欣憶電子第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目落戶廣西桂林高新區(qū) 一期總投資達16億元
近日，廣西桂林高新區(qū)管委會與位于中國臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進會，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目推進開展“云洽談”。
據(jù)桂林日報報道，第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目一期總投資16億元，計劃用地120畝，擬將依托桂林電子科技大學(xué)科研與人才優(yōu)勢，在桂林國家高新區(qū)建設(shè)獲利能力較強、國內(nèi)外市場影響力較大的氮化鎵集成電路生產(chǎn)線。
同時，雙方將借項目吸引高端技術(shù)人才引進，帶動更多半導(dǎo)體上、下游及配套產(chǎn)業(yè)集聚，在桂林市乃至廣西打造一個國內(nèi)重要的特色集成電路產(chǎn)業(yè)基地。
據(jù)悉，欣憶電子股份有限公司為臺商獨資高新技術(shù)企業(yè)，總部設(shè)在中國臺灣新竹，主要從事半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，為亞太地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備商三大廠商之一。
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發(fā)表于 04-18 10:18
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