Vishay推出快速體二極管MOSFET-SiHH070N60EF,提供高效解決方案

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導(dǎo)通電阻比其前代器件低29 %，為通信、工業(yè)、計(jì)算和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時(shí)柵極電荷下降60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。

Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。隨著SiHH070N60EF的推出，以及即將發(fā)布的第四代600 V EF系列產(chǎn)品，Vishay可滿足電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)前兩個(gè)階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)校正（PFC）和軟切換DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結(jié)技術(shù)，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.061 Ω，超低柵極電荷降至50 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，比同類(lèi)最接近的MOSFET低30 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗降低，從而節(jié)省能源。SiHH070N60EF有效輸出電容Co（er）和Co（tr）分別僅為90 pf和560 pF，可改善零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)性能，如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co（tr） 比同類(lèi)緊隨其后的MOSFET低32 %。

日前發(fā)布的器件采用PowerPAK? 8x8封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，耐受雪崩模式過(guò)壓瞬變，并保證極限值100 %通過(guò)UIS測(cè)試。

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