2021年內(nèi)存芯片有望迎來漲價(jià)?

魔性的2020終于過去，對(duì)于半導(dǎo)體供應(yīng)鏈從業(yè)者，缺貨漲價(jià)估計(jì)會(huì)是他們這一年中最深刻的回憶。疫情爆發(fā)、停工停產(chǎn)、醫(yī)療設(shè)備需求暴增、代工廠產(chǎn)能不足、線上辦公在家上學(xué)需求持續(xù)。..。..這一系列連鎖反應(yīng)徹底打亂了2020年初的既定計(jì)劃，整個(gè)產(chǎn)業(yè)在措手不及的應(yīng)對(duì)中經(jīng)歷著一波又一波的缺貨漲價(jià)風(fēng)潮。

但這其中，存儲(chǔ)芯片價(jià)格一直持續(xù)穩(wěn)定，甚至在年中還小有下降。但從11月開始，全行業(yè)的漲價(jià)潮流終于刮到內(nèi)存這里了，部分內(nèi)存價(jià)格開始上漲，內(nèi)存相關(guān)廠商也紛紛看漲明年的市場(chǎng)。國(guó)內(nèi)廠商能否乘著這波趨漲行情，迎來國(guó)產(chǎn)替代的春天呢？

暴漲引發(fā)的大跌觸底反彈，2021年內(nèi)存芯片有望迎來漲價(jià)？

存儲(chǔ)芯片主要分為DRAM內(nèi)存、NAND/NOR Flash閃存等產(chǎn)品，在半導(dǎo)體總體營(yíng)收中，占比高達(dá)1/3。受廠商投資，產(chǎn)能以及市場(chǎng)需求的多方因素影響，存儲(chǔ)芯片價(jià)格常呈現(xiàn)周期性的波動(dòng)變化。

上一波存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮起于2016年，一直持續(xù)到2018年，三星公司甚至憑借這波大漲價(jià)而在2017年?duì)I收首次超越英特爾，一舉成為全球第一大半導(dǎo)體公司。但這波暴漲也為其后續(xù)的降價(jià)埋下伏筆，到2019年存儲(chǔ)需求供大于求導(dǎo)致價(jià)格大跌，直到年底才出現(xiàn)止跌回穩(wěn)。進(jìn)入2020年，雖然有小幅回升，但在疫情爆發(fā)，手機(jī)市場(chǎng)低迷的大環(huán)境下，再一次讓存儲(chǔ)芯片價(jià)格維持在欲升還降的層面上。直到2020年底，這種趨勢(shì)終于迎來改變。

據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket的最新報(bào)價(jià)顯示，近一個(gè)月（12月）以來，內(nèi)存市場(chǎng)漲價(jià)明顯，部分渠道內(nèi)存條價(jià)格累積漲幅已超過10%，行業(yè)內(nèi)存條價(jià)格漲幅則在5%左右。

存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)廠晶豪科技也公開表示，利基型DRAM與NOR Flash均已漲價(jià)。晶豪科技指出，利基型DRAM部分價(jià)格已開始調(diào)高，合約價(jià)方面則將從明年第一季起開始調(diào)漲，上半年價(jià)格有望一路走漲；NOR Flash 市場(chǎng)情況相同，同樣已漲價(jià)，明年有望進(jìn)一步調(diào)漲。據(jù)晶豪科技透露，漲價(jià)原因主要是近期的產(chǎn)能供不應(yīng)求，晶圓代工與封測(cè)成本上漲，如果產(chǎn)能持續(xù)緊張，明年第一、二季價(jià)格將持續(xù)走高。而據(jù)TrendForce的最新預(yù)測(cè)，2021年第一季整體DRAM均價(jià)將止跌回穩(wěn)。

存儲(chǔ)芯片大廠中，三星、海力士和美光仍然持謹(jǐn)慎態(tài)度。據(jù)韓媒消息，三星2021年DRAM資本支出計(jì)劃與2020年持平，但會(huì)將一些DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)為圖像傳感器產(chǎn)線，這意味著，三星實(shí)際上消減了2021年的DRAM資本支出。SK海力士也同樣持保守態(tài)度，不會(huì)增加DRAM晶圓代工和NAND資本支出。另外，華為被美國(guó)制裁，美光作為華為的重要客戶，頗受影響，為此，美光此前曾向外界警告稱，由于一些公司客戶的需求疲弱，預(yù)測(cè)明年的關(guān)鍵市場(chǎng)恐出現(xiàn)DRAM供應(yīng)過剩的情況。

一方面，存儲(chǔ)市場(chǎng)已給出漲價(jià)信號(hào)，另一方面，國(guó)外芯片大廠仍然持保守態(tài)度，消減或維持原有產(chǎn)能，減少供應(yīng)量，這讓2021年的存儲(chǔ)市場(chǎng)充滿了山雨欲來的漲價(jià)味道。

趨漲行情下，國(guó)內(nèi)廠商機(jī)會(huì)幾何？

在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，三星、海力士、美光、Kioxia、西部數(shù)據(jù)等頭部廠商占據(jù)了90%的市場(chǎng)份額。雖然留下的空間不大，但是，中國(guó)龐大的市場(chǎng)需求仍然孕育出了本土的存儲(chǔ)芯片廠商，例如，紫光國(guó)芯、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新等廠商。

內(nèi)存產(chǎn)品方面，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)于2019年三季度成功量產(chǎn)19nm工藝的DDR4/LPDDR4X芯片，接下來，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)規(guī)劃將推出17nm DDR5/LPDDR5等下一代內(nèi)存產(chǎn)品。前不久，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)又獲得了156億投資，這無疑將加速其在DRAM先進(jìn)技術(shù)及產(chǎn)能方面的推進(jìn)。TrendForce公布的2020-2021年全球內(nèi)存廠商晶圓投片量的預(yù)估數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年一季度投片量為1萬片/月，但到四季度其投片量已經(jīng)快速提升到了4.5萬片/月，到2021年四季度，預(yù)計(jì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的投片量將達(dá)到8.5萬片/月，將超越目前排名第四的南亞科技（7.1萬片/月）。

閃存方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一枝獨(dú)秀，已實(shí)現(xiàn)國(guó)際先進(jìn)閃存技術(shù)的突破。長(zhǎng)江存儲(chǔ)堅(jiān)持走創(chuàng)新差異化路線，于2018年8月推出了自研Xtacking架構(gòu)，又創(chuàng)新性地跳過國(guó)際廠商的慣例96層堆疊閃存技術(shù)，率先推出了128層堆棧的QLC 3D NAND閃存。據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧透露，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)已經(jīng)處于全球一流的水準(zhǔn)，下一步就是解決128層閃存產(chǎn)品的產(chǎn)能問題。TrendForce公布的今年三季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，三星作為閃存老大，占有33.1%的全球份額，其他六家依次為Kioxia、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、美光和Intel。雖然留給其他閃存廠商的份額只有1.5%，但其中長(zhǎng)江存儲(chǔ)份額最高，預(yù)計(jì)超過1%。

在這波趨漲的行情驅(qū)動(dòng)下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片無疑將更易加速進(jìn)入目標(biāo)市場(chǎng)。另外，在國(guó)家芯片自給率提升的有力政策指導(dǎo)下，國(guó)產(chǎn)替代正逐步深入到各級(jí)廠商意識(shí)中。但歸根結(jié)底，要想實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，首要的保證是自身產(chǎn)品質(zhì)量，不僅要滿足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，性能需求，還要滿足用戶成本要求。據(jù)悉，在長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking閃存生態(tài)圈中，目前已有20多家廠商和100多款產(chǎn)品，其中，華為Mate40手機(jī)就使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層閃存產(chǎn)品。而長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM產(chǎn)品，目前也已經(jīng)獲得了威剛科技、江波龍、光威等主流內(nèi)存品牌廠商的采用，從長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)可以看到，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前供應(yīng)的DDR4/LPDDR4X芯片以及DDR4模組，可應(yīng)用于PC、筆記本電腦、服務(wù)器、消費(fèi)電子類產(chǎn)品等領(lǐng)域。

公開數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)每年進(jìn)口的芯片高達(dá)3000多億美元，這其中將近1/3是存儲(chǔ)芯片，在國(guó)產(chǎn)替代之路上，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商尚任重道遠(yuǎn)，但未來可期。
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