韓國2021年度下一代智能半導體研發(fā)計劃發(fā)布

2020年12月29日，韓國科學和信息通信技術(shù)部（MSIT）發(fā)布下一代智能半導體（器件）研發(fā)計劃2021年項目實施計劃。該研發(fā)計劃旨在克服現(xiàn)有半導體技術(shù)局限，致力于下一代超低功耗、高性能半導體器件核心技術(shù)的創(chuàng)新開發(fā)，為期10年（2020-2029年），金額達2405億韓元。

一、實施策略及內(nèi)容

避免論文式研究，促進早期成果商業(yè)化和IP核應用，具體包括：（1）引入競爭性研發(fā)模式，評估每個步驟，并確定持續(xù)支持的項目；（2）支持晶圓級集成和驗證（與下述研發(fā)協(xié)同進行）。

三類研發(fā)包括：（1）新概念型基礎(chǔ)技術(shù)（自由競爭模式）：該類研發(fā)旨在顛覆性創(chuàng)新，促進半導體范式改變。該類項目每年資助金額不超過2億韓元，3年后進行評估以確定后續(xù)支持。（2）新器件技術(shù)（目標型競爭模式）：該類研發(fā)旨在開發(fā)CMOS工藝兼容的各種新器件技術(shù)（如超低壓、3D集成、內(nèi)存計算、器件系統(tǒng)架構(gòu)、布線融合、大腦模擬等），以實現(xiàn)超低功耗、高性能的目標。該類項目每年資助金額約10億韓元。（3）新器件集成和驗證技術(shù)（內(nèi)容明確型競爭模式）：該類研發(fā)旨在支持晶圓級集成和驗證（集成工藝和基于設(shè)計的技術(shù)開發(fā)等），以促進實驗室開發(fā)的元器件商業(yè)化。該類項目每年資助金額約30億韓元。

二、2020年資助情況

2020年，下一代智能半導體（器件）研發(fā)計劃選擇并支持了24個新項目，總金額達120億韓元。

其中新概念型基礎(chǔ)技術(shù)類項目7個，總金額為7億韓元；新器件技術(shù)類項目15個，總金額為77.5億韓元；新器件集成和驗證技術(shù)類項目2個，總金額為30億韓元。

三、2021年資助計劃

2021年，韓國將加大對下一代智能半導體器件研發(fā)計劃的投資力度，加強項目團隊及機構(gòu)間的協(xié)作，加快創(chuàng)新步伐。

2021年的總預算為339.77億韓元，其中229億韓元用于繼續(xù)支持2020年選擇的項目，103.18億韓元用于支持19個新項目，7.59億億韓元用于項目運營管理。

2021年的19個新項目中，其中新概念型基礎(chǔ)技術(shù)類項目10個，總金額為20億韓元；新器件技術(shù)類項目8個，總金額為60.68億韓元；新器件集成和驗證技術(shù)類項目1個，總金額為22.5億韓元。2021韓國加大新器件技術(shù)的投資力度以盡早確保其在人工智能半導體器件的核心技術(shù)優(yōu)勢（例如，人腦模擬器件研究）。2021年新項目將于本年度4月開始執(zhí)行，目前尚未公布。

表1 2021年持續(xù)支持2020年選擇的項目（24）

原文標題：【政策規(guī)劃?微】韓國發(fā)布2021年度下一代智能半導體(器件)研發(fā)計劃

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責任編輯：haq