臺(tái)積電擴(kuò)大采購氮化鎵相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備 6英寸廠內(nèi)相關(guān)產(chǎn)能將翻倍

有市場(chǎng)消息傳出，臺(tái)積電正擴(kuò)大采購買氮化鎵相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備，6英寸廠內(nèi)相關(guān)產(chǎn)能將翻倍。

自去年開始就陸續(xù)有消息傳出，臺(tái)積電看好化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，將與國外大廠合作進(jìn)軍此領(lǐng)域，尤其是氮化鎵晶圓。魏哲家當(dāng)初表示，氮化鎵擁有高效能、高電壓等特性，適合用在高頻半導(dǎo)體，而臺(tái)積電在氮化鎵制程技術(shù)上已有所進(jìn)展，符合客戶要求，看好未來氮化鎵應(yīng)用前景。如今，小批量生產(chǎn)正在擴(kuò)大。

臺(tái)積電目前是提供6英寸硅基氮化鎵晶圓代工服務(wù)，且在結(jié)盟意法半導(dǎo)體后，又與納微半導(dǎo)體進(jìn)行合作，先進(jìn)功率氮化鎵解決方案正陸續(xù)開發(fā)，預(yù)期能搶攻目前最熱門的電動(dòng)車市場(chǎng)商機(jī)。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，氮化鎵運(yùn)作將比硅元件快上20倍，應(yīng)用在充電器上，將可使速度快3倍，但卻能大幅縮小體積與重量。雖然氮化鎵還不能用在制作如CPU等邏輯IC，主要是光電、通訊射頻及電源功率元件，但仍然相當(dāng)重要，且造價(jià)并不便宜。

此類化合物半導(dǎo)體已被認(rèn)為是第三代半導(dǎo)體，各國正積極投入生產(chǎn)及研究，還有如碳化硅等，具有耐高溫、耐高壓的特點(diǎn)，在電力電子系統(tǒng)上能有相當(dāng)廣泛的應(yīng)用，當(dāng)然也包括電動(dòng)車，所以除了手機(jī)快充外，目前投入化合物半導(dǎo)體的業(yè)者基本上都相當(dāng)積極的想要打入電動(dòng)車供應(yīng)鏈。

此外，氮化鎵極其穩(wěn)定的化合物，堅(jiān)硬和高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)為 1700℃。具有高的電離度，出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度，且具有低導(dǎo)通損耗、高電流密度等優(yōu)勢(shì)。

通常用于微波射頻、電力電子、光電子三大領(lǐng)域。微波射頻包含了5G通信、雷達(dá)預(yù)警、衛(wèi)星通訊等應(yīng)用；電力電子方向包括了智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)電子等應(yīng)用；光電子方向包括了 LED、激光器、光電探測(cè)器等應(yīng)用。

隨著5G到來，GaN在Sub-6GHz 宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找到一席之地。GaN射頻市場(chǎng)將從2018年的6.45億美元增長(zhǎng)到2024年的約20億美元，這主要受電信基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩個(gè)方向應(yīng)用推動(dòng)，衛(wèi)星通信、有線寬帶和射頻功率也做出了一定貢獻(xiàn)。

隨著新的基于GaN的有源電子掃描陣列（AESA）雷達(dá)系統(tǒng)的實(shí)施，基于GaN的軍用雷達(dá)預(yù)計(jì)將主導(dǎo)GaN軍事市場(chǎng)，從2018年的2.7億美元增長(zhǎng)至2024年的9.77億美元，CAGR達(dá) 23.91％。

GaN射頻功率市場(chǎng)規(guī)模從2018年的200萬美元增長(zhǎng)至2024年的10,460萬美元，CAGR達(dá) 93.38%，具有很大成長(zhǎng)空間。

如臺(tái)灣地區(qū)的茂矽、漢磊科等也早已布局相關(guān)應(yīng)用，搶先跨過技術(shù)門檻來爭(zhēng)搶市占，自去年Q4以來，車用電子急遽升溫，客戶訂單開始激增，目前產(chǎn)能都已滿載，價(jià)格當(dāng)然也攀高，市場(chǎng)相當(dāng)看好，甚至預(yù)期下半年客戶不會(huì)修正庫存，動(dòng)能將持續(xù)，并一舉反虧為盈。

雖然這只是期望，但無論如何，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)正在擴(kuò)大，將會(huì)是趨勢(shì)。據(jù)臺(tái)灣工研院報(bào)告，2025年就將成長(zhǎng)到1780億美元，而相對(duì)來講投入的廠商仍少，但有的廠商已取得不錯(cuò)的成果。

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