1000字搞懂MOSFET規(guī)格書中體二極管的關鍵參數(shù)以及電路設計關注點

Part 01

前言

上一篇文章我們介紹了MOSFET的體二極管，我們知道了MOSFET體二極管在MOSFET中是廣泛存在的，并且MOSFET經(jīng)過了幾十年的工藝革新，在目前應用比較廣泛的溝道MOSFET中也沒能完全解決這個問題，既然無法避免，那我們要考慮的是了解它，應用它。關于MOSFET的體二極管，datasheet一般會給出以下幾個參數(shù)，體二極管連續(xù)正向電流，體二極管脈沖電流，體二極管正向電壓，體二極管反向恢復時間，體二極管反向恢復電荷這幾個參數(shù)。今天就詳細講解一下這個幾個參數(shù)的含義以及選型關注點。

Part 02

MOSFET的體二極管參數(shù)說明

1.Diode continuous forward current：體二極管連續(xù)正向電流 這個參數(shù)表示體二極管在連續(xù)導通時能夠承受的最大電流。這個值表示MOSFET在熱平衡狀態(tài)下能長期承受的電流，規(guī)格書中的這個參數(shù)是廠家在特定條件下測出來的電流值，所以僅供參考，實際我們需要結合我們PCBA的散熱設計來計算實際能流過的電流，在此不展開說明，后續(xù)單獨開文章講解對應的計算方法。 2.Diode pulse current：體二極管脈沖電流 體二極管能夠承受的瞬態(tài)（脈沖）電流，通常用于描述MOSFET短時間內(nèi)的耐大電流沖擊能力。該參數(shù)和體二極管連續(xù)正向電流是一樣的問題，規(guī)格書中的值僅供參考，實際需要結合我們PCBA的散熱設計來計算實際能流過的電流。 3.Diode forward voltage：體二極管正向電壓 體二極管導通時的正向壓降，通常與正向電流相關聯(lián)。一般電流越大，體二極管正向電壓會更高。規(guī)格書中會給出體二極管正向電壓的測試條件，比如下圖環(huán)境溫度25℃，電流88A，對應測出的最大體二極管正向電壓是1V，我們一般拿最大體二極管正向電壓乘以對應的正向電流計算體二極管的功耗，來評估MOSFET的溫升。

MOSFET一般會給出體二極管正向電流&正向電壓&溫度的特性曲線，這樣我們可以基于電路的實際電流來更加精確的評估體二極管正向電壓。

4.Reverse recovery time：體二極管反向恢復時間 當體二極管從正向導通切換到反向阻斷狀態(tài)時，恢復到阻斷狀態(tài)所需的時間。對于高頻應用，反向恢復時間越短越好，以減少開關損耗。長的恢復時間會導致更多的反向電流和電磁干擾，此時就需要額外的濾波設計。如果MOSFET的體二極管恢復時間較長，可以在外部并聯(lián)一個恢復時間較短的肖特基二極管。

5.Reverse recovery charge：體二極管反向恢復電荷 在體二極管反向恢復過程中，存儲在PN結中的電荷量。反向恢復過程是由電荷存儲效應引起的，反向恢復時間就是正向導通時PN結存儲的電荷耗盡所需要的時間。所以這個參數(shù)僅供參考，我們重點關注的參數(shù)還是體二極管反向恢復時間。

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