別肖特基二極管的工作狀態(tài)肖特基二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)別工作原理肖特基二極管是以貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）為正極，以
2021-11-16 08:08:11
，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。三、額定電流IF：指肖特基二極管長期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-05-31 17:17:19
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn)，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。 肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)
2021-06-30 16:48:53
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2017-10-19 11:33:48
肖特基勢壘?！ ?b class="flag-6" style="color: red">三、肖特基二極管的應(yīng)用 肖特基勢壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管使用。此外，肖特基二極管還廣泛用于筆記本電腦的電源適配器、液晶電視和液晶顯示器電源、電動(dòng)車電瓶充電器以及數(shù)字衛(wèi)星接收機(jī)和機(jī)頂盒的電源等等。`
2018-12-27 13:54:36
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），也有人叫做：肖特基勢壘二極管
2021-06-30 17:04:44
較低，一般不超過去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、打電流整流（或續(xù)流）電路的效率。肖特基二極管的作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管
2020-10-27 06:31:18
。 肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2019-02-18 11:27:52
共陰對(duì)管和共陽對(duì)管的肖特基二極管測試為例,說明具體的檢測方法,將引腳分別標(biāo)號(hào)為l、2和3,萬用表置于“R×1’’擋進(jìn)行下述三步測試,如圖5—45所示。第一步:測量1、3引腳正、反向電阻值,若為無窮大
2019-06-12 04:20:33
物理學(xué)家Walter Schottky開發(fā)了金屬-半導(dǎo)體接觸的模型。與半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導(dǎo)體的界面上形成了一個(gè)耗盡區(qū)而因此具有勢壘。這防止了低于特定功率閾值
2017-04-19 16:33:24
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻
2021-05-28 06:57:34
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基勢壘二極管。二者的反向峰值電壓均為100V，反向電壓（VR）也均為
2019-07-23 04:20:37
的影響。 3. 伏安特性一般地肖特基勢壘二極管的伏安特性可表示為 與理想金半接觸伏安特性公式（2-29）相比較式（2-39）多了一個(gè)修正因子n。對(duì)于理想的肖特基勢壘n=1 當(dāng)勢壘不理想時(shí)n》1且
2021-01-19 17:26:57
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生
2018-12-03 14:31:01
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點(diǎn)通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-30 03:25:24
形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管，也稱為肖特基勢壘二極管，屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管。PS2045L主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌?、反向恢?fù)時(shí)間短、開關(guān)損耗低。它是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，缺點(diǎn)是耐壓比較
2021-11-26 16:28:38
編輯-Z肖特基二極管是什么？肖特基二極管（肖特基勢壘二極管）：是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件。這種器件是由多數(shù)載流子傳導(dǎo)的，所以它的反向飽和電流比由少數(shù)載流子傳導(dǎo)的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中
2021-10-18 16:45:00
材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導(dǎo)體。肖特基二極管的作用原理是什么？ 肖特基二極管的作用是單相導(dǎo)電特性的，利用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢壘對(duì)電流進(jìn)行控制。肖特基二極管有什么特點(diǎn)？肖特基二極管
2017-03-03 16:21:07
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
編輯-Z一、什么是MBR10100FCT肖特基二極管肖特基二極管MBR10100FCT（肖特基勢壘二極管）：是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件。這種器件是由多數(shù)載流子傳導(dǎo)的，所以它的反向飽和電流比由
2021-09-11 16:42:45
：102mil浪涌電流Ifsm：200A漏電流(Ir)：20mA工作溫度：-65~+175℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：5ns引線數(shù)量：3 肖特基二極管MBR20200FCT是基于通過接觸金屬和半導(dǎo)體形成的勢壘層
2021-09-13 17:01:40
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 編輯
ROHM肖特基勢壘二極管具有各種高可靠性，低損耗器件。 它們有各種包裝。 肖特基二極管提供低正向電壓和反向電流
2019-06-17 15:30:23
` 肖特基二極管也叫熱載流子二極管，通過金屬和半導(dǎo)體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢壘從而實(shí)現(xiàn)整流。相對(duì)于普通的PN結(jié)二極管，肖特基二極管的反向恢復(fù)“慣性”很低。因此肖特基二極管適合于高頻整流或者
2019-01-02 13:57:40
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基勢壘的高度低于PN結(jié)勢壘，肖特基二極管的正向傳導(dǎo)閾值電壓和正向壓降均低于PN結(jié)勢壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-18 10:35:14
二極管的結(jié)電容分兩種：勢壘電容和擴(kuò)散電容。而一般數(shù)據(jù)手冊給到的結(jié)電容參數(shù)，通常指的是勢壘電容。上面這個(gè)是ES1J超快恢復(fù)二極管數(shù)據(jù)手冊的結(jié)電容參數(shù)Cj=8pF。同時(shí)我們知道，對(duì)于常用的二極管來說
2021-10-08 10:37:02
二極管是作為單向開關(guān)的兩端設(shè)備。肖特基是一種金屬-半導(dǎo)體二極管，以極低的正向電壓著稱，其中金屬形成陽極，n 型半導(dǎo)體充當(dāng)陰極。這種二極管是以德國物理學(xué)家華特·蕭特基命名的。它也被稱為肖特基勢壘二極管
2022-03-19 22:39:23
目前經(jīng)常用到的大功率二極管有：肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二級(jí)管，等等。著重介紹前兩種。 一，肖特基二極管(英文簡稱SBD) 肖特基勢壘二極管簡稱肖特基二極管。它不是PN結(jié)
2015-06-19 14:52:18
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。當(dāng)前正在
2018-12-04 10:15:20
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
`肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)
2018-12-10 15:19:35
` 肖特基二極管是利用金-屬半導(dǎo)體接面做為肖特基勢壘，而發(fā)生整流的效果，和普通二極管中由半導(dǎo)體-接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，能夠提高切換的速度
2018-11-05 14:29:49
-半導(dǎo)體(接觸) 二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管在物理結(jié)構(gòu)上是不一樣的。肖特基二極管的陽極是金屬 ，陰極是N型半導(dǎo)體;快恢復(fù)二極管基本結(jié)構(gòu)仍然是普通的PIN
2018-11-01 15:26:11
電流額定值分別為3A和5A，兩者峰值電流最高都可達(dá)到80A，可見其承受電流峰值很大，可避免浪涌電流造成的損壞；其可應(yīng)用于防反接二極管和整流二極管使用。圖1表面貼裝肖特基勢壘二極管RB051LAM-40
2019-04-17 23:45:03
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無法獲得充分冷卻的應(yīng)用中的可靠性。肖特基二極管的應(yīng)用:MBR系列肖特基勢壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
電路損耗，提高電路工作頻率。在PFC電路中用SiC SBD（肖特基勢壘二極管）代替原來的硅FRD（快速恢復(fù)二極管）可以使電路在300kHz以上工作，效率基本保持不變，而使用100kHz以上硅FRD的電路效率急劇下降。隨著工作頻率的增加，電感器等無源元件的體積相應(yīng)減小，整個(gè)電路板的體積減小30%以上。
2023-02-07 15:59:32
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬
2018-10-26 14:36:32
本人欲投資肖特基勢壘二極管生產(chǎn)，尋求高手指點(diǎn)，QQ411940115
2011-02-23 22:13:05
了參數(shù)的一致性。肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，肖特基二極管被廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)器等電路，作為低壓、高頻、大電流
2018-10-19 11:44:47
、肖特基二極管而肖特基二極管，簡稱SBD，它不是利用PN結(jié)原理制作的，它是以金屬為正極，以N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的一種半導(dǎo)體器件，是一種熱載流子二極管，肖特基二極管
2023-02-16 14:56:38
減少，反向恢復(fù)時(shí)間trr可低至幾十納秒。 肖特基二極管是肖特基勢壘二極管的簡稱，它的構(gòu)造原理與普通PN結(jié)二極管有著很大區(qū)別：其內(nèi)部是由陽極金屬(用金、銀、鉬、鋁等)、二氧化硅電場消除材料、N外延層材料
2021-05-14 08:11:44
保護(hù)元件具備更高性能，在這種趨勢下逐漸拉大與TVS (Transient Voltage Suppressor) 的差別。特點(diǎn)只有ZD利用了反向特性。肖特基勢壘二極管高頻二極管
2019-04-11 00:08:21
。相關(guān)文章 來自工程師的聲音第三代SiC肖特基勢壘二極管：SCS3系列 Part 1 SiC肖特基勢壘二極管更新?lián)Q代步履不停＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC特殊的網(wǎng)站SiC支持網(wǎng)頁（評(píng)估板）SiC
2018-12-03 15:11:25
一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒)。正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管又稱肖特基勢壘二極管，它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此
2019-04-01 11:59:16
本人想了解下肖特基勢壘二極管制造技術(shù)和工藝，望高手指點(diǎn)
2011-02-23 22:07:19
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
有什么區(qū)別呢?今天就讓立深鑫帶領(lǐng)大家一起去分析一下肖特基二極管與一般整流二極管相比特別之處在于哪里? 肖特基二極管是利用金屬半導(dǎo)體接面作為肖特基勢壘，以產(chǎn)生整流的效果，和一般二二極管中由半導(dǎo)體
2018-10-22 15:32:15
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點(diǎn)通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-11 02:37:28
的接觸勢壘來實(shí)現(xiàn)的。由于肖特基的勢壘高度低于pn結(jié)的勢壘高度，使其在小電流下正向壓降低，擊穿電壓低，反向漏電流大。功率肖特基二極管旨在提高其功率特性，有以下三類結(jié)構(gòu)?！ ?1)普通功率肖特基勢壘二極管
2019-02-12 15:38:27
混頻二極管是利用金屬和N型半導(dǎo)體相接觸所形成的金屬半導(dǎo)體結(jié)的原理而制成的。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體相接觸時(shí)，它們的交界面處會(huì)形成阻礙電子通過的肖特基勢壘，即表面勢壘。
2019-11-05 09:11:18
250V左右。對(duì)于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因?yàn)樗軌蚰褪茌^高的電壓?！ 〕艘酝獾钠骷?shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
各種耐高溫的高頻大功率器件，應(yīng)用于硅器件難以勝任的場合，或在一般應(yīng)用中產(chǎn)生硅器件難以產(chǎn)生的效果。 肖特基勢壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子注入和儲(chǔ)存，因而基本沒有
2019-10-24 14:21:23
,RB095BM-30,RB098BM-30肖特基勢壘二極管均采用TO-252封裝，具有極好的互換性。 圖2 產(chǎn)品封裝圖RB078BM30S,RB088BM-30,RB098BM-30的訂購信息如圖3
2019-03-21 06:20:10
羅姆（ROHM）是全球著名半導(dǎo)體廠商之一。它推出了6款中功率肖特基勢壘二極管，型號(hào)分別為RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3
2019-07-15 04:20:07
一般的二極管是利用PN結(jié)的單方向?qū)щ姷奶匦?，?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管則是利用金屬和半導(dǎo)體面接觸產(chǎn)生的勢壘（barrier）整流作用，這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基
2021-01-13 16:36:44
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。與普通的二極管不一樣，SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)
2019-04-12 11:37:43
和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30是ROHM公司推出的4款肖特基勢壘二極管
2019-04-18 00:16:53
肖特基二極管的作用 肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管
2016-12-06 18:25:12
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務(wù)器和高端計(jì)算機(jī)等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管（以下稱“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
2016-05-10 14:25:51
1839 前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢與特點(diǎn)，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:17612 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品。
2023-02-16 09:55:06452 
－進(jìn)入主題之前請您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
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