集微網(wǎng)消息,據(jù)中科院報(bào)道,近日,中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所催化基礎(chǔ)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員,傅強(qiáng)團(tuán)隊(duì)與臺(tái)積電Lain-Jong Li團(tuán)隊(duì)、***交通大學(xué)Wen-Hao Chang團(tuán)隊(duì)、美國萊斯大學(xué)B. I. Yakobson團(tuán)隊(duì)、北京大學(xué)教授張艷峰團(tuán)隊(duì)合作,在2英寸晶圓襯底上成功外延生長單晶六方氮化硼(hBN)單層薄膜。
據(jù)悉,六方氮化硼是一類重要的二維半導(dǎo)體層狀材料,如何在晶圓上實(shí)現(xiàn)單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應(yīng)用于集成電路中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。對此,研究人員在藍(lán)寶石基底上生長表面取向?yàn)椋?11)的無晶界單晶銅薄膜,以此作為襯底進(jìn)一步制備完全有序的六方氮化硼晶圓片。
此外,為解決對大面積單層薄膜結(jié)構(gòu)單晶性質(zhì)的表征和確認(rèn)這個(gè)難題,研究人員借助于實(shí)驗(yàn)室自行研制的深紫外激光PEEM/LEEM裝備,在1英寸晶圓表面上選取近百個(gè)微米尺寸的微區(qū)進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析,實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),六方氮化硼薄膜與Cu(111)襯底表面取向完全一致,確認(rèn)了該單層薄膜的單晶特性。
據(jù)了解,相關(guān)成果已在《自然》上發(fā)表。同時(shí),該工作還得到國家自然科學(xué)基金科學(xué)中心項(xiàng)目、中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)B類“能源化學(xué)轉(zhuǎn)化的本質(zhì)與調(diào)控”、國家重大科研裝備研制項(xiàng)目等資助。
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