0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

有1.2萬(wàn)億個(gè)晶體管的世界最大芯片,用武之時(shí)到了

汽車(chē)玩家 ? 來(lái)源:集微網(wǎng) ? 作者:Vivian ? 2019-11-20 14:44 ? 次閱讀

據(jù)外媒techspot報(bào)道,今年夏天,美國(guó)加州AI初創(chuàng)公司Cerebras Systems宣布推出世界上最大的芯片,這款名為“The Cerebras Wafer Scale Engine(WSE)”的芯片擁有1.2萬(wàn)億個(gè)晶體管,其當(dāng)時(shí)就被認(rèn)為就是為AI計(jì)算而生的。

現(xiàn)在,WSE已在Cerebras Systems公司推出的加速深度學(xué)習(xí)的新系統(tǒng)上找到了用武之地

在今年的超算大會(huì)上,Cerebras Systems公司的CS-1首次亮相。CS-1高約為26英寸,意味著一個(gè)機(jī)架中可安裝三臺(tái)。機(jī)器功率為20kW,其中4kW用于冷卻子系統(tǒng)。

新款CS-1可為最大AI計(jì)算芯片提供15kW的全功率供電(由于電源效率低損失了1kW)。

CS-1搭配Cerebras Wafer Scale引擎,此引擎比有史以來(lái)最大的GPU大56倍,內(nèi)核多78倍,片上內(nèi)存多3,000倍,并且提供33,000倍的帶寬。換句話(huà)說(shuō),其非常快。

此外,它可與開(kāi)源ML框架(例如PyTorch和TensorFlow)一起使用,以提高靈活性。

該公司表示,有關(guān)硬件更多的細(xì)節(jié),例如時(shí)鐘速度,將會(huì)在不久的將來(lái)與大家分享。

CS-1配置驚人,售價(jià)也將非常昂貴。目前公司尚未透漏CS-1的具體售價(jià),但其中一位發(fā)言人稱(chēng),其成本在數(shù)百萬(wàn)美元。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    456

    文章

    50919

    瀏覽量

    424577
  • AI
    AI
    +關(guān)注

    關(guān)注

    87

    文章

    31054

    瀏覽量

    269406
  • 深度學(xué)習(xí)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    73

    文章

    5506

    瀏覽量

    121265
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類(lèi)型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?4006次閱讀

    GaN晶體管的應(yīng)用場(chǎng)景哪些

    GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性,使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:27 ?977次閱讀

    芯片晶體管的深度和寬度有關(guān)系嗎

    一、引言 有關(guān)系。隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片晶體管作為電子設(shè)備的核心元件,其性能的優(yōu)化和制造技術(shù)的提升成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在晶體管的眾多設(shè)計(jì)參數(shù)中,深度和寬度是兩個(gè)至關(guān)重要的因素。它們不僅
    的頭像 發(fā)表于 07-18 17:23 ?720次閱讀

    晶體管電流的關(guān)系哪些類(lèi)型 晶體管的類(lèi)型

    晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性,通過(guò)控制基極電流來(lái)調(diào)節(jié)集電極電流,從而實(shí)現(xiàn)放大、開(kāi)關(guān)等功能。晶體管的電流關(guān)系是其核心特性之一,對(duì)于理解
    的頭像 發(fā)表于 07-09 18:22 ?1762次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>電流的關(guān)系<b class='flag-5'>有</b>哪些類(lèi)型 <b class='flag-5'>晶體管</b>的類(lèi)型

    PNP晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu) 晶體管測(cè)試儀電路圖

    PNP晶體管是一種雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開(kāi)關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對(duì)應(yīng),PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 07-01 17:45 ?2735次閱讀
    PNP<b class='flag-5'>晶體管</b>符號(hào)和結(jié)構(gòu) <b class='flag-5'>晶體管</b>測(cè)試儀電路圖

    如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度,讓晶體管快如閃電

    咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產(chǎn)品里就像是繼電賽跑的選手,開(kāi)關(guān)的速度決定了電子設(shè)備的快慢。那么,如何才能提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度呢?來(lái)一探究竟。如果把晶體管比作一
    的頭像 發(fā)表于 04-03 11:54 ?733次閱讀
    如何提高<b class='flag-5'>晶體管</b>的開(kāi)關(guān)速度,讓<b class='flag-5'>晶體管</b>快如閃電

    世界第一AI芯片發(fā)布!世界紀(jì)錄直接翻倍 晶體管達(dá)4萬(wàn)億個(gè)

    和相同的價(jià)格下,WSE-3的性能是之前的世界記錄保持者Cerebras WSE-2的兩倍。 該公司稱(chēng),WSE-3芯片是專(zhuān)為訓(xùn)練業(yè)界最大的AI模型而構(gòu)建的,臺(tái)積電5納米工藝打造,包含驚人的4萬(wàn)億
    的頭像 發(fā)表于 03-21 17:34 ?628次閱讀

    蘋(píng)果M3芯片晶體管數(shù)量

    蘋(píng)果M3芯片晶體管數(shù)量相當(dāng)可觀,相比前代產(chǎn)品了顯著的提升。這款芯片搭載了高達(dá)250億個(gè)晶體管
    的頭像 發(fā)表于 03-11 16:45 ?936次閱讀

    蘋(píng)果M3芯片多少晶體管組成

    蘋(píng)果M3芯片晶體管數(shù)量上有了顯著的提升。具體來(lái)說(shuō),標(biāo)準(zhǔn)版的M3芯片內(nèi)部集成了250億個(gè)晶體管,相比前代M2
    的頭像 發(fā)表于 03-08 17:00 ?1049次閱讀

    蘋(píng)果M3芯片多少顆晶體管

    蘋(píng)果M3芯片搭載了250億個(gè)晶體管,相較于前代M2芯片多了50億個(gè)晶體管。這一顯著的提升使得M3
    的頭像 發(fā)表于 03-08 16:58 ?1184次閱讀

    M3芯片多少晶體管

    M3芯片晶體管數(shù)量根據(jù)不同的版本有所差異。具體來(lái)說(shuō),標(biāo)準(zhǔn)版的M3芯片擁有250億個(gè)晶體管,這一數(shù)量相比前代產(chǎn)品M2
    的頭像 發(fā)表于 03-08 15:43 ?1105次閱讀

    什么是達(dá)林頓晶體管?達(dá)林頓晶體管的基本電路

    達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱(chēng)為達(dá)林頓對(duì)(Darlington Pair),是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管(或其他類(lèi)似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu),第一
    的頭像 發(fā)表于 02-27 15:50 ?5604次閱讀
    什么是達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>?達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>的基本電路

    ISSCC 2024臺(tái)積電談萬(wàn)億晶體管,3nm將導(dǎo)入汽車(chē)

    臺(tái)積電推出更先進(jìn)封裝平臺(tái),晶體管可增加到1萬(wàn)億個(gè)。
    的頭像 發(fā)表于 02-23 10:05 ?1301次閱讀
    ISSCC 2024臺(tái)積電談<b class='flag-5'>萬(wàn)億</b><b class='flag-5'>晶體管</b>,3nm將導(dǎo)入汽車(chē)

    晶體管的主要參數(shù)

    晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的元件,它的性能參數(shù)直接影響著設(shè)備的工作效率和穩(wěn)定性。晶體管的主要參數(shù)最大漏極電壓、最大集電極電流、
    的頭像 發(fā)表于 02-23 10:04 ?1889次閱讀

    晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么?

    晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一
    發(fā)表于 01-26 23:07