據(jù)Korea IT News報道,三星電子已經(jīng)開始進(jìn)行巨額半導(dǎo)體投資,總價值達(dá)317億美元。該公司最近開始對其在中國的NAND閃存工廠和在韓國的DRAM工廠進(jìn)行投資。
據(jù)報道,除NAND閃存和DRAM外,該公司還計劃對其代工業(yè)務(wù)進(jìn)行巨額投資?;诖耍蚺c半導(dǎo)體相關(guān)的材料、零件和設(shè)備相關(guān)公司的銷售額有望獲得巨大的增長。
韓國業(yè)界稱,三星電子計劃今年分別在存儲器業(yè)務(wù)和代工業(yè)務(wù)上投資217億美元和99.7億美元。與去年公司在半導(dǎo)體工廠和設(shè)備上的投資額相比,總投資額增加了20%。預(yù)計今年的投資將特別集中在公司在西安的二期工廠和在平澤的二期工廠。
三星電子近期已開始訂購必要的半導(dǎo)體設(shè)備。1月21日,該公司從WONIK IPS訂購了價值1.05億美元的訂單。1月18日,從TES下達(dá)了價值2500萬美元的訂單。這些公司的半導(dǎo)體設(shè)備將于今年6月和7月交付,并將安裝在三星電子在西安的二期工廠中,用于第六代128層V-NAND生產(chǎn)。
三星電子也已開始投資與DRAM相關(guān)的工廠和設(shè)備。1月15日,該公司與DI簽署了一項合同,為其購買價值3130萬美元的DDR5半導(dǎo)體檢測設(shè)備,DDR5是下一代DRAM存儲器的標(biāo)準(zhǔn)。三星電子很可能已下訂單,以便于今年下半年開始生產(chǎn)DDR5 DRAM存儲器。
這些訂單被視為三星電子今年已開始進(jìn)行大規(guī)模半導(dǎo)體投資的標(biāo)志,因為NAND和DRAM是該公司的主要產(chǎn)品,該公司表示,在考察了今年的產(chǎn)品之后,它將把今年的投資重點放在市場更積極的上半年。
由于西安的二期工廠和平澤的二期工廠尚未配備必要的設(shè)備,因此三星電子今年的投資預(yù)計將集中在這兩個工廠上。根據(jù)業(yè)內(nèi)人士的說法,三星電子計劃在今年年底之前完成西安的二期工廠設(shè)備引進(jìn)。平澤的二期工廠的投資則平均分布在DRAM、NAND閃存和代工廠。
按照產(chǎn)能來看,西安(X2)二期工廠的月產(chǎn)能規(guī)模預(yù)計約為55,000片。關(guān)于平澤二期工廠(P2),DRAM、NAND閃存和代工廠的月產(chǎn)能規(guī)模預(yù)計分別為30,000~60,000片,18,000~30,000片和20,000片。
報道還指出,三星電子的投資規(guī)??赡軙鶕?jù)全球半導(dǎo)體市場的變化而變化。但是,業(yè)內(nèi)人士肯定,由于全球線上經(jīng)濟(jì)的活躍以及智能手機(jī)和汽車行業(yè)對芯片的需求不斷增加,可以肯定的是,三星電子今年在工廠和設(shè)備上的投資將高于去年。
另外,最近三星電子的材料、零件和設(shè)備供應(yīng)商一直在忙于應(yīng)對三星電子的積極投資。全球半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商期望今年三星電子的巨大業(yè)績,從而有望從韓國獲得最高的銷售額。三星電子的計劃投資也鼓勵了供應(yīng)材料、零件和設(shè)備的韓國公司。據(jù)報道,三星電子副董事長金基南(Kim Ki-nam)告訴該公司高管和員工,尋找維持超級缺口戰(zhàn)略的方法,以為全球半導(dǎo)體市場的巨大繁榮做好準(zhǔn)備。
韓國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的一位高管表示,隨著三星電子計劃對工廠和設(shè)備進(jìn)行巨額投資,該行業(yè)預(yù)計今年將實現(xiàn)巨大增長。
同時,據(jù)報道,三星電子今年并沒有計劃在奧斯汀建造3nm晶圓代工廠。盡管三星電子有可能最早在下半年破土動工,但公司很可能只會為該工廠打基礎(chǔ)。通常,半導(dǎo)體制造商會選擇一個工廠的位置,建造一個工廠,并安裝無塵室并最終引入設(shè)備。由于從建造到設(shè)備安裝需要兩到三年的時間,該公司很可能將在2022年才會開始進(jìn)行投資以建造奧斯汀工廠。
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