臺積電將砸超200億美元全力推進(jìn)3nm

對于芯片代工龍頭，臺積電正在加大自己的研發(fā)費(fèi)用，從而獲得更領(lǐng)先的優(yōu)勢。

據(jù)外媒報道稱，晶圓代工龍頭臺積電2020年?duì)I收同比增長超過30%，創(chuàng)下歷史新高，同時資本開支170億美元，也創(chuàng)下歷史新高。

報道中還提到，臺積電預(yù)計2021年隨著3nm產(chǎn)能建設(shè)，以及美國5nm工廠制造，資本開支將超過200億美元。

最新的調(diào)查中還顯示，在疫情導(dǎo)致對居家辦公和娛樂設(shè)備需求增加、5G智能手機(jī)大量推出、5G基站大規(guī)模建設(shè)等的推動下，全球芯片代工市場在2020年大幅增長，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計規(guī)模達(dá)到了846.52億美元，同比增長率高達(dá)23.7%。

對于2021年，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計全球芯片代工市場的規(guī)模仍將繼續(xù)增長，但同比增長率較2020年將明顯放緩。

之前有消息稱，臺積電正在籌集更多的資金，為的是向ASML購買更多更先進(jìn)制程的EUV***，而這些都是為了新制程做準(zhǔn)備。

據(jù)悉，臺積電在材料上的研究，也讓1nm成為可能。臺積電和交大聯(lián)手，開發(fā)出全球最薄、厚度只有0.7納米的超薄二維半導(dǎo)體材料絕緣體，可望借此進(jìn)一步開發(fā)出2納米甚至1納米的電晶體通道。

此外，臺積電正為2nm之后的先進(jìn)制程持續(xù)覓地，包含橋頭科、路竹科，均在臺積電評估中長期投資設(shè)廠的考量之列。
責(zé)編AJX